(09/03/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: 1366 Technologies Inc. Inventor/es: SACHS, EMANUEL, M., Jonczyk,Ralf.

Procedimiento para realizar un cuerpo semiconductor comprendiendo el procedimiento las etapas de: a. proporcionar un material semiconductor fundido , que presenta una superficie ; b. proporcionar un molde poroso , que comprende una superficie de conformación ; c. proporcionar un chapa cerámica auto sostenida entre la superficie de conformación y el material fundido ; d. poner en contacto la superficie de conformación con la chapa cerámica y la chapa cerámica con la superficie del material fundido durante un cierto período de contacto), de tal modo que un cuerpo de material semiconductor se solidifica en la chapa cerámica ; y e. retirar el cuerpo solidificado del contacto con el material semiconductor fundido mientras se encuentra todavía en contacto con la chapa cerámica , en el que la chapa cerámica es porosa y preferentemente el grado de porosidad se encuentra comprendido entre el 1 por ciento y el 80 %.

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(29/02/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS). Inventor/es: AISSOU,KARIM, HALILA,SAMI, FORT,SÉBASTIEN, BORSALI,REDOUANE, BARON,THIERRY.

Material (M) que comprende un sustrato en el que una de sus superficies está recubierta por una capa de una red organizada a base de un copolímero de bloques que comprende: - un bloque (A) constituido por un polímero hidrófobo, y - un bloque (B) constituido por un polisacárido.

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(16/06/2007). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: SKRDLANT, ROLF-PETER.

Procedimiento para codificar posiciones de elementos de datos en una estructura de datos, en el que a los elementos de datos se les asignan códigos de posición en una secuencia predeterminada, caracterizado porque - los códigos de posición se eligen tal que para posiciones de otros elementos de datos entre las posiciones de dos elementos de datos contiguos pueden otorgarse otros códigos de posición para la codificación de posición de otros elementos de datos, siendo la longitud de código al menos otro código de posición mayor que la longitud más larga de las longitudes de código de los códigos de posición de dos elementos de datos contiguos, - los códigos de posición representan números racionales.

(16/12/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: FORSCHUNGSZENTRUM JULICH GMBH. Inventor/es: MANTL, SIEGFRIED.

LA INVENCION SE REFIERE A UNA ESTRUCTURA DE CAPAS CON UNA CAPA DE SILICIUROS QUE SE FORMA SOBRE UNA SUPERFICIE QUE CONTIENE SILICIO. LA FINALIDAD DE LA INVENCION ES REALIZAR UNA ESTRUCTURA DE CAPAS DE ESTA CLASE QUE ADMITA UNA APLICACION PARA FABRICAR COMPONENTES SIN LOS INCONVENIENTES RESULTANTES DEL ESTADO ACTUAL DE LA TECNICA. PARA CONSEGUIRLO, ES PRECISO QUE UNA PARTE COMO MINIMO DE LA CAPA DE SILICIUROS SE DISPONGA DESPLAZADA EN SENTIDO PERPENDICULAR FRENTE A LA PARTE RESTANTE DE LA CAPA DE SILICIUROS. DE ESTA MANERA PUEDEN REALIZARSE DIFERENTES COMPONENTES ELECTRONICOS CON UNA ESTRUCTURA DE CAPAS DE ESTA CLASE.

(16/03/2002). Solicitante/s: SONY CORPORATION. Inventor/es: NAKAMURA, MITSUHIRO-SONY CORPORATION, WADA, MASURA-SONY CORPORATION, UCHIBORI, CHIHIRO-DEPT. OF METAL SCIE. AND TECHN., MURAKAMI, MASANORI-DEP. OF METAL SCIE. ANDTECHN.

SE SUMINISTRA UNA ESTRUCTURA MULTIESTRATIFICADA PARA FABRICAR UN ELECTRODO OHMICO PARA SEMICONDUCTORES DE COMPUESTOS III - V TALES COMO SEMICONDUCTORES GAAS QUE TIENE CARACTERISTICAS PRACTICAMENTE SATISFACTORIAS Y UN ELECTRODO OHMICO OBTENIDO MEDIANTE LA MISMA. SOBRE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR DE UN COMPUESTO III - V TAL COMO UN SUBSTRATO GAAS DE TIPO N{SUP,+}, SE APILAN SECUENCIALMENTE UNA CAPA SEMICONDUCTORA DE CRISTAL NO SIMPLE TAL COMO UNA CAPA DE IN{SUB,0.7} GA{SUB,0.3} AS DE CRISTAL NO SIMPLE, UNA PELICULA DE METAL, TAL COMO UNA PELICULA DE NI, UNA PELICULA DE NITRURO DE METAL TAL COMO UNA PELICULA DE WN Y UNA PELICULA DE METAL REFRACTARIO TAL COMO UNA PELICULA DE W MEDIANTE SUBLIMACION METALICA, ETC. Y SUBSECUENTEMENTE SE MODELA MEDIANTE DESPEGUE, ETC. PARA EFECTUAR UNA ESTRUCTURA MULTIESTRATIFICADA PARA FABRICAR ELECTRODOS OHMICOS. LA ESTRUCTURA ES RECOCIDA ENTRE 500 Y 600 UNDO MEDIANTE, POR EJEMPLO EL METODO RTA PARA FABRICAR UN ELECTRODO OHMICO.

(16/06/2001). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, YU, CHEN-HUA DOUGLAS.

SE PRESENTA UN METODO PARA LA FORMACION DE TRANSISTORES QUE TENGAN ELEMENTOS SUBLITOGRAFICOS, POR EJEMPLO, COMPUERTAS. SE CREA UNA MASCARA DURA MODELADA (FORMADA, POR EJEMPLO, A PARTIR DE PETEOS) DE MODO QUE QUEDE SUPERPUESTA A UNAS CAPAS DE OXIDO Y DE POLISILICIO. LAS DIMENSIONES DE LA MASCARA DURA SE REDUCEN MEDIANTE ATAQUE ISOTROPICO. LA MASCARA DURA DE DIMENSIONES REDUCIDAS SE UTILIZA EN UN PROCESO DE ATAQUE ANISOTROPICO PARA DEFINIR UN ELEMENTO DE DIMENSIONES REDUCIDAS TAL COMO UNA COMPUERTA.

(16/04/1999). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHITTIPEDDI, SAILESH, COCHRAN, WILLIAM THOMAS, KELLY, MICHAEL JAMES.

SE REVELA UN METODO DE FORMACION DE UN TRANSISTOR. LAS TECNICAS DE FABRICACION CONVENCIONAL DIRIGEN UN RAYO ION DE IMPRESION HACIA UN SUSTRATO , SOBRE EL CUAL UN GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS DE BARRERA HAN SIDO YA FORMADAS . SI EL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS ESTA DEMASIADO BAJO EN RELACION CON LA ENERGIA DE RADIACION INCIDENTE, LAS ESPECIES DOPANTES PUEDEN SER CANALIZADAS A TRAVES DEL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS, AFECTANDO ADVERSAMENTE AL FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR. LA PRESENTE INVENCION PREVIENE DE LA CANALIZACION A TRAVES DEL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS MEDIANTE EL RECUBRIMIENTO DE LA BARRERA CON UNA CAPA PROTECTORA ANTES DE LA IMPRESION DEL ION. LA CAPA PROTECTORA ES UNA CAPA DE OXIDO, LA CUAL ESTA FORMADA TANTO EN EL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS, DONDE ES MAS ESPESA, COMO EN EL SUSTRATO.

(16/12/1998). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, YU, CHEN-HUA DOUGLAS.

SE DESCRIBE UN METODO DE FABRICACION SEMICONDUCTORA QUE SE PUEDE APLICAR A LA FORMACION DE CONTACTOS A FUENTES Y DESAGUES, ESPECIALMENTE EN APLICACIONES SRAM. SE FORMAN UN DIELECTRICO (POR EJEMPLO 127) Y UN CONDUCTOR DE POLISILICIO DE RECUBRIMIENTO (POR EJEMPLO 131) Y SE MODELAN EXPONIENDO UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR (POR EJEMPLO 123). SE DEPOSITA UNA CAPA DE SILICIURO (POR EJEMPLO 132), ESTABLECIENDO CONTACTO ASI CON LA CAPA DE POLISILICIO (POR EJEMPLO 131), Y EL SUSTRATO (POR EJEMPLO 123). LA POSTERIOR MODELACION DE LA CAPA DE SILICIO (POR EJEMPLO 132) USANDO UNA MASCARA DURA DE OXIDO PROPORCIONA CONTACTO ELECTRICO ENTRE LA CAPA DE POLISILICIO (POR EJEMPLO 131) Y EL SUSTRATO, SIN PELIGRO DE HACER SURCOS DENTRO DEL SUSTRATO (POR EJEMPLO 123).

(16/05/1997). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHITTIPEDDI, SAILESH, CHEN, MIN-LIANG, KOOK, TAEHO, POWELL, RICHARD ALLYN, KUMAR ROY, PRADIP.

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS QUE USAN TECNOLOGIA DE SEPARADOR LATERAL. LA PLACA BASE DE SEPARADORES DE ALTA CALIDAD, TALES COMO AQUELLOS QUE SE USAN SOBRE LOS LATERALES DE LA CADENA DE AISLADORES DE COMPUERTA DE DISPOSITIVOS SUBMICRONALES (POR EJEMPLO MOSFETS, EPROMS) SE FORMAN COMO ESTRUCTURAS MULTICAPA COMPUESTAS DE OXIDOS DE SILICIO O DE OXIDOS DE SILICIO Y NITRURO DE SILICIO.

(01/04/1997). Solicitante/s: BULL S.A.. Inventor/es: BOUDOU, ALAIN, BONNAL, MARIE-FRANCOISE, ROUILLON-MARTIN, MARTINE.

EL ESTADO DE CONDUCCION DE UN TRANSISTOR MOS 11 ESTA GOBERNADO DEFINITIVAMENTE POR UN HAZ LASER 21 FORMANDO ENTRE LA REJILLA 16 Y LA PARTE SUBYACENTE D DE LA REGION DEL EMISOR 14 O DEL COLECTOR 15, UNA CONEXION ELECTRICA 22. EL INVENTO SE APLICA ESPECIALMENTE A LA CORRECCION DE CIRCUITOS INTEGRADOS (RECONFIGURACION, REDUNDANCIA) Y EN LA PROGRAMACION DE LAS MEMORIAS MUERTAS INTEGRADAS.

(01/10/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, SUNG, JANMYE, LU, CHIH-YUAN.

SE DESCRIBE UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO SEMICONDUCTOR Y UN METODO DE FABRICACION. LA ESTRUCTURA INCLUYE UNA PUERTA FET (POR EJEMPLO, 18) CON ESPACIADORES DE PUERTA DE DOBLE O TRIPLE CAPA ADYACENTES (POR EJEMPLO, 21,23,19). LOS ESPACIADORES PERMITEN EL CORTE PRECISO DE LOS PERFILES DE UNION DE CANALES LIGERAMENTE BARNIZADOS QUE TIENEN PORCIONES DE UNION PROFUNDAS Y SUPERFICIALES. ADE,AS, PUEDE FORMARSE UN SILICIDO AUTO-ALINEADO (POR EJEMPLO, 51) SOLAMENTE SOBRE LA PORCION DE UNION PROFUNDA PRODUCIENDO ASI UNA CONEXION DE RESISTENCIA DE BAJO CONTACTO SEGURA PARA FUENTE Y CANAL.

(01/06/1994). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, LU, CHIH-YUAN, YANEY, DAVID STANLEY.

SE FORMA UNA COMPUERTA QUE TIENE UNA PARTE SUPERIOR AISLANTE Y ESPACIADORES LATERALES . UNA CAPA DE VENTANA CONDUCTORA SE DEPOSITA PARA EFECTUAR CONTACTO CON LAS REGIONES DE FUENTE Y DRENAJE . LA CAPA DE VENTANA PUEDE SUPERPONERSE A LA COMPUERTA Y/U OXIDO DEL CAMPO . UNA CAPA AISLANTE SE DEPOSITA A CONTINUACION Y SE FORMAN VENTANAS POR ENCIMA DE LAS PARTES EXPUESTAS DE LAS REGIONES DE FUENTE Y DRENAJE DE LA CAPA DE VENTANA. A TRAVES DE LAS VENTANAS SE CREAN CONTACTOS A LA CAPA DE VENTANA. ESTA PUEDE EMPLEARSE PARA FORMAR GUIAS CONDUCTORAS QUE UNEN UNA REGION FUENTE/DRENAJE CON OTRA, EN CUYO CASO NO TODAS ELLAS NECESITAN CONTACTO SEPARADO.

(01/03/1994). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: FEYGENSON, ANATOLY.

SE OBTIENE RESOLUCION SUBMICRO EN LA FABRICACION DE TRANSISTORES UTILIZANDO TECNICAS DE PARED LATERAL. EN LA TECNICA DESCRITA SE FORMA UNA ABERTURA CON UN ESPACIADOR DE PARED LATERAL DE NITRURO DE SILICIO EN UNA CAPA . SE FORMA OXIDO EN LA ABERTURA Y LUEGO EL ESPACIADOR DE PARED LATERAL SE ELIMINA PARA FORMAR UNA ABERTURA ANULAR, QUE PUEDE SER DE UNA AMPLITUD PEQUEÑA Y CONTROLADA CON PRECISION. LUEGO LA ABERTURA SE USA COMO UNA DEFENSA PARA POSTERIOR MODIFICACION DEL SUBSTRATO POR DIFUSION O IMPLANTACION DE IONES.

(01/04/1993). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.. Inventor/es: NATH, PREM, VOGELI, CRAIG.

UN DISPOSITIVO ELECTRONICO , DEL TIPO QUE INCLUYE UN CUERPO DE PELICULA ESTRECHA CON UN ELECTRODO SUPERPUESTO , Y QUE TIENE DEFECTOS DE CORTOCIRCUITO (32A, 32B), PASIVADOS MEDIANTE UN PROCESO DE CONVERSION EN EL QUE LA RESISTIVIDAD ELECTRICA DEL MATERIAL DEL ELECTRODO SE AUMENTA (42A, 42B) PROXIMA A LA DE LAS ZONAS DE DEFECTOS. LA CONVERSION SE ACOMPAÑA DE UNA EXPOSICION DEL MATERIAL DEL ELECTRODO A UN REACTIVO DE CONVERSION , Y DE UNA ACTIVACION DEL REACTIVO PROXIMO A LAS ZONAS DE DEFECTOS. EL PROCESO PUEDE SER UTILIZADO POR UNA GRAN VARIEDAD DE DISPOSITIVOS CONFIGURADOS DIFERENTEMENTE, Y PUEDE SER ADAPTADO RAPIDAMENTE PARA SU UTILIZACION EN EL PROCESO DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS CILINDRO A CILINDRO.

(16/11/1992). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: TSANG, WON-TIEN, CUNNINGHAM, JOHN EDWARD, SCHUBERT, ERDMANN F.

SE REIVINDICA UN METODO DE FABRICACION DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DONDE SOLO SE USAN DOS PASOS DE ENMASCARAMIENTO EN EL DESARROLLO DEL DISPOSITIVO.EL SEMICONDUCTOR ENCAPSULADO USADO EN EL PROCESO TIENE EN LA CARA SUPERIOR UN CONTACTO,EL CUAL NO SOPORTA TEMPERATURAS SUPERIORES A 200 C. LA PRIMERA MASCARA SE USA PARA CREAR UNA ESTRUCTURA DE MESA CONVENCIONAL LA CUAL AISLA CADA TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LOS ADYACENTES.UNA SEGUNDA MASCARA ES USADA PARA DEFINIR LA FUENTE Y ELECTRODOS Y TAMBIEN PARA CREAR UNA DEPRESION A TRAVES DE LA CUAL SE RALIZA LA ESTRUCTURA DE ELECTRODO EN PUENTE. USANDO UNA MASCARA PARA CREAR LA FUENTE , LOS ELECTRODOS Y LA ESTRUCTURA EN PUENTE,UNA GRAN TOLERANCIA DE CIERRE SE OBTIENE ENTRE LA ESTRUCTURA DE PUENTE, LA FUENTE Y LAS REGIONES DE DRENAJE.FIG 4 Y FIG 7.

(01/12/1987). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH CO..

MODIFICACIONES EN UN DISPOSITIVO TRANSISTOR MOS. CONSISTENTES EN: INCLUIR, EN EL TRANSISTOR UNA CAPA DILECTRICA DE LA PUERTA QUE CUBRE EL SEGUNDO PARA DE PAREDES LATERALES, Y UN ELECTRODO PUERTA DEL TRANSISTOR MOS QUE SE EXTIENDE A LO LARGO DEL SEGUNDO PAR DE PAREDES AL BORDE DE LA REGION DE LA FUENTE Y SUPERPONIENDOSE EL OTRO BORDE DEL ELECTRODO PUERTA AL BORDE DE LA REGION DEL DRENADOR; QUE EL SEMICONDUCTOR ES SILICIO; QUE EL ELECTRODO PUERTA ES POLISILICIO.

(16/11/1987). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY.

PROCEDIMIENTO PARA LA REALIZACION DE UN DISPOSITIVO TRANSISTOR MOS. COMPRENDE LAS ETAPAS DE FORMAR UN SURCO EN UNA SUPERFICIE DE SUSTRATO SEMICONDUCTOR, TENIENDO EL SURCO UN PAR DE PAREDES LATERALES OPUESTAS, UN PAR DE PAREDES EXTREMAS OPUESTAS Y UN FONDO; DE FORMAR UNA ESTRUCTURA DE PUERTA, EN EL SURCO, QUE SE EXTIENDE DESCENDIENDO DE UNA FORMA CONTINUA A LO LARGO DE UNA PARED LATERAL, A LO LARGO DEL FONDO Y ASCENDIENDO A LO LARGO DE LA OTRA PARED LATERAL, COMPRENDIENDO LA ESTRUCTURA DE LA PUERTA UNA CAPA DIELECTRICA Y UNA CAPA DE ELECTRODO SUPERPUESTA A LA CAPA DIELECTRICA; DE FORMAR UNA PRIMERA REGION DE IMPUREZA EN LAS REGIONES SUPERFICIALES DEL SURCO NO CUBIERTAS POR EL ELECTRODO PUERTA, PARA CREAR UN CONTACTO DE LA FUENTE CON LA REGION DE IMPUREZA, EN UN LADO DEL ELECTRODO PUERTA; Y DE FORMAR UN CONTACTO DEL DRENADOR CON LA REGION DE IMPUREZA EN EL OTRO LADO DEL ELECTRODO PUERTA.

(01/03/1987). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY.

MODIFICACIONES EN UNA ESTRUCTURA DE TRANSISTOR DE SEMICONDUCTOR DE OXIDO METALICO. CONSISTENTES EN: EXTENDER AL ELECTRODO DE ALIMENTACION DEL TRANSISTOR EN EL INTERIOR DE UNA CAVIDAD, PARA LLENARLA Y REBAJAR LA CAPA AISLANTE DE PARED LATERAL; TERMINAR AL ELECTRODO DE ALIMENTACION DEL TRANSISTOR EN UNA RELACION PRESELECCIONADA CON EL BORDE DE LA CAPA DE ELECTRODO DE PUERTA; CONFORMAR AL CUERPO SEMICONDUCTOR EN SILICIO; DOTAR A LA CAPA AISLANTE DE PUERTA CON DIOXIDO DE SILICIO; REALIZAR LA CAPA DE ELECTRODO DE PUERTA COMO SILICIO POLICRISTALINO; PRODUCIR A LA CAPA DE ELECTRODO DE ALIMENTACION EN UN SILICIURO METALICO; Y CONFORMAR A LA CAPA AISLANTE DE PARED LATERAL COMO DIOXIDO DE SILICIO.

(01/11/1985). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH CO.

PROCEDIMIENTOS PQARA PRODUCIR DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE OXIDO METALICO DE SILICIO.COMPRENDE LAS ETAPAS DE: A) FORMAR UNA REGION DE CANAL EN UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR DE UN PRIMER TIPO DE CONDUCTIVIDAD, TENIENDO DICHO SUBSTRATO UNA MESETA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR SOBRE SI; B) FABRICAR, PARA LA REDUCCION DE LA CAPACIDAD PARASTITA, UN ESPACIADOR DE MATERIAL AISLANTE EN CONTACTO CON LOS LADOS DE LA MESETA Y PORCIONES DE LAS SUPERFICIES EXPUESTAS DEL SUBSTRATO; C) IMPLANTAR PRIMEROS IONES DOPANTES POR LO MENOS EN LA SUPERFICIE EXPUESTA DEL SUBSTRATO; Y D) CALENTAR LA MESETA Y EL SUBSTRATO PARA DIFUNDIR LOS IONES DOPANTES EN EL SUBSTRATO, DEFINIENDO DE ESTE MODO LA REGION DELCANAL EN EL SUBSTRATO ENTRE REGIONES DE UN SEGUNDO TIPO DE CONDUCTIVIDAD, SIENDO LA REGION DEL CANAL VIRTUALMENTE COEXTENSIVA DE LA MESETA.

(16/10/1985). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE UN CIRCUITO INTEGRADO EN UNA SUPERFICIE DE UN CUERPO SEMICONDUCTOR. COMPRENDE UN SENSOR DE TRANSFERENCIA DE CUADRO (FT) CON UN GRAN NUMERO DE CANALES DE DISPOSITIVOS DE ACOPLAMIENTO DE CARGA QUE SE EXTIENDEN EN LA DIRECCION VERTICAL. EXISTE UNA PARTE DE REGISTRO (A) SOBRE LA QUE PUEDE PROYECTARSE UNA IMAGEN Y QUE PUEDE CONVERTIRSE EN PAQUETE DE CARGA. HAY UNA PARTE DE ALMACENAMIENTO DONDE PUEDE ALMACENARSE UN MOSAICO DE PAQUETES DE CARGA PUDIENDO ESTAR PROVISTA ESTA PARTE DE UNA CAPA DE APANTALLAMIENTO REFLECTANTE O ABSORBENTE.

(16/12/1980). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC..

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CAPAS DE OXIDO A PARTIR DE CAPAS DE COMPUESTOS DE LOS GRUPOS III-V QUE CONTIENEN A1. CONSTA DE LAS SIGUIENTES ETAPAS: 1) FORMACION DE UNA CAPA DE COMPUESTOS DE LOS GRUPOS III-V QUE CONTIENEN A1 SOBRE LA SUPERFICIE PRINCIPAL; EL CONTENIDO DE A1 CERCA DE LA SUPERFICIE PRINCIPAL ES MENOR QUE EN LA PARTE MAS ALEJADA. DICHA CAPA ES DE ALXGA1-XAS OSCILANDO X DE 0,35-0,40. 2) OXIDACION TERMICA DE LA CAPA DE CONTIENE A1 TERMINANDOSE LA OPERACION DE FORMA AUTOMATICA; ESTA OPERACION TIENE LUGAR EN PRESENCIA DE VAPOR DE AGUA Y EN UNA MEZCLA GASEOSA FLUIDA DE NITROGENO Y OXIGENO. OBTENCION DE CIRCUITOS INTEGRADOS.

(16/04/1976). Solicitante/s: N. V. PHILIPS'GLOEILAMPEMFABRIEKEN.

Resumen no disponible.

(16/12/1975). Solicitante/s: RCA CORPORATION.

Perfeccionamientos introducidos en marcos conductores para dispositivos semiconductores, siendo dichos marcos conductores del tipo formado a partir de una única lámina metálica continua, que comprende un marco exterior, una zona central de soporte de una pastilla semiconductora, y una pluralidad de dedos conductores, cada uno de los cuales tiene una parte de terminal cerca de dicha zona de soporte de la pastilla, caracterizados porque dicha zona de soporte de la pastilla y al menos dichas partes terminales de dichos conductores no son coplanarias.