CIP-2021 : G11C 5/14 : Disposiciones para la alimentación.

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G FISICA.

G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.

G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597).

G11C 5/00 Detalles de memorias cubiertos por el grupo G11C 11/00.

G11C 5/14 · Disposiciones para la alimentación.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Sistema y método para el control de múltiples reguladores de tensión.

(25/03/2020) Una unidad de gestión de energía , que comprende: un circuito de control digital operativo para generar primero y segundo valores de tensión (logic_vsel, mem_vsel) que están configurados para aumentar gradualmente durante una transición desde un primer punto de rendimiento operativo "OPP" a un segundo OPP, cada OPP especifica valores objetivo para las correspondiente primera y segunda tensiones de suministro (Vlógica, Vmemoria), en respuesta a una selección del segundo OPP comunicado a la unidad de gestión de energía ; y primer y segundo reguladores de tensión (16a, 16b) operativos para convertir los…

Esquema de doble alimentación en el circuito de memoria.

(01/03/2019) Un dispositivo de memoria de semiconductor de doble voltaje que comprende: una pluralidad de controladores de escritura (105a-c) que reciben señales de entrada de datos de bajo voltaje y, en respuesta, que escriben valores de datos de nivel de bajo voltaje en un núcleo de memoria; un cambiador de nivel configurado para cambiar un nivel de una señal de dirección de un nivel de bajo voltaje a un nivel de voltaje más alto (313a-313c); un descodificador configurado para descodificar la señal de dirección de nivel cambiado para proporcionar una señal de línea de palabras de nivel cambiado de voltaje más alto que activa las células de…

Métodos y sistemas para gestión de datos de memoria no volátil.

(09/01/2019) Un sistema, que comprende: una primera matriz de memoria no volátil resistiva ; una segunda matriz de memoria no volátil basada en transistores ; y un controlador de memoria configurado para: leer bits de datos almacenados en la primera matriz de memoria no volátil resistiva ; escribir los bits de datos leídos de la primera matriz de memoria no volátil resistiva y un bit indicador en la segunda matriz de memoria no volátil basada en transistores , indicando el bit indicador si bits de datos almacenados en la segunda matriz de memoria no volátil basada en transistores son válidos; determinar si el bit indicador es válido en respuesta a un encendido del sistema después de un evento de alta temperatura,…

Borne seleccionable por el usuario para conexión de regulador interno a un condensador externo de filtro/estabilización y prevención de sobrecorriente entre los mismos.

(10/12/2015) Un dispositivo de circuito integrado que tiene un regulador interno de la tensión y varias conexiones externas seleccionables , en el que al menos se selecciona una de las cuales para acoplar una salida del regulador interno de la tensión con un condensador externo , comprendiendo dicho dispositivo de circuito integrado: un circuito (110a, b, c) de conmutación configurado para seleccionar una de la pluralidad de conexiones externas seleccionables y acoplar la salida del regulador interno de la tensión con la seleccionada de la pluralidad de conexiones externas , estando configurada la seleccionada de la pluralidad de conexiones externas para acoplarse con el condensador…

Circuito integrado con tensión de alimentación independiente para la memoria que es diferente de la tensión de alimentación del circuito lógico.

(23/04/2013) Un circuito integrado que comprende: al menos un circuito lógico alimentado por una primera tensión de alimentación; y al menos un circuito de memoria acoplado al circuito lógico y alimentado por una segundatensión de alimentación, y en el que el circuito de memoria está configurado para ser accedido enrespuesta al circuito lógico incluso en un caso en que la primera tensión de alimentación seainferior a la segunda tensión de alimentación durante su utilización, y en el que el circuito de memoria comprende circuitería de desplazamiento de nivel configurada para señales de desplazamientode nivel entre un primer dominio de tensión correspondiente a la primera tensión de alimentación…

CIRCUITO PARA GENERAR TENSIONES NEGATIVAS.

(16/01/2002) LA INVENCION SE REFIERE A UN CIRCUITO PARA GENERAR TENSIONES NEGATIVAS, QUE COMPRENDE UN PRIMER TRANSISTOR (TX2), CUYO PRIMER TERMINAL ESTA CONECTADO A UN TERMINAL DE ENTRADA (E), Y CUYO SEGUNDO TERMINAL VA CONECTADO A UN TERMINAL DE SALIDA (A) DEL CIRCUITO, Y CUYO TERMINAL DE PUERTA VA CONECTADO A UN PRIMER TERMINAL DE IMPULSO DE RELOJ, A TRAVES DE UN PRIMER CONDENSADOR (CB2). EL CIRCUITO COMPRENDE ADEMAS UN SEGUNDO TRANSISTOR (TY2), CUYO PRIMER TERMINAL VA CONECTADO AL TERMINAL DE PUERTA DEL PRIMER TRANSISTOR (TX2), CUYO SEGUNDO TERMINAL SE ENCUENTRA CONECTADO AL SEGUNDO TERMINAL DEL PRIMER TRANSISTOR (TX2), Y CUYO TERMINAL DE PUERTA ESTA CONECTADO AL PRIMER TERMINAL DEL PRIMER TRANSISTOR (TX2). ADEMAS, EL…

CIRCUITO DE REGULACION DE TENSION DE PROGRAMACION, PARA MEMORIAS PROGRAMABLES.

(16/09/1995). Solicitante/s: GEMPLUS CARD INTERNATIONAL. Inventor/es: KOWALSKI, JACEK.

LA INVENCION CONCIERNE A LOS CIRCUITOS PARA PRODUCIR UNA TENSION VPP A PARTIR DE UNA ALIMENTACION MAS PEQUEÑA VCC. TALES CIRCUITOS SON UTILES POR EJEMPLO PARA PRODUCIR LA TENSION DE PROGRAMACION DE LAS CELDILLAS DE UNA MEMORIA ELECTRICAMENTE PROGRAMABLE. SEGUN LA INVENCION, EL CIRCUITO INCLUYE UNA BOMBA DE CARGA (PMP), UN REGULADOR (REG) PARA INTERRUMPIR EL FUNCIONAMIENTO DE LA BOMBA DE CARGA CUANDO LA TENSION VPP SOBREPASA A UNA TENSION PREDETERMINADA (VPPO), Y ADEMAS LOS ELEMENTOS SIGUIENTES: UN MEDIO (T1) PARA INTERRUMPIR EL CONSUMO DE CORRIENTE DEL REGULADOR CUANDO EL FUNCIONAMIENTO DE LA BOMBA DE CARGA ES INTERRUMPIDO; Y UN CIRCUITO DE CONTROL (CTRL) PARA VIGILAR EN TAL CASO LA TENSION VPP Y VERIFICAR QUE NO DESCIENDA MAS DE UN PEQUEÑO VALOR DV POR DEBAJO DE VPPO. ESTE CIRCUITO VUELVE A PONER EN MARCHA A LA VEZ LA BOMBA DE CARGA Y LA ALIMENTACION DE CORRIENTE DEL REGULADOR. SE PUEDE ASI REDUCIR CONSIDERABLEMENTE EL CONSUMO DE CORRIENTE DEL CIRCUITO DE PRODUCCION DE VPP.

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