CIP-2021 : C30B 33/04 : mediante utilización de campos eléctricos o magnéticos o de radiaciones corpusculares.
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C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 33/00 Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada (C30B 31/00 tiene prioridad).
C30B 33/04 · mediante utilización de campos eléctricos o magnéticos o de radiaciones corpusculares.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO PARA AUMENTAR LA RESISTENCIA DE DIAMANTES MANUFACTURADOS.
(16/08/2001). Solicitante/s: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Inventor/es: PARK, DONG-SIL, JACKSON, WILLIAM E.
LA PUREZA Y DUREZA DE UN BAÑO DE GRANOS DE DIAMANTES SE AUMENTA SEPARANDO UNA PARTE QUE CONTIENE INCLUSIONES INDESEABLES DE LA PARTE RESTANTE DE MAS ELEVADA PUREZA Y RECOCIENDO LA PARTE DE MAS ELEVADA PUREZA EN UNA ATMOSFERA REDUCTORA DURANTE UN PERIODO SUFICIENTE DE TIEMPO PARA MEJORAR LA DUREZA DE LA PARTE DE PUREZA MAS ELEVADA.