CIP-2021 : H05H 1/38 : Guiado o centrado de electrodos.
CIP-2021 › H › H05 › H05H › H05H 1/00 › H05H 1/38[5] › Guiado o centrado de electrodos.
H ELECTRICIDAD.
H05 TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR.
H05H TECNICA DEL PLASMA (tubos de haz iónico H01J 27/00; generadores magnetohidrodinámicos H02K 44/08; producción de rayos X utilizando la generación de un plasma H05G 2/00 ); PRODUCCION DE PARTICULAS ACELERADAS ELECTRICAMENTE CARGADAS O DE NEUTRONES (obtención de neutrones a partir de fuentes radiactivas G21, p. ej. G21B, G21C, G21G ); PRODUCCION O ACELERACION DE HACES MOLECULARES O ATOMICOS NEUTROS (relojes atómicos G04F 5/14; dispositivos que utilizan la emisión estimulada H01S; regulación de la frecuencia por comparación con una frecuencia de referencia determinada por los niveles de energía de moléculas, de átomos o de partículas subatómicas H03L 7/26).
H05H 1/00 Producción del plasma; Manipulación del plasma (aplicación de la técnica del plasma a reactores de fusión termonuclear G21B 1/00).
H05H 1/38 · · · · · Guiado o centrado de electrodos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
CONJUNTO DE CUERPO DE ELECTRODO/PORTAELECTRODO PARA SOPLETE DE PLASMA.
(01/03/2002). Solicitante/s: LA SOUDURE AUTOGENE FRANCAISE. Inventor/es: MARHIC, GERARD.
CONJUNTO MACHO/HEMBRA PARA LAMPARA DE PLASMA QUE COMPRENDE UN CUERPO DE ELECTRODO Y UN PORTAELECTRODO , EN EL QUE: . EL CUERPO DE ELECTRODO INCLUYE AL MENOS UN ROSCADO EN CUYO SENO SE PRACTICA AL MENOS UN VACIADO QUE SE PERSIGUE EN TODA LA LONGITUD (D) DE DICHO ROSCADO Y AL MENOS UNA PARTE INFERIOR QUE DEFINE UN ALOJAMIENTO SITUADO ENTRE LA PARTE SUPERIOR ROSCADA Y EL FONDO DEL CUERPO DE ELECTRODO Y . EL PORTAELECTRODOS QUE COMPRENDE, EN SU SUPERFICIE PERIFERICA EXTERNA, AL MENOS UN ESCANTILLON (4") QUE PRESENTA AL MENOS LOCALMENTE UN PERFIL QUE CORRESPONDE AL PERFIL DE AL MENOS DICHO VACIADO DEL CUERPO DE ELECTRODO Y AL MENOS UN ROSCADO (15') ESTANDO DICHO ESCANTILLON (4") SITUADO ENTRE EL EXTREMO INFERIOR DEL PORTAELECTRODO Y DICHO ROSCADO.
PORTAELECTRODO DE PLASMA DE CEBADO POR CORTOCIRCUITO.
(16/07/1995). Solicitante/s: AEROSPATIALE SOCIETE NATIONALE INDUSTRIELLE. Inventor/es: LABROT, MAXIME, PINEAU, DIDIER, FEUILLERAT, JEAN.
LA INVENCION SE REFIERE A UN PORTAELECTRODO DE PLASMA, DEL TIPO QUE COMPRENDE: EN UN SOPORTE EN EL QUE SE ENCUENTRA UN CIRCUITO DE REFRIGERACION DEL ELECTRODO CORRESPONDIENTE; CEBAR UN ARCO ELECTRICO ENTRE LOS DOS ELECTRODOS POR CORTOCIRCUITO TEMPORAL DE ESTOS; Y OGENO ENTRE LOS DOS ELECTRODOS. SEGUN LA INVENCION, PARA PRODUCIR EL CEBADO DEL ARCO ELECTRICO ENTRE LOS DOS ELECTRODOS, AL MENOS UNO DE DICHOS ELECTRODOS ES MOVIL AXIALMENTE, ENTRE UNA POSICION DE FUNCIONAMIENTO DEL PORTAELECTRODO, PARA LA QUE DICHO ELECTRODO MOVIL ESTA ALEJADO DEL OTRO ELECTRODO , Y UNA POSICION DE CEBADO PARA LA QUE DICHO ELECTRODO MOVIL CONTACTA CON EL OTRO PROVOCANDO UN CORTOCIRCUITO ELECTRICO, DE MANERA A GENERAR DICHO ARCO ELECTRICO DESDE EL MOMENTO DE LA RUPTURA DEL CORTOCIRCUITO, CUANDO DICHO ELECTRODO MOVIL ES LLEVADO HACIA SU POSICION DE FUNCIONAMIENTO.