CIP-2021 › G › G03 › G03F › G03F 1/00 › G03F 1/22[1] › máscaras o máscaras vacías para imagen por radiación de 100 nm o longitud de onda inferior, p. ej. máscaras de rayos X, máscaras de ultra-violeta extremo [EUV]; Su preparación.
G FISICA.
G03 FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA.
G03F PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO (aparatos de composición fototipográfica B41B; materiales fotosensibles o procesos para la fotografía G03C; electrofotografía, capas sensibles o procesos a este efecto G03G).
G03F 1/00 Originales para la producción por vía fotomecánica de superficies texturadas, p. ej. mascaras, foto-mascaras o reticulas; Máscara en blanco o películas para ello; Contenedores especialmente adaptados a este efecto; Su preparación..
G03F 1/22 · máscaras o máscaras vacías para imagen por radiación de 100 nm o longitud de onda inferior, p. ej. máscaras de rayos X, máscaras de ultra-violeta extremo [EUV]; Su preparación.
(14/06/2018). Solicitante/s: FUNDACIÓ INSTITUT DE CIÈNCIES FOTÒNIQUES. Inventor/es: PRUNERI,VALERIO, MANIYARA,Rinu Abraham.
La presente invención se refiere a composiciones para máscaras fotolitográficas que comprenden un sustrato y un recubrimiento que tiene al menos una capa conductora eléctrica que comprende un nitruro, un boruro o un carburo, y métodos de preparación de las mismas.