CIP-2021 : H01L 33/14 : con una estructura de control de transporte de carga, p. ej.

capa semiconductora altamente dopada o estructura de bloqueo de corriente.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).

H01L 33/14 · · con una estructura de control de transporte de carga, p. ej. capa semiconductora altamente dopada o estructura de bloqueo de corriente.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Diodo de emisión de luz de GaN mejorado.

(22/07/2015) Diodo de emisión de luz a base de GaN, que comprende: un sustrato , una estructura de emisión de luz que comprende: una capa de revestimiento N , una región activa , y una capa de revestimiento P , una estructura de ventana sometida a crecimiento sobre dicha capa de revestimiento P , un electrodo N en contacto óhmico con dicha capa de revestimiento N , y un electrodo P en contacto óhmico con dicha capa de revestimiento P , en el que: dicha estructura de ventana comprende una capa externa delgada transparente y conductora que tiene una superficie expuesta con cuatro lados;…

Diodo de emisión de luz mejorado.

(10/09/2014) Ventana transparente adecuada para un montaje de diodo de emisión de luz (LED) semiconductor de AlGaInP, que comprende: una primera capa compuesta por un primer material semiconductor dopado p distinto de AlGaInP; una segunda capa formada sobre dicha primera capa y que consiste en un segundo material semiconductor dopado p distinto de AlGaInP y diferente del material semiconductor dopado p de dicha primera capa; una tercera capa formada sobre dicha segunda capa y que consiste en un material conductor amorfo; y un contacto metálico que pasa a través de una abertura en dichas segunda y tercera capas hasta dicha primera capa para formar conexiones óhmicas con dichas segunda y tercera capas y una conexión de diodo Schottky con dicha primera capa .