CIP-2021 : H01L 21/70 : Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común,
o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos (fabricación de conjuntos de componentes eléctricos prefabricados H05K 3/00, H05K 13/00).
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/70 · Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos (fabricación de conjuntos de componentes eléctricos prefabricados H05K 3/00, H05K 13/00).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN, MÉTODO DE OBTENCIÓN Y USO DEL MISMO.
(05/03/2020). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: ULLAN COMES,MIGUEL, QUIRION,David, HIDALGO VILLENA,Salvador, FLORES GUAL,David, COUSO FONTANILLO,Carlos.
En este documento se detallan tanto un dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), objeto de un primer aspecto de la invención, como el método para obtener el mismo, objeto de un segundo aspecto de la invención. El dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), presenta una serie de trincheras circulares concéntricas que se encuentran protegidas por una o varias trincheras de protección. Dichas trincheras de protección tiene forma rectangular con esquinas redondeadas y se desdoblan en trincheras de protección flotantes y trincheras de protección polarizadas, tal manera que una trinchera de protección polarizada es exterior a la última trinchera concéntrica mientras que una trinchera de protección flotante es exterior a dicha trinchera de protección polarizada.
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN, MÉTODO DE OBTENCIÓN Y USO DEL MISMO.
(03/03/2020). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: ULLAN COMES,MIGUEL, QUIRION,David, HIDALGO VILLENA,Salvador, FLORES GUAL,David, COUSO FONTANILLO,Carlos.
Transistor de efecto de campo de unión y método de obtención del mismo.
En este documento se detallan tanto un dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), objeto de un primer aspecto de la invención, como el método para obtener el mismo, objeto de un segundo aspecto de la invención. El dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), presenta una serie de trincheras circulares concéntricas que se encuentran protegidas por una o varias trincheras de protección. Dichas trincheras de protección tienen forma rectangular con esquinas redondeadas y se desdoblan en trincheras de protección flotantes y trincheras de protección polarizadas, tal manera que una trinchera de protección polarizada es exterior a la última trinchera concéntrica mientras que una trinchera de protección flotante es exterior a dicha trinchera de protección polarizada.
PDF original: ES-2745740_B2.pdf
PDF original: ES-2745740_A1.pdf
METODO DE FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS.
(01/01/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: LUCENT TECHNOLOGIES INC.. Inventor/es: COLINA,ALBERTO, HERRERO,BENITO.
Método de fabricación de circuitos integrados con el cual la planarización del dieléctrico se logra por desenfoque y subexposición del fotoresist. El fotoresist se puede atacar a la misma velocidad que el dieléctrico, produciendo de este modo un dieléctrico liso o planarizado.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/08/1980). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC..
Procedimiento para la fabricación de un dispositivo semiconductor, en donde se forma un diseño conductor por deposición de una capa de silicio policristalino, caracterizado porque comprende depositar titanio o tántalo sobre el silicio policristalino y sinterizar para producir siliciuro de titanio o de tántalo, respectivamente, dejando un exceso de silicio policristalino.
