CIP-2021 : H01S 3/06 : Construcción o forma del medio activo.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO.
H01S 3/00 Láseres, es decir, dispositivos que utilizan la emisión estimulada de la radiación electromagnética en el rango de infrarrojos, visible o ultravioleta (láseres de semiconductores H01S 5/00).
H01S 3/06 · · Construcción o forma del medio activo.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
AMPLIFICADOR OPTICO DE FIBRA MULTIPLE.
(01/12/1994). Solicitante/s: ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: HEIDEMANN, ROLF, DR..
UN AMPLIFICADOR OPTICO DE FIBRA, CUYA ENTRADA Y SALIDA DE SEÑAL ESTA UNIDO A UN MONODEFASER PARA 1536 NM DE UNA LUZ PILOTO POSEE DOS O MAS PASOS DE AMPLIFICADORES (11, 12...1 SUB N) CONECTADOS EN CASCADA DE UNA LUZ PILOTO DE UNA PIEZA DE FIBRA AMPLIFICADO (31, 32 ...3 SUB N), LA CUAL ESTA DOTADA DE, AL MENOS, LANTHANOID, DE UN ACOPLADOR DIRECCIONAL DE LAS LONGITUD DE LA ONDA SELECTIVA Y DE UNA FUENTE DE LUZ DE BOMBEO (51, 52, ...5 SUB N) EN EL TRANSCURSO DE LA LUZ PILOTO, EL FINAL EXTERIOR Y LATERAL DE LA PIEZA DE FIBRA DE UN PASO DE AMPLIFICADOR ESTA UNIDO A LA ENTRADA DEL ACOPLADOR DIRECCIONAL DEL SIGUIENTE PASO DE AMPLIFICADOR. LAS PIEZAS DE FIBRA (31, 32 ...3 SUB N) DE CADA PASO DE AMPLIFICADOR (11, 12...1 SUB N) SON DIFERENTES EN LO TOCANTE A SU LONGITUD Y/O DOTACION Y/O MATERIAL BASE PARA ALCANZAR UNA AMPLIFICACION MAXIMA EN LONGITUDES DE ONDA DIFERENTES. UN AMPLIFICADOR OPTICO DE FIBRA OFRECE UNA AMPLIFICACION EVENTUALMENTE CONSTANTE POR MEDIO DE UN ANCHO CAMPO DE LONGITUD DE LA ONDA.
MICROLASER DE ESTADO SOLIDO.
(16/11/1994). Solicitante/s: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Inventor/es: MOORADIAN, ARAM.
SE DISPONE UN MEDIO DE GANANCIA DE ESTADO SOLIDO ENTRE DOS ESPEJOS PARA FORMAR UNA CAVIDAD RESONANTE, LA LONGITUD DE LA CAVIDAD SE SELECCIONA DE FORMA QUE LA ANCHURA DE LA BANDA DE GANANCIA DEL MEDIO DE GANANCIA SEA MENOR QUE LA SEPARACION DE LA FRECUENCIA DE LOS MODOS DE LA CAVIDAD. SELECCIONANDO LA LONGITUD DE ESTA CAVIDAD, SOLO UN MODO LONGITUDINAL UNICO OSCILARA CUANDO EL LASER OPERE EN UN MODO TRANSVERSAL UNICO. EL MICROLASER ES BOMBEADO OPTICAMENTE POR CUALQUIER FUENTE APROPIADA COMO UN LASER DE INYECCION SEMICONDUCTOR O SISTEMA LASER. EL MEDIO DE GANANCIA ADECUADO ES GRANATE DE ALUMINIO-YTRIO-NEOMIDIO Y PENTAFOSFATO DE NEODIMIO.
AMPLIFICADOR OPTICO DE FIBRA OPTICA IMPURIFICADA CON ERBIO.
(01/11/1994). Solicitante/s: ALCATEL N.V.. Inventor/es: CHESNOY JOSE, MARCEROU, JEAN-FRANCOIS, FEVRIER, HERVE, AUGE, JACQUES.
AMPLIFICADOR OPTICO DE FIBRA OPTICA IMPURIFICADA CON ERBIO. AMPLIFICADOR OPTICO DE FIBRA OPTICA IMPURIFICADA CON ERBIO, APLICADO EN PARTICULAR EN LA AMPLIFICACION DE SEÑALES EN EL CAMPO ESPECTRAL COMPRENDIDO ENTRE 1,5 Y 1,6, QUE COMPRENDE MEDIOS DE BOMBEO OPTICO, CARACTERIZADO POR EL HECHO DE QUE DICHOS MEDIOS DE BOMBEO OPTICO COMPRENDEN AL MENOS UNA PRIMERA FUENTE (P1) QUE EMITE AL MENOS EN UNA LONGITUD DE ONDA COMPRENDIDA EN EL CAMPO ESPECTRAL 0,98 (MAS MENOS) 0,04 M.
LASER DE ENREJADO CON BOMBEO OPTICO POR FUENTE DE PLACA DE EMISION ESTRECHA.
(01/09/1994). Solicitante/s: LASERDOT. Inventor/es: CABARET, LOUIS, GIRARD, GENEVIEVE, PINSON, PIERRE, DE SAXCE, THIBAUT.
DIODOS LASER DE BOMBEO SE SITUAN ALREDEDOR DE UN TUBO REFLECTOR QUE TIENE VENTANAS ESTRECHAS ENFRENTE DE PLACAS DE EMISION DE ESTOS DIODOS Y QUE DEJA UN INTERVALO ANULAR ALREDEDOR DE UN ENREJADO DE BOMBEAR . UN LIQUIDO DE REFRIGERACION RECORRE ESTE INTERVALO. LA INVENCION SE APLICA ESPECIALMENTE AL BOMBEO OPTICO DE UN ENREJADO YAG.
AMPLIFICADOR DEL PODER OPTICO CON FIBRA ACTIVA DOPADA.
(01/09/1994). Solicitante/s: PIRELLI CAVI S.P.A.. Inventor/es: GRASSO, GIORGIO, RIGHETTI, ALDO, MELI, FAUSTO.
LA INVENCION TRATA DE UN AMPLIFICADOR DEL PODER OPTICO, ESPECIALMENTE ADECUADO PARA LAS LINEAS DE TELECOMUNICACION CON FIBRAS OPTICAS, DEL TIPO DE LAS QUE LLEVAN UNA FIBRA ACTIVA DOPADA CON UNA SUSTANCIA FLUORESCENTE, PRINCIPALMENTE ERBIO, BOMBEADA CON UNA BOMBA LASER CON SALIDA A UNA LONGITUD DE ONDA DE 980 NM, EN LA CUAL, LA FIBRA ACTIVA CONTIENE AL SUB 2 O SUB 3 COMO DOPADA MODIFICADOR DEL INDICE DE REFRACCION; EL AMPLIFICADOR PRESENTA UN PODER DE AMPLIFICACION ESPECIALMENTE ELEVADO, A LA MAXIMA EFICIENCIA.
(16/08/1994). Solicitante/s: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY. Inventor/es: ARMITAGE, JONATHAN, RICHARD, MILLAR, COLIN ANDERSON.
EL INVENTO ESTA RELACIONADO CON LOS SISTEMAS LASER DEL TIPO COMPUESTO POR AMPLIFICADORES DE FIBRA OPTICA. UN SISTEMA LASER COMPRENDE UN PRIMER LASER Y UN SEGUNDO LASER . EL SEGUNDO LASER SE IMPULSA A UNA PRIMERA LONGITUD DE ONDA 1 Y SE LE ACTIVA A UNA SEGUNDA LONGITUD DE ONDA 2. EL PRIMER LASER TIENE BANDAS DE ABSORCION A 1 Y 2. LA SALIDA 2 DEL LASER Y EL IMPULSO RESIDUAL A 1 SE ACOPLAN, Y SE UTILIZAN AMBOS PARA IMPULSAR EL PRIMER LASER , HACIENDO ASI QUE EL LASER EMITA A UNA TERCERA LONGITUD DE ONDA 3.
(16/08/1994). Solicitante/s: STANDARD ELEKTRIK LORENZ AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: PFEIFFER, THOMAS, DR..
LA LUZ DE BOMBEO, QUE SIRVE PARA AUMENTAR LAS SEÑALES DE LUZ DE AMPLIFICADORES OPTICOS Y QUE SE TRANSMITE POR LOS CONDUCTORES DE ONDA DE LUZ , SE ALMACENA EN UNA PIEZA DE UN MATERIAL FIBROSO AMPLIFICADOR DE LA SEÑAL DE LUZ, MEDIANTE UN ACOPLADOR DEL CONDUCTOR DE LA ONDA DE LUZ Y PARA PODER ABSORBERSE COMPLETAMENTE, SE PUEDEN PRODUCIR INTERFERENCIAS EN EL TRAMO DE TRANSMISION. SEGUN LA INVENCION, SE COLOCA DETRAS DE LA PIEZA DE UN MATERIAL FIBROSO-AMPLIFICADOR DE LA SEÑAL DE LA LUZ , UNA PIEZA DE UN MATERIAL FIBROSO DE LA ABSORCION DE LUZ DE BOMBEO QUE CONTIENE UN YTTERBIUM, QUE TIENE UN CORTE TRANSVERSAL DE ABSORCION MUY GRANDE EN EL CAMPO DE LA LONGITUD DE ONDA, DE 900 A 1050 NM, DONDE ESTA LA LONGITUD DE LA ONDA DE LA LUZ DE BOMBEO QUE PROVIENE DE UN LASER.
FIBRA OPTICA CON ADITIVO FLUORESCENTE.
(16/07/1994). Solicitante/s: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY. Inventor/es: AINSLIE, BENJAMIN JAMES, CRAIG, SUSAN PATRICIA, ARMITAGE, JOHNATHAN RICHARD.
UNA FIBRA OPTICA PARA USAR EN LASERES DE FIBRA TIENE EL ADITIVO DE LASER, POR EJEMPLO, ER3+, CONCENTRADO EN EL CENTRO DEL NUCLEO . PREFERIBLEMENTE, EL NUCLEO TIENE UNA REGION INTERIOR QUE CONTIENE EL ADITIVO, Y UNA REGION EXTERIOR QUE ESTA LIBRE DE DOPANTE. LA CONCENTRACION DE DOPANTE DISMINUYE EL HUMBRAL DE BOMBEO PARA UN LASER Y MEJORA LA ACCION DE LA GANANCIA PARA UNA POTENCIA DE BOMBEO DADA. LA FIBRA SE HACE CONVENIENTEMENTE DE MCVD. EL USO DE AL2O3 EN LA ZONA PARECE DISMINUIR LA PERDIDA DE DOPANTE DURANTE EL COLAPSO DEL TUBO.
AMPLIFICADOR DE FIBRA OPTICA ACTIVA DE DOBLE NUCLEO CON UNA LONGITUD DE ONDA DE SEÑAL DE BANDA ANCHA.
(16/06/1994). Solicitante/s: PIRELLI CAVI S.P.A.. Inventor/es: GRASSO, GIORGIO, SCRIVENER, PAUL LAURENCE, APPLEYARD, ANDREW PAUL.
EL INVENTO SE REFIERE A UN AMPLIFICADOR OPTICO, EN PARTICULAR PARA LINEAS DE TELECOMUNICACION DE FIBRA OPTICA , QUE FUNCIONA CON SEÑALES DE TRANSMISION EN UN RANGO DE LONGITUDES DE ONDA PREDETERMINADO, COMPUESTO EL AMPLIFICADOR POR UNA FIBRA OPTICA ACTIVA FLUORESCENTE DOPADA CON ERBIO, CON DOS NUCLEOS (11 Y 12, 101 Y 102), UNO DE LOS CUALES ESTA CONECTADO A UNA FIBRA EN LA QUE SE MULTIPLEXAN UNA SEÑAL DE TRANSMISION QUE VA A AMPLIFICARSE Y LA ENERGIA DE BOMBEO LUMINOSO, A UNA FIBRA SALIENTE ADAPTADA PARA TRANSMITIR LA SEÑAL AMPLIFICADA, MIENTRAS EL SEGUNDO NUCLEO ESTA ACOPLADO OPTICAMENTE CON EL PRIMERO Y TIENE CAPACIDAD PARA ABSORBER LA EMISION ESPONTANEA DEL ERBIO, QUE CREARIA UNA FUENTE DE RUIDO, PERMITIENDO AMPLIFICAR UNA SEÑAL EN UN RANGO DE LONGITUDES DE ONDA CORRESPONDIENTE SUSTANCIALMENTE CON EL RANGO DE TOLERANCIA DE LOS EMISORES LASER DE SEÑALES DISPONIBLES COMERCIALMENTE.
AMPLIFICADOR OPTICO DE FIBRA ACTIVA QUE TIENE UNA LONGITUD DE ONDA DE SEÑAL DE BANDA ANCHA.
(16/05/1994) LA INVENCION SE REFIERE A UN AMPLIFICADOR OPTICO, SOBRE TODO PARA LINEAS DE TELECOMUNICACION DE FIBRA OPTICA, QUE FUNCIONA CON UNA SEÑAL DE TRANSMISION EN UNA GAMA DE LONGITUDES DE ONDA PREDETERMINADAS, TENIENDO EL AMPLIFICADOR UNA FIBRA OPTICA ACTIVA EMISORA LASERICA IMPURIFICADA CON ERBIO, LA CUAL CONTIENE UNA SUSTANCIA DE IMPURIFICACION ADICIONAL DISTRIBUIDA A LO LARGO DE LA FIBRA, PRESENTANDO DICHA SUSTANCIA DE IMPURIFICACION UNA ABSORCION, PARA UNA LUZ QUE TIENE UNA LONGITUD DE ONDA MENOR DE 1,540 NM, SUSTANCIALMENTE MAYOR A LA ABSORCION QUE LA SUSTANCIA DE IMPURIFICACION ADICIONAL PRESENTA PARA UNA LUZ QUE TIENE UNA LONGITUD DE ONDA QUE OSCILA ENTRE 1,540 NM Y EL LIMITE SUPERIOR DE LA GAMA DE LONGITUDES DE ONDA…
UNIDAD DE AMPLIFICACION OPTICA DE POCO RUIDO CON REFLEXION DE LA FUERZA DE BOMBEO.
(01/05/1994). Solicitante/s: PIRELLI CAVI S.P.A.. Inventor/es: GRASSO, GIORGIO, RIGHETTI, ALDO, FONTANA, FLAVIO.
LA INVENCION SE REFIERE A UN AMPLIFICADOR OPTICO DE POCO RUIDO DEL TIPO FIBRA ACTIVA QUE CONTIENE UN LASER QUE UNA SUSTANCIA EMISORA LASERICA QUE SE CONECTA A UNA FIBRA DE TELECOMUNICACION OPTICA Y QUE RECIBE LUZ ALLI DE LONGITUD DE ONDA DE LA TRANSMISION, ES DONDE LA FIBRA ACTIVA TAMBIEN ES ALIMENTADA POR UNA FUENTE DE LUZ A UNA LONGITUD DE ONDA DE BOMBEO Y TIENE UNA LONGITUD CORRESPONDIENTE A UNA ABSORCION PARCIAL DE LA LUZ DE BOMBEO QUE ENTRA DIRECTAMENTE EN ELLA; EN SENTIDO HACIA ABAJO DE LA FIBRA OPTICA HAY UN ELEMENTO DE ESPEJO SELECTIVO QUE REFLEJA LA LUZ EN LA LONGITUD DE ONDA DE BOMBEO Y ES TRANSPARENTE A LA LUZ DE LA LONGITUD DE ONDA DE LA TRANSMISION; ES BUENO QUE EL ESPEJO TENGA UN DESMULTIPLEXOR ADAPTADO PARA SEPARAR LA LONGITUD DE ONDA DE LA TRANSMISION Y LA LONGITUD DE ONDA DE BOMBEO EN DOS FIBRAS DE SALIDA , UN ESPEJO QUE POR LO MENOS REFLEJE LA LONGITUD DE ONDA DE BOMBEO QUE SE ENCUENTRA AL FINAL DE LA FIBRA QUE LLEVA LA LONGITUD DE ONDA DE BOMBEO.
AMPLIFICADOR PARA LINEAS DE TELECOMUNICACION DE FIBRA OPTICA Y LINEAS DE TELECOMUNICACION DE FIBRA OPTICA INCORPORANDO DICHO AMPLIFICADOR.
(16/04/1994). Solicitante/s: PIRELLI CAVI S.P.A.. Inventor/es: GRASSO, GIORGIO, RIGHETTI, ALDO, FONTANA, FLAVIO.
UN AMPLIFICADOR OPTICO DE ACUERDO CON LA INVENCION CONSISTE EN EL MONTAJE DE UNA LONGITUD DE FIBRA OPTICA DE NUCLEO ACTIVO PARA DE MODO UNICO BOMBEAR Y SEÑALAR RADIACIONES OPTICAS, Y UN ACOPLADOR DICROICO COMPUESTO DE DOS LONGITUDES DE FIBRA OPTICA AMBOS DE MODO UNICO PARA BOMBEAR Y SEÑALAR RADIACIONES OPTICAS ACOPLADOS EL UNO AL OTRO SOBRE UNA PARTE POR FUSION DE LOS RESPECTIVOS REVESTIMIENTOS Y AJUSTE DE AMBOS NUCLEOS EN DICHA PARTE.
AMPLIFICADOR OPTICO DE FIBRA.
(16/01/1994). Solicitante/s: ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: PFEIFFER, THOMAS, DR., BULOW, HENNING, ROSSBERG, ROLF.
PARA AUMENTAR EL BOMBEO EN UN AMPLIFICADOR OPTICO DE FIBRA, EL ACOPLADOR DE BOMBEO SE HACE DE FIBRA, CUYO DIAMETRO DE CAMPO DE MODEM SE ADECUA AL DIAMETRO DEL CAMPO DE MODEM DE LA PIEZA DE FIBRA ACTIVA PARA LA LUZ DE BOMBEO. UNA SOLUCION ALTERNATIVA SERIA UN APARATO QUE CONSTA DE UNA FIBRA QUE SE ADECUA AL DIAMETRO DEL CAMPO MODEM, QUE SE ACOPLA POR UNA PARTE A LA FUENTE DE LUZ DE BOMBEO Y POR OTRA PARTE A LA RAMA DEL ACOPLE DE BOMBEO QUE ESTA UNIDO A LA PIEZA DE FIBRA ACTIVA . TAMBIEN PUEDE CONSTAR DE UNA FIBRA CORRESPONDIENTE AL CONDUCTOR DE ONDA DE LUZ DEL CONDUCTOR TRANSMISOR QUE SE CONECTA A LA RAMA DEL ACOPLADOR DE BOMBEO QUE SIRVE COMO CONDUCTOR DE TRANSMISION DE ENTRADA.
LASER DE SEMICONDUCTOR SINTONIZABLE.
(16/12/1993). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: AMANN, MARKUS-CHRISTIAN, DR.-ING., BAUMANN, GERHARD G., DR.RER.NAT., HEINEN, JOCHEN, DR.-ING., THULKE, WOLFGANG, DR. RER. NAT.
LASER DE SEMICONDUCTOR SINTONIZABLE SOBRE UN SUBSTRATO , CON UN PRIMER CONTACTO EN LA CARA SUPERIOR Y UN TERCER CONTACTO EN LA CARA INFERIOR PARA LA ALIMENTACION CON UNA CORRIENTE DE REGIMEN LIMITADA LATERALMENTE A TRAVES DE UNA CAPA BARRERA EN UNA TIRA LASERACTIVA, Y UN SEGUNDO CONTACTO EN UN CONDUCTOR DE ONDAS DE ALMA QUE SIRVE PARA LA INYECCION DE PORTADORES DE CARGA A UNA CAPA DE SINTONIZACION SITUADA POR ENCIMA O POR DEBAJO DE UNA CAPA ACTIVA Y SEPARADA DE ESTA MEDIANTE UNA CAPA CENTRAL ALTAMENTE IMPURIFICADA.
SEÑAL OPTICA AMPLIFICABLE.
(16/10/1993) ESTRUCTURA DE FIBRA OPTICA UTILIZADA CON SEÑALES OPTICAS AMPLIFICABLES, FORMADA POR UNA LONGITUD DE FIBRA OPTICA QUE INCLUYE DOS NUCLEOS OPTICOS DE MODO UNICO SEPARADOS UNIFORMEMENTE, SITUADOS JUNTO CON UNA CAPA DE MANERA QUE SE FORMAN DOS TRAYECTORIAS OPTICAS. LAS CARACTERISTICAS OPTICAS DE LOS NUCLEOS SON DIFERENTES PARA QUE LAS TRAYECTORIAS TENGAN DISTINTAS CONSTANTES DE PROPAGACION. EL VALOR DE ESTAS CONSTANTES COINCIDE PARA UNA LONGITUD DE ONDA DE ACOPLAMIENTO PREDETERMINADA. UNO DE LOS NUCLEOS INCLUYE UN MATERIAL FLUORESCENTE CAPAZ DE EMITIR BAJO UN ESTIMULO. SE DESCRIBE TAMBIEN UN METODO PARA AMPLIFICAR UNA…
BARRA DE CUERPO SOLIDO DE LASER.
(01/05/1993). Solicitante/s: CARL BAASEL LASERTECHNIK GMBH. Inventor/es: LANGHANS, LUTZ, DR.
PARA SUAVIZAR LOS EFECTOS TERMICOS PERJUDICIALES DE LA POTENCIA DE BOMBEO EN UNA BARRA DE CUERPO SOLIDO DE LASER Y PARA AMPLIAR EL GRADO DE EFECTO DEL LASER, SE ACOPLA EN UNA BARRA DE LASER CON DIAMETRO EN FORMA DE POLIGONO TRIANGULAR, CUADRATICO, PENTAGONAL, EXAGONAL, UN RAYO DE UN LUZ DE TAL MANERA, QUE EL RAYO DESCRIBE EN EL INTERIOR DE LA BARRA UNA CURVATURA DE TORNILLO ANGULAR (L). EN EL DIAMETRO DE LA BARRA SE CONSIDERA, SE DESVIA EL RAYO DE LUZ (L) EN CAMPOS DISTINTOS DE LA BARRA DE TAL MANERA, QUE SE COMPENSAN LOS EFECTOS DE LOS GRADIENTES DE LA TEMPERATURA EN AMBOS SENTIDOS VERTICALMENTE PARA EL EJE LONGITUDINAL DE LA BARRA. SE PUEDE ACOPLAR VARIOS RAYOS EN SITIOS DIFERENTES, PARA QUE LOS RAYOS DESCRIBAN UNA CURVATURA DE TORNILLO HABITUALMENTE Y QUE SE ALUMBRE EL VOLUMEN DE LA BARRA LO MAS BUENO POSIBLE.
UN DISPOSITIVO LASER SEMICONDUCTOR.
(16/12/1981). Solicitante/s: N.V.PHILIPS'GLOEILAMPENGABRIEKEN.
DISPOSITIVO LASER, QUE TIENE UN CUERPO SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE UNA ZONA ACTIVA EN FORMA DE TIRA SITUADA DENTRO DE UN RESONADOR, EN EL CUAL SE RESTRINGE LA REGION EN LA QUE SE PRODUCEN LOS FENOMENOS DE ENVEJECIMIENTO. EL DISPOSITIVO ESTA CONSTITUIDO DE UN SUSTRATO DE ARSENIURO DE GALIO, CONDUCTOR DE TIPO N, DE ESPESOR 100 UM. SOBRE ESTE SUSTRATO SE ENCUENTRA UNA ZONA ACTIVA QUE CONTIENE UN CIERTO NUMERO DE UNIONES SEMICONDUCTORAS P-N. ESTAS ZONAS SEMICONDUCTORAS ESTAN CONECTADAS ELECTRICAMENTE A ELECTRODOS , Y TIENEN UNA DIMENSION MAXIMA DE 20 UM. QUE EVITA QUE SE EXTIENDAN LOS DEFECTOS DE RETICULA, PROVOCADORES DEL ENVEJECIMIENTO DEL DISPOSITIVO. EL DISPOSITIVO OFRECE VARIANTES DE REALIZACION.