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CIP-2021 : C01B 32/188 : mediante crecimiento epitaxial.

CIP-2021 › C › C01 › C01B › C01B 32/00 › C01B 32/188^[4] › mediante crecimiento epitaxial.

Notas^[t] desde C01 hasta C14: QUIMICA

C QUIMICA; METALURGIA.

C01 QUIMICA INORGANICA.

C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B).

C01B 32/00 Carbono; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; percarbonatos C01B 15/10; negro de carbón C09C 1/48).

C01B 32/188 · · · · mediante crecimiento epitaxial.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Técnicas de desprendimiento y transferencia para grafeno desarrollado hetero-epitaxialmente.

(17/10/2018). Solicitante/s: Guardian Glass, LLC. Inventor/es: VEERASAMY, VIJAYEN S..

Un método para aislar una película delgada de grafeno, comprendiendo el método: crecimiento hetero-epitaxial de la película delgada de grafeno sobre una película delgada de catalizador; disponer un recubrimiento a base de polímero sobre la película delgada de grafeno sobre una superficie de la misma opuesta a la película 5 delgada de catalizador; curar el recubrimiento a base de polímero; y hacer que la película delgada de grafeno y el recubrimiento a base de polímero se liberen de la película delgada de catalizador, en donde la película delgada de catalizador se dispone sobre un sustrato de soporte posterior, formándose el sustrato de soporte posterior sobre la película delgada de catalizador sobre una superficie opuesta a la película delgada de grafeno, caracterizado por que una capa de liberación de película delgada está dispuesta entre el sustrato de soporte posterior y la película delgada de catalizador, en donde la capa de liberación comprende óxido de zinc.

PDF original: ES-2686329_T3.pdf