METODO PARA FABRICAR UNA CAPA SOBRE UN SUBSTRATO.
UN METODO PARA FABRICAR UNA CAPA DE OXIDO TUNEL DE GRAN CALIDAD INCLUYE UN PROCESO DE OXIDACION EN DOS ETAPAS.
LA PRIMERA ETAPA DE OXIDACION CONSISTE EN OXIDAR UN SUBSTRATO EN UNA ATMOSFERA QUE CONTIENE OXIGENO Y NITROGENO A UNA TEMPERATURA DE 900 (GRADOS) C APROXIMADAMENTE, Y ASI ES UNA OXIDACION SIN HCL. LA SEGUNDA ETAPA DE OXIDACION SE LLEVA A CABO EN UNA ATMOSFERA QUE CONTIENE HCL Y ARGON A UNA TEMPERATURA DE 1050 (GRADOS) C APROXIMADAMENTE. LA PRIMERA ETAPA DE OXIDACION SE LLEVA A CABO A UNA TEMPERATURA EN EL INTERVALO DE TEMPERATURAS DEL FLUJO VISCOSO DEL OXIDO PARA EVITAR CUALQUIER DEFECTO FISICO DE LA FORMA DE LA CAPA DE OXIDO. LA SEGUNDA ETAPA DE OXIDACION SE LLEVA A CABO A UNA TEMPERATURA SUFICIENTE PARA PASIVAR CUALQUIER ION MOVIL EN LA CAPA DE OXIDO EN UNA ATMOSFERA QUE CONTIENE UN AGENTE ENGENDRADOR, POR EJEMPLO HCL. MEDIANTE ESTE PROCESO DE OXIDACION EN DOS ETAPAS SE FABRICA UNA CAPA DE OXIDO TUNEL QUE ES DE GRAN CALIDAD Y NO SE DETERIORA DURANTE LAS ETAPAS DE PROCESADO SUBSIGUIENTES LLEVADAS A CABO A TEMPERATURAS DE HASTA 1100 (GRADOS) C Y SUPERIORES.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ADVANCED MICRO DEVICES INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 901 THOMPSON PLACE P.O. BOX 3453, SUNNYVALE, CA 94088.
Inventor/es: IBOK, EFFIONG E.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 27 de Julio de 1994.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/28 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/268.
- H01L21/316 H01L 21/00 […] › compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.
- H01L21/82 H01L 21/00 […] › para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes.
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