(01/03/1999). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: OKAMURA, RYUJI, AKIYAMA, KAZUYOSHI, MURAYAMA, HITOSHI, HITSUISHI, KOJI, KOJIMA, SATOSHI, OHTOSHI, HIROKAZU, YAMAMURA, MASAAKI.

SE DESCRIBE UN PROCESO PARA PRODUCIR UN MIEMBRO RECEPTOR DE LUZ QUE COMPRENDE UN SUSTRATO Y UNA CAPA RECEPTORA DE LUZ NO-MONOCRISTALINA SOBRE EL SUSTRATO; QUE COMPRENDE FORMAR AL MENOS UNA PARTE DE LA CAPA POR DESCOMPOSICION DE UN GAS DE MATERIAL INICIADOR QUE SE INTRODUCE EN UNA CAMARA DE REACCION POR MEDIO DE UNA ONDA ELECTROMAGNETICA CON UNA FRECUENCIA DE 20 A 450 MHZ.

(01/04/1995). Solicitante/s: SAITO, KEISHI. Inventor/es: SAITO, KEISHI, TAKEI, TETSUYA, AOIKE, TATSUYUKI, KATO, MONORU.

SE PROPORCIONA UN DISPOSITIVO RECEPTOR DE LUZ MEJORADO QUE TIENE POR LO MENOS UNA CAPA FOTOCONDUCTORA CONSTITUIDA POR MATERIAL DE SERIE A-SI (H,X) Y UNA CAPA SUPERFICIAL CONSTITUIDA POR A-SI (C,O,N) (H,X) PARA UTILIZAR EN ELECTROFOTOGRAFIA, ETC, QUE SE CARACTERIZA PORQUE EL ATOMO (C,N,O) ESTA CONTENIDO EN LA CAPA SUPERFICIAL EN UN ESTADO TAL QUE LA CONCENTRACION DEL ATOMO (C,N,O) ESTA AUMENTANDO CONTINUAMENTE DESDE LA POSICION DE LA INTERFASE ENTRE LA CAPA SUPERFICIAL Y LA CAPA FOTOCONDUCTORA, AUNQUE DEJANDO UNA PARTE CORREPONDIENTE A UNA DIFERENCIA DEL INDICE DE REFRACCION ((DELTA)H) ((DELTA)H (MENOR O IGUAL) 0,62) ENTRE EL INDICE DE REFRACCION DE LA CAPA SUPERFICIAL Y EL DE LA CAPA FOTOCONDUCTORA, QUE SE PUEDE DESPRECIAR EN EL PROCESO DE FORMACION DE IMAGEN HACIA LA SUPERFICIE LIBRE DE LA CAPA SUPERFICIAL.

(16/08/1994). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: FUJIOKA, YASUSHI, SHIRAI, SHIGERU, SAITOH, KEISHI, ARAI, TAKAYOSHI, KATO, MINORU.

SE PROPORCIONA UN SISTEMA RECEPTOR DE LUZ MEJORADO PARA UTILIZAR EN ELECTROFOTOGRAFIA, QUE COMPRENDE UN SUBSTRATO PARA ELECTROFOTOGRAFIA Y UNA CAPA RECEPTORA DE LA LUZ CONSTITUIDA POR UNA CAPA DE INHIBICION DE INYECCION DE CARGA, UNA CAPA FOTOCONDUCTORA Y UNA CAPA SUPERFICIAL, ESTANDO FORMADA LA CAPA DE INHIBICION DE INYECCION DE CARGA POR UN MATERIAL AMORFO QUE CONTIENE ATOMOS DE SILICIO COMO ATOMOS CONSTITUYENTES PRINCIPALES Y UN ELEMENTO PARA CONTROLAR LA CONDUCTIVIDAD, ESTANDO FORMADA LA CAPA FOTOCONDUCTORA POR UN MATERIAL AMORFO QUE CONTIENE ATOMOS DE SILICIO COMO ATOMOS CONSTITUYENTES PRINCIPALES, Y POR LO MENOS UNA CLASE ELEGIDA ENTRE ATOMOS DE HIDROGENO Y ATOMOS DE HALOGENO, Y ESTANDO FORMADA LA CAPA SUPERFICIAL DE UN MATERIAL AMORFO QUE CONTIENE ATOMOS DE SILICIO, CARBONO E HIDROGENO, Y ESTANDO LA CANTIDAD DE ATOMOS DE HIDROGENO CONTENIDOS EN LA SUPERFICIE EN EL INTERVALO DE 41 A 70 % EN ATOMOS.

(01/08/1994). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: FUJIOKA, YASUSHI, SHIRAI, SHIGERU, SAITOH, KEISHI, ARAI, TAKAYOSHI, KATO, MINORU.

SE PROPORCIONA UN ELEMNETO RECEPTOR DE LA LUZ MEJORADO PARA UTILIZAR EN ELECTROFOTOGRAFIA, QUE CONSTA DE UN SUBSTRATO PARA ELECTROFOTOGRAFIA Y UNA CAPA RECEPTORA DE LA LUZ CONSTITUIDA POR UNA CAPA DE INHIBICION DE INYECCION DE CARGA, FORMADA POR UN MATERIAL POLICRISTALINO QUE CONTIENE ATOMOS DE SILICIO COMO CONSTITUYENTES PRINCIPALES Y UN ELEMENTO PARA CONTROLAR LA CONDUCTIVIDAD, QUE IMPIDE QUE SE INTRODUZCA UNA CARGA DEL LADO DEL SUBSTRATO; UNA CAPA FOTOCONDUCTORA FORMADA POR UN MATERIAL AMORFO QUE CONTIENE ATOMOS DE SILICIO COMO CONSTITUYENTES PRINCIPALES Y UNA CAPA SUPERFICIAL FORMADA POR UN MATERIAL AMORFO QUE CONTIENE ATOMOS DE SILICIO, ATOMOS DE CARBONO Y ATOMOS DE HIDROGENO, ESTANDO LA CANTIDAD DE ATOMOS DE HIDROGENO CONTENIDOS EN LA CAPA SUPERFICIAL EN EL INTERVALO DE 41 A 70 % EN ATOMOS. LA CAPA RECEPTORA DE LA LUZ PUEDE TENER UNA CAPA DE CONTACTO Y/O UNA CAPA DE ABSORCION DE LA LUZ QUE TIENE UNA LONGITUD DE ONDA LARGA.

(01/12/1991). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: FUJIOKA, YASUSHI, SHIRAI, SHIGERU, SAITOH, KEISHI, ARAI, TAKAYOSHI, KATO, MINORU.

UN MIEMBRO RECEPTOR DE LUZ PARA ELECTROFOTOGRAFIA, COMPRENDE UN SUSTRATO Y UNA CAPA RECEPTORA DE LUZ PROVISTA EN EL SUSTRATO COMPRENDIENDO UNA CAPA FOTOCONDUCTORA, COMPRENDIENDO UN MATERIAL AMORFO CON AL MENOS UNO DE LOS ATOMOS DE HIDROGENO Y ATOMOS DE HALOGENO COMO UNA MATRIZ DE ATOMOS DE SILICONA Y CAPA SUPERFICIAL, CONTENIENDO UN MATERIAL MORFO CON ATOMOS DE SILICONA, CARBONO, HIDROGENO Y OTROS COMPONENTES, DICHA CAPA SUPERFICIAL CAMBIA LA CONCENTRACION DE DISTRIBUCION EN LA DIRECCION DE ESPESOR DE LA CAPA DE LOS ELEMENTOS COMPONENTES, TALES QUE EL VACIO OPTICO SE OBTIENE EN LA INTERFAZ CON LA MENCIONADA CAPA FOTOCONDUCTORA Y LA CONCENTRACION DE DISTRIBUCION MAXIMA DE ATOMOS DE HIDROGENO DENTRO DE LA MENCIONADA CAPA SUPERFICIAL DE 41 A 70 PROPORCION ATOMICA.

(01/01/1988). Solicitante/s: MITSUBISHI CHEMICAL INDUSTRIES LIMITED.

METODO DE ELECTROFOTOGRAFIA. CONSTA DE LAS SIGUIENTES ETAPAS: PULIR LA SUPERFICIE DE UN FOTORRECEPTOR SOBRE LA QUE SE FORMA LA IMAGEN UTILIZANDO UNA SUSTANCIA ABRASIVA BLANDA DEL TIPO CARBONATO Y SULFATO DE METAL ALCALINOTERREOS, METALES DE TIERRAS RARAS Y DE TRANSICION, ESTA ETAPA SE REALIZA COMO PARTE DE LA SECUENCIA DE LIMPIEZA DE LA ELECTROFOTOGRAFIA, ESTA CONSTA A SU VEZ DE: UN PRIMER PROCESO SIN ABRASIVO BLANDO, SEGUNDO PROCESO DONDE LA LIMPIEZA SE PRODUCE DE FORMA INTERMITENTE . EL MATERIAL UTILIZADO DE LA ELECTROFOTOGRAFIA ES HIDRURO DE SILICIO AMORFO.

(16/01/1987). Solicitante/s: SOVONICS SOLAR SYSTEMS.

METODO DE DEPOSITAR UNA ALEACION SEMICONDUCTORE, AMORFA, DEL TIPO P. CONSISTE EN HABILITAR CAMARAS DE VACIO ; SOMETER A VACIO A LAS CAMARAS HASTA UNA PRESION DE 10C2 TORR; HABILITAR UN SUSTRATO ; CALENTAR EL SUSTRATO HASTA UNA TEMPERATURA DE DEPOSICION DE 150 A 300JC; APLICAR UN CAMPO ELECTROMAGNETICO UTILIZANDO UNA RADIOFRECUENCIA DE 13,56 MHZ A FIN DE ESTABLECER UNA DESCARGA LUMINOSA DE EFLUVIOS EN UNA MEZCLA GASEOSA QUE INCLUYE AL MENOS UN GAS PRECURSOR DE SEMICONDUCTOR; E INTRODUCIR UNA FUENTE GASEOSA DE BORO COMINADA CON UNA FUENTE DE UN HALOGENO Y UN PSEUDOHALOGENO, INCORPORANDOSE MONOATOMICAMENTE UN 1,9% ATOMICO DE BORO EN LA ALEACION SEMICONDUCTORA A MEDIDA QUE SE VA DEPOSITANDO DICHA ALEACION.

(01/07/1977). Solicitante/s: COULTER INFORMATION SYSTEMS, INC..

Resumen no disponible.

(01/01/1977). Solicitante/s: XEROX CORPORATION.

Resumen no disponible.

(16/12/1976). Solicitante/s: COULTER INFORMATION SYSTEMS, INC..

Un método para la fabricación de un elemento electro-fotográfico mediante la introducción de un substrato en una cámara de descarga eléctrica en la cual está dispuesto un ánodo y un blanco de material fotoconductor, caracterizado por la etapa de conectar el blanco con la parte alta de un generador de radiofrecuencia y conectar el ánodo a tierra donde se establece un campo de polarización entre el blanco y el substrato y posteriormente descargar el material del blanco al ánodo hasta que un grosor de material de descarga en el substrato alcanza un valor tal que asegure un mínimo de 70% de transmisión de luz a través del revestimiento y el substrato y un máximo de 85% de transmisión de luz.

(16/10/1976). Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, S.A..

Resumen no disponible.

(01/10/1976). Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, S.A..

Resumen no disponible.

(16/11/1975). Solicitante/s: XEROX CORPORATION.

Un dispositivo fotosensible , caracterizado porque incluye una capa aislante fotoconductiva, comprendiendo dicha capa una porción principal, en peso, de una aleación fotoconductiva vítrea de selenio mezclada con una porción menor, en peso, de una resina eléctricamente aislante , teniendo la misma la forma de una matriz de la aleación de selenio vítreo , incluyendo partículas aisladas y zonas de la resina eléctricamente aislante.