(01/10/1996). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: TAKEHARA, NOBUYOSHI, TSUZUKI, KOJI.

UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO TIENE UNA LAMINA DE CONVERSION FOTOELECTRICA Y UN ELECTRODO COLECTOR FORMADOS POR EL TRATAMIENTO DE UNA PASTA QUE TIENE AL MENOS UNA SUSTANCIA BASE ELECTROCONDUCTORA Y UNA RESINA TRATABLE SOBRE LA LAMINA DE CONVERSION FOTOELECTRICA.EL PESO MOLECULAR MEDIO DE UNA RESINA TRATABLE ES DE 3000 O MENOS.

(01/02/1996). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN VITRAGE. Inventor/es: SHIRADO, KYUICHI, KAWAHARA, HIDEO, MIZONOU, MASARO.

EL INVENTO SE REFIERE A LAMINAS DE CRISTAL QUE LLEVAN CAPAS DE OXIDOS METALICOS TRANSPARENTES. EL SUBSTRATO, SEGUN EL INVENTO, CONSTA DE UN SOPORTE DE VIDRIO, UNA PRIMERA CAPA, DENOMINADA SUBCAPA, TRANSPARENTE, ELECTROCONDUCTORA DE OXIDO METALICO Y UNA SEGUNDA CAPA TRANSPARENTE, DENOMINADA SOBRECAPA, CUYO COMPONENTE PRINCIPAL ES EL OXIDO DE ESTAÑO, NO CONSTANDO PRACTICAMENTE DE FLUOR Y CUYO CONTENIDO EN CLORO ES INFERIOR AL 0,1% EN PESO. APLICACION EN DISPOSITIVOS OPTO-ELECTRONICOS.

(01/07/1987). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..

MODIFICACIONES EN UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO. CONSISTENTES EN UN CUERPO SEMICONDUCTOR QUE INCLUYE UNA PLURALIDAD DE CELULAS FOTOVOLTAICAS (12A, 12B, 12C), HABIENDOSE PREVISTO BAJO LA CELULA (12A) UN SUSTRATO TAL COMO UNA LAMINA DE ACERO INOXIDABLE ELECTRICAMENTE CONDUCTOR; INCLUYENDO CADA UNA DE LAS CELULAS (12A, 12B, 12C) UN CUERPO SEMICONDUCTOR QUE CONTIENE UNA ALEACION DE SILICIO Y CADA UNO DE LOS CUERPOS DE ALEACION INCLUYE UNA REGION O CAPA (16A, 16B, 16C), UNA REGION O CAPA INTRINSECA (18A, 18B, 18C), Y UNA REGION O CAPA (20A, 20B, 20C) SIENDO LA CELULA (12B) UNA CELULA INTERMEDIA A LA QUE PUEDEN AÑADIRSE CELULAS INTERMEDIAS ADICIONALES. TIENE APLICACIONES EN EL CAMPO DE LA ELECTRICIDAD.

(16/02/1987). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..

DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO. COMPRENDE: UN SUSTRATO CONDUCTOR DE ELECTRICIDAD ; UN CUERPO SEMICONDUCTOR DEPOSITADO SOBRE EL SUSTRATO; UNA CAPA CONDUCTORA DE LA ELECTRICIDAD , COLECTORA DE CORRIENTE Y TRANSPARENTE, SITUADA SOBRE EL CUERPO SEMICONDUCTOR ; Y UNA ESTRUCTURA DE REJILLA QUE MANTIENE UN CONTACTO ELECTRICO CON LA CAPA COLECTORA DE CORRIENTE, PARA COLECTAR Y CONDUCIR LA CORRIENTE GENERADA POR EL DISPOSITIVO; INCLUYENDO LA REJILLA UNA BARRA COLECTORA QUE SE INTERCONECTA ELECTRICAMENTE CON MULTIPLES UÑAS COLECTORAS DE CORRIENTE QUE SE INTERCONECTAN RESISTIVAMENTE CON LA BARRA COLECTORA . TIENE APLICACION EN PILAS FOTOVOLTAICAS DE GRAN AREA.

(16/10/1985). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..

UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR. INCLUYE UN PRIMER ELECTRODO UN CUERPO SEMICONDUCTOR ACTIVO EN LA PARTE SUPERIOR DEL PRIMER ELECTRODO UN SEGUNDO ELECTRODO EN LA PARTE SUPERIOR DEL CUERPO SEMICONDUCTOR Y POR LO MENOS UNA REGION DE DEFECTO QUE ES CAPAZ DE PROPORCIONAR UNA TRAYECTORIA DE DERIVACION DE BAJA RESISTENCIA PARA EL FLUJO DE CORRIENTE ELECTRICA ENTRE LOS ELECTRODOS DEL DISPOSITIVO. TIENE TAMBIEN UNA CAPA PROTECTORA TRANSPARENTE CONTINUA OPERANTEMENTE DISPUESTA ENTRE EL CUERPO SEMICONDUCTOR Y UNO DE LOS ELECTRODOS DEL DISPOSITIVO.

(16/03/1985). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..

METODO PARA FABRICAR UNA CINTA LAMINADA LIGERA Y CONTINUA QUE CONTIENE CELULAS SOLARES DE GRAN AREA, ENCAPSULADAS, SEPARADAS E INTERCONECTADAS ELECTRICAMENTE A PARTIR DE UN ROLLO ALARGADO DE UN MATERIAL DE CELULAS O CELDAS SOLARES.COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, SE MOVILIZA EL MATERIAL DE CELDAS SOLARES DE UNA ESTACION DE DESENROLLAMIENTO, A TRAVES DE MULTIPLES ESTACIONES FUNCIONALES; SEGUNDA, SE INTERCONECTAN ELECTRICAMENTE LAS CELDAS SOLARES ADYACENTES, DE GRAN AREA, EN UNA DE LAS ESTACIONES FUNCIONALES, DE MANERA QUE SE OBTENGA UNA CINTA LAMINADA CONTINUA; Y POR ULTIMO, SE SUJETAN MULTIPLES DISPOSITIVOS DE CONTACTO A CADA CELDA SOLAR DE GRAN AREA.

(01/12/1982). Solicitante/s: WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION.

METODO DE FABRICAR UNA ESTRUCTURA DE PILA SOLAR PROVISTA DE REJILLA. SE FORMA UNA PILA DE PELICULA DELGADA, QUE INCLUYE UNA CAPA SUPERIOR DE SULFURO CUPROSO FORMADA SOBRE UNA BASE DE SULFURO DE CADMIO, Y QUE TIENE UNA REJILLA METALICA APLICADA SOBRE LA SUPERFICIE DEL SULFURO CUPROSO. SE CUECE LA PILA ENREJILLADA PARA FORMAR UNA REGION RESISTIVA, ELECTRICAMENTE AISLANTE, DENTRO DE LA BASE DE SULFURO DE CADMIO. SE SEPARA LA CAPA DE SULFURO CUPROSO NO CUBIERTA POR LA REJILLA METALICA. SE SEPARA LA REGION CDS:CU NO CUBIERTA POR LA REJILLA METALICA PROPORCIONANDO ZONAS DE SULFURO DE CADMIO DESCUBIERTAS Y SE FORMA UNA CAPA DE SULFURO CUPROSO SOBRE TODAS LAS ZONAS NO CUBIERTAS POR LA REJILLA METALICA.

(01/05/1982). Solicitante/s: SES, INCORPORATED.

PILA FOTOVOLTAICA. ESTA CONSTITUIDA POR UN SUSTRATO DE SOPORTE DE VIDRIO, MATERIAL CERAMICO, ETC.; UN PRIMER ELECTRODO ELECTRICAMENTE CONDUCTOS; UNA PELICULA DE SULFURO DE CADMIO; OTRA PELICULA DE SULFURO CUPROSO FORMANDO CON LA ANTERIOR UNA UNION "P-N"; UNA CAPA QUE CONTIENE CROMO Y OTRA QUE CONTIENE COBRE Y QUE TIENE LA FUNCION E ELECTRODO COLECTOR.

(01/01/1982). Solicitante/s: SES, INCORPORATED.

VARIANTE INTRODUCIDA EN UNA PILA FOTOVOLTAICA. LA VARIANTE INTRODUCIDA CONSISTE EN APLICAR UNA PELICULA DE CROMO A LA CAPA DE SULFURO DE COBRE ANTES DE LA ADICION DE UN ELECTRODO COLECTOR . LA PILA FOTOVOLTAICA QUEDA ENTONCES CONSITUIDA POR UNA PRIMERA CAPA DE SULFURO DE CADMIO EN CONTACTO OHMICO CON EL ELECTRODO , UNA SEGUNDA CAPA DE SULFURO CUPROSO EN CONTACTO CON LA ANTERIOR Y FORMANDO UNA UNION P-N CON ELLA, LA TERCERA CAPA SELECCIONADA DEL GRUPO CONSTITUIDO POR UNA PELICULA DE CROMO, UNA PELICULA QUE CONTIENE CROMO, SOBRE LA QUE SE DESPOSITA UNA QUE CONTIENE COBRE Y UNA QUE CONTIENE MEZCLA DE CROMO Y COBRE; POR ULTIMO, UN SEGUNDO ELECTRICAMENTE CONDUCTOR EN CONTACTO OHMICO CON LA TERCERA PELICULA.