CIP-2021 : H01L 21/322 : para modificar sus propiedades internas, p. ej. para producir defectos internos.
CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 21/00 › H01L 21/322[5] › para modificar sus propiedades internas, p. ej. para producir defectos internos.
Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/322 · · · · · para modificar sus propiedades internas, p. ej. para producir defectos internos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento para la purificación de un sustrato de silicio cristalino y procedimiento para la fabricación de una célula fotovoltaica.
(07/12/2016). Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES. Inventor/es: DUBOIS,Sébastien, ENJALBERT,NICHOLAS, MONNA,RÉMI.
Procedimiento para la purificación de un sustrato de silicio cristalino del tipo que comprende una etapa de extracción de las impurezas por efecto getter externo, caracterizado porque comprende, antes de dicha etapa de extracción de las impurezas por efecto getter externo, al menos una etapa de calentamiento del sustrato a una temperatura comprendida entre 750ºC y 1000ºC inclusives durante un período comprendido entre 1 segundo y 10 minutos inclusives, seguida por una etapa de enfriamiento del sustrato hasta la temperatura ambiente.
PDF original: ES-2618033_T3.pdf
METODO DE FABRICACION DE UN DISPOSITIVO DE SEMICONDUCTORES.
(01/09/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Inventor/es: NORSTROM, HANS.
EN UN PROCEDIMIENTO PARA ATACAR SELECTIVAMENTE CON ACIDO EN LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, UNA CAPA AMORFA DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR SE DEPOSITA SOBRE UN SUSTRATO CRISTALINO DEL MISMO MATERIAL SEMICONDUCTOR. AL MENOS UNA CAPA DE DIELECTRICO SE DEPOSITA SOBRE LA CAPA AMORFA A FIN DE EVITAR LA CRISTALIZACION DE LA CAPA AMORFA . LA CAPA DIELECTRICA ES DEPOSITADA PREFERIBLEMENTE CON AYUDA BIEN SEA DE UNA TECNICA PECVD, SACVD, MBE O CENTRIFUGA. LA ESTRUCTURA RESULTANTE ESTA CONFIGURADA Y LA CAPA DE DIELECTRICO Y LA CAPA SEMICONDUCTORA AMORFA SON QUITADAS POSTERIORMENTE MEDIANTE ATAQUE POR ACIDO DENTRO DE UNA ZONA PREDETERMINADA . EL PROCEDIMIENTO PUEDE FORMAR UNA SUB-ETAPA EN LA FABRICACION DE UN TRANSISTOR BIPOLAR CON UNA ESTRUCTURA BASE-EMISOR AUTO-REGISTRADA.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CAPAS DE CARBURO DE SILICIO (SIC) MEDIANTE IMPLANTACION IONICA DE CARBONO Y RECOCIDOS.
(01/08/2003) Procedimiento de fabricación de capas de carburo de silicio (sic) mediante implantación iónica de carbono y recocidos. La presente invención se refiere al uso de una combinación de implantaciones iónicas de C+ y recocidos convencionales para la fabricación de estructuras complejas multicapas basadas en SiC. Esta combinación de técnicas muy bien conocidas de la tecnología del Si proporciona una gran versatilidad en cuando a la estructura de las capas sintetizadas (estructura amorfa, policristalina, o cristalina con control de la orientación cristalina; multicapas, capas enteradas o sobre aislante) y permite la obtención de capas con muy bajos niveles de tensión residual y con superficies…
CARBURO DE SILICIO DE ALTA RESISTENCIA Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.
(16/06/1999). Solicitante/s: DAIMLERCHRYSLER AG FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FIRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. Inventor/es: SCHNEIDER, JURGEN, MULLER, HARALD, NIEMANN, EKKEHARD, MAIER, KARIN.
EL OBJETIVO DE LA INVENCION ES UN PROCESO PARA LA ELABORACION DE SIC DE ALTA RESISTENCIA A PARTIR DE UN MATERIAL DE PARTIDA DE BAJA RESISTENCIA. SE COMPONE DE TAL MODO, QUE LOS NIVELES DONADORES PLANOS DE UNA IMPUREZA DE NITROGENO PREVALECIENTE SON SOBRECOMPENSADOS MEDIANTE ADMINISTRACION DE UN ELEMENTO TRIVALENTE, SIENDO LA CONCENTRACION DEL INDICADO ELEMENTO EN EL SIC TAL, QUE CAMBIA EL TIPO DE CONDUCTIVIDAD DESDE UNA CONDUCTIVIDAD N A UNA CONDUCTIVIDAD P. ADICIONALMENTE SE AÑADE UN ELEMENTO DE TRANSICION TENDIENDO DONADORES APROXIMADOS EN EL MEDIO DEL ESPACIO DE ENERGIA SIC, DE MODO QUE LOS NIVELES DE ACEPTADOR EN EXCESO SON COMPENSADOS Y SE CONSIGUE UNA RESISTENCIA ESPECIFICA ALTA.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO EN ESTADO SOLIDO.
(01/01/1989). Ver ilustración. Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: KOZE, JEFFREY THOMAS.
EL SELLADO DEL LADO POSTERIOR DE UNA LAMINA SEMICONDUCTORA IMPIDE LA EVAPORACION DEL DOPANTE (NORMALMENTE BORO) CUANDO SE DESARROLLA UNA CAPA EPITAXIAL SOBRE EL LADO FRONTAL (ACTIVO), EVITANDO CON ELLO EL AUTODOPADO DE LA CAPA EPITAXIAL CON DOPANTE EN EXCESO. LA PRESENTE TECNICA DEPOSITA UNA CAPA DE OXIDO DURANTE EL PERIODO DE SUBIDA DE LA TEMPERATURA DEL HORNO, DURANTE EL CUAL SE DEPOSITA ASIMISMO LA CAPERUZA DE NITRURO, EVITANDO CON ELLO UNA ETAPA DE PROCESO EXTRA. IGUALMENTE, SE EVITAN LAS MAYORES TEMPERATURAS REQUERIDAS EN LAS TECNICAS CONOCIDAS DE DESARROLLO DE LA CAPA DE OXIDO, LO CUAL SE TRADUCE EN UNA MENOR PRECIPITACION DE OXIGENO DERIVADA DEL PROCESO DE FORMACION DE LA CAPERUZA Y EN UN MAYOR RENDIMIENTO DE LAMINAS UTILIZABLES.
