CIP-2021 : C23C 16/24 : Deposición solamente de silicio.
CIP-2021 › C › C23 › C23C › C23C 16/00 › C23C 16/24[2] › Deposición solamente de silicio.
Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/24 · · Deposición solamente de silicio.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
UN PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE SILICIO POLICRISTALINO.
(16/03/1979). Solicitante/s: RHONE-POULENC INDUSTRIES.
Un procedimiento de fabricación de silicio policristalino por reducción de un compuesto de silicio en estado gaseoso por el zinc, caracterizado por el hecho de que se utiliza el zinc en estado líquido y al menos un metal en estado líquido seleccionado entre el grupo que comprende: el estaño, el plomo, el oro, la plata, el antimonio y el bismuto, seleccionándose las condiciones operatorias de tal modo que el compuesto de zinc formado durante la reacción se encuentre en estado gaseoso.
METODO DE FABRICAR PILAS SOLARES.
(01/11/1977). Solicitante/s: NATIONAL AERONAUTICS AND SPACE ADMINISTRATION.
Resumen no disponible.
PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCIÓN DE SILICIO EXTRA-PURO.
(16/05/1960). Solicitante/s: PECHINEY, COMPAGNIE DE PRODUITS CHIMIQUES ET ELECTROMETALLURGIQUES.
Procedimiento par ala obtención de silicio extra-puro, caracterizándose porque se efectúan sobre soportes depósitos de silicio extra-puro, compactos y voluminosos, fácilmente separables del soporte, dotando previamente a este soporte de un revestimiento continuo y regular de un material de elevada pureza y descomponiendo después al contacto de este soporte un compuesto siliciado muy puro en fase de vapor.