CIP-2021 : H01L 29/87 : Diodos tiristor, p. ej. diodos Schockley, diodos de transición conductora (break-over diodes).
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/87 · · · · Diodos tiristor, p. ej. diodos Schockley, diodos de transición conductora (break-over diodes).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo semiconductor de baja capacitancia.
(02/05/2018). Solicitante/s: LITTELFUSE, INC.. Inventor/es: RODRIGUES,RICHARD A.
Dispositivo de protección contra sobretensión del tipo que presenta un chip semiconductor de cuatro capas y por lo menos dos terminales, en el que la conducción se produce desde una cara de dicho chip hasta una cara opuesta de dicho chip cuando se aplica al dispositivo una tensión que supera un voltaje de transición conductiva, comprendiendo el dispositivo de protección contra sobretensión:
una o más zonas enterradas de dopante formadas en una superficie de una capa semiconductora de dicho dispositivo de protección contra sobretensión, comprendiendo cada una de dichas zonas enterradas dos zonas semiconductoras unidas por una unión PN, y definiendo una concentración de impurezas de dichas zonas enterradas en parte el voltaje de transición conductiva de dicho dispositivo de protección contra sobretensión; y
una capa epitaxial de material semiconductor formada sobre dicha capa semiconductora para cubrir dichas zonas enterradas.
PDF original: ES-2674724_T3.pdf
COMPONENTE LIMITADOR DE CORRIENTE Y PROCEDIMIENTO DE REALIZACION.
(16/02/2000). Solicitante/s: FERRAZ SOCIETE ANONYME CENTRO NACIONAL DE MICROELECTRONICA - CSIC. Inventor/es: MILLAN, JOSE, GODIGNON, PHILIPPE, DE PALMA, JEAN-FRANCOIS, DESHAYES, RENE, FERNANDEZ, JUAN.
COMPONENTE LIMITADOR DE CORRIENTE CONSTITUIDO POR UNA BARRE DE SILICIO DOPADO EN CUATRO CAPAS . LAS CARACTERISTICAS DE DOPAJE Y LAS CARACTERISTICAS DIMENSIONALES DE ESTE COMPONENTE ESTAN AJUSTADAS PARA OBTENER UNA CARACTERISTICA I (V) QUE PRESENTA UNA PARTE (C1) EN FORMA DE CARACTERISTICA DE DIODO EN DIRECTO, SEGUIDO POR UNA PARTE (C2) QUE CONSTITUYE UN COJINETE DE LIMITACION DE CORRIENTE.
ESTRUCTURA Y CIRCUITO DE PROTECCION QUE COMPRENDE UN RECTIFICADOR DE SILICIO MANDADO CON TENSION DE DISPARO REDUCIDA.
(16/10/1997). Solicitante/s: SARNOFF CORPORATION SHARP CORPORATION. Inventor/es: AVERY, LESLIE, RONALD 565 KINGWOOD-LOCKTOWN ROAD.
SE PRESENTA UN DISPOSITIVO DE VOLTAJE DE BAJA RUPTURA PARA PROTEGER UN CIRCUITO INTEGRADO DE UNA ENERGIA TRANSITORIA. ESTE DISPOSITIVO SUMINISTRA UN SCR QUE TIENE UN VOLTAJE DE DISPARO REDUCIDO COMPATIBLE CON LOS PROCESADORES SUBMICRONICOS DE FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS. TAMBIEN SE PRESENTA UN CIRCUITO DE PROTECCION SCR DE VOLTAJE DE RUPTURA.