FORMACION DE CONTACTOS EN SUSTRATOS SEMICONDUCTORES PARA DETECTORES DE RADIACION Y DISPOSITIVOS DE CREACION DE IMAGENES.
LA INVENCION SE REFIERE A UN METODO QUE ES ADECUADO PARA FORMAR UNOS CONTACTOS METALICOS (31) EN UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR (1) EN UNAS POSICIONES,
PARA DEFINIR LAS CELULAS DETECTORAS DE RADIACION, E INCLUYE LOS PASOS PARA FORMAR UNA O MAS CAPAS DE MATERIAL (11, 12) SOBRE UNA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, CON UNAS ABERTURAS (23) A LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO EN LAS POSICIONES DE CONTACTO; FORMAR UNA CAPA DE METAL (24) SOBRE LA CAPA(S) DE MATERIAL Y DE LAS ABERTURAS; Y EXTRAER EL METAL, EN LA CAPA(S) SUBYACENTE DE MATERIAL (28) PARA SEPARAR LOS CONTACTOS INDIVIDUALES. OPCIONALMENTE, UNA CAPA DE PASIVACION (11) QUE SE DEJA ENTRE LOS CONTACTOS INDIVIDUALES EN LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, SE PUEDE APLICAR DURANTE EL METODO. UN METODO, DE ACUERDO CON LA INVENCION, PREVIENE QUE SE USEN REACTIVOS PARA EXTRAER EL ORO NO DESEADO (U OTRA MATERIA DE CONTACTO) Y QUE ENTREN EN CONTACTO CON LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO (POR EJEMPLO, CDZNTE) Y CAUSEN UNA DEGRADACION DE LAS PROPIEDADES RESISTIVAS DEL SUSTRATO. SE DESCRIBE TAMBIEN EL PRODUCTO DEL METODO Y LOS USOS DEL MISMO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SIMAGE OY.
Nacionalidad solicitante: Finlandia.
Dirección: TEKNIIKANTIE 12,02150 ESPOO.
Inventor/es: SCHULMAN, TOM, GUNNAR, PYYHTIA, JOUNI, ILARI, SPARTIOTIS, KONSTANTINOS, EVANGELOS, ORAVA, RISTO, OLAVI, SARAKINOS, MILTIADIS, EVANGELOS, JALAS, PANU, YRJANA.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 26 de Noviembre de 1996.
Fecha Concesión Europea: 10 de Enero de 2001.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/28 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/268.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Mónaco, Irlanda, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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