CIP-2021 : C30B 33/06 : Ensamblaje de cristales.
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C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 33/00 Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada (C30B 31/00 tiene prioridad).
C30B 33/06 · Ensamblaje de cristales.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Método para la fabricación de electrodos de nitruro de galio-indio para dispositivos electroquímicos.
(08/01/2020). Solicitante/s: UNIVERSITA DEGLI STUDI DI MILANO - BICOCCA. Inventor/es: NOETZEL,RICHARD, SANGUINETTI,STEFANO.
Método para la fabricación de electrodos, que comprende las etapas de:
a) depositar epitaxialmente nitruro de galio-indio (InGaN) en forma de una capa delgada sobre una superficie de un sustrato de silicio exponiendo una cara de cristal , de tal modo que la capa de InGaN crece epitaxialmente a lo largo del eje c y, en consecuencia, expone el plano c;
b) separar el depósito de InGaN del sustrato;
c) fragmentar el depósito de InGaN;
d) transferir los fragmentos de InGaN obtenidos de este modo sobre un soporte conductor con una estructura unidimensional, bidimensional o tridimensional.
PDF original: ES-2784436_T3.pdf