CIP-2021 : C30B 25/04 : Depósito según una configuración determinada, p. ej. utilizando mascarillas.
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C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor.
C30B 25/04 · · Depósito según una configuración determinada, p. ej. utilizando mascarillas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Preparación de material semiconductor de cristal individual usando una plantilla nanoestructural.
(03/07/2019). Solicitante/s: Nanogan Limited. Inventor/es: WANG,WANG NANG.
Un procedimiento para crear nanoestructuras de semiconductor, el cual comprende los pasos de:
(a) proporcionar un material de plantilla que comprende una capa de material semiconductor y un sustrato;
(b) crear una máscara encima del material de plantilla;
y
(c) usar la máscara para formar al menos una nanoestructura en el material de plantilla; las nanoestructuras se forman mediante decapado del material de plantilla, donde el paso (b) incluye depositar una capa de material dieléctrico sobre el material de plantilla, y donde una capa de metal se aplica sobre la capa de material dieléctrico.
PDF original: ES-2744818_T3.pdf
METODO PARA LA FABRICACION DE MONOCRISTALES GRANDES.
(16/02/1997). Solicitante/s: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Inventor/es: VICHR, MIROSLAV, HOOVER, DAVID SAMUEL.
SE DESCRIBE UN METODO PARA PRODUCIR GRANDES CRISTALES INDIVIDUALES.SE PRODUCE UN CRISTAL INDIVIDUAL DE DIAMANTE DE GRADO ELECTRONICO CON UN GROSOR DE 100-1000 MICRONES Y UN AREA SUSTANCIALMENTE MAYOR DE 1 CM2 Y QUE TIENE UNA ALTA PERFECCION CRISTALINA, QUE PUEDE SER UTILIZADO EN APLICACIONES MECANICAS OPTICAS ,ELECTRONICAS U OTRAS.UNA LAMINA DE DIAMANTE CRISTALINO SE DEPOSITA PRIMERO SOBRE UN CRISTAL PRINCIPAL EN GRANO Y LAS LAMINAS DE DIAMANTE RESULTANTES SE PUEDEN SEPARAR DEL CRISTAL EN GRANO POR MEDIOS FISICOS MECANICOS Y QUIMICOS.EL CRISTAL PRINCIPAL PUEDE RESTAURARSE POR CRECIMIENTO EPITAXIAL CON SU USO REPETIDO COMO CRISTAL EN GRANO EN POSTERIORES OPERACIONES.SE PUEDE LOGRAR UN GRAN CRISTAL PRINCIPAL DE DIAMANTE EN GRANO AL COMBINAR LOS PEQUEÑOS CRISTALES EN GRANO ORIENTADOS POR FUSION EPITAXIAL LATERAL.DESDE AQUI NO HAY LIMITE DE VECES EN QUE SE PUEDEN REPETIR LOS PASOS DE COMBINACION DEL CRISTAL.SE PUEDEN FABRICAR GRANDES SECTORES DE DIAMANTE COMPARABLES EN TAMAÑO A LOS DE SILICONA.
PROCEDIMIENTO PARA FORMAR UNA CAPA EPITAXIAL DE UN MATERIAL SOBRE UNA SUPERFICIE DE UN SUBSTRATO.
(01/06/1978). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED.
Resumen no disponible.