CIP-2021 : H01L 21/3063 : Grabado electrolítico.

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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

H01L 21/3063 · · · · · · · Grabado electrolítico.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

UN DISPOSITIVO TRANSTOR.

(01/05/1961). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..

Un dispositivo transistor que comprende un cuerpo semiconductor al que son aplicados uno junto al otro un electrodo emisor y un electrodo de base en la forma de electrodos de aleación, cuyas zonas asociadas de material semiconductor recristalizado están en contacto con la zona de base, caracterizado por el hecho de que el material recristalizado de al menos uno de estos electrodos ubicado en el lado alejado del otro electrodo, es eliminado al menos en la mitad de la superficie de contacto de la zona de base inicialmente ocupada por la zona recristalizada.

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