CIP-2021 : H01L 21/338 : con puerta Schottky.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/338 · · · · · · con puerta Schottky.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo semiconductor de película fina y procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor de película fina.
(17/06/2015) Un MS-FET de película fina o dispositivo semiconductor de célula fotovoltaica que comprende:
i) un substrato que comprende celulosa;
ii) una primera capa que consiste en una capa conductora metálica en contacto con el substrato;
iii) una segunda capa semiconductora que comprende silicio nanocristalino coloidal y un aglutinante en contacto con la primera capa;
iv) una tercera capa que consiste en el caso de un MS-FET, en una capa conductora metálica o, en el caso de una célula fotovoltaica, en un conductor tipo-p transparente en contacto con la segunda capa.
TRANSISTOR CON EFECTO DE CAMPO.
(01/04/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Inventor/es: TANABE, MITSURU.
EN UN SUSTRATO INP SEMI - AISLANTE ADULTERADO CON HIERRO, UNA PRIMERA CAPA DE SEPARACION DE IN 0,52 AL 0,48 AS NO ADULTERADO, UNA SEGUNDA CAPA DE SEPARACION EN UNA ESTRUCTURA RETICULAR SUPERPUESTA DE IN 0,52 AL 0,48 AS NO ADULTERADO Y AL 0,25 GA 0,75 AS NO ADULTERADO, UNA TERCERA CA PA DE SEPARACION DE IN 0,52 AL 0,48 AS NO ADULTERADO, UNA CAPA DE CANAL DE IN 0,53 GA 0,47 AS, UNA CAPA DISTANCIADORA DE IN 0,52 AL 0,48 AS, NO ADULTERADO, UNA CA PA DE ADULTERACION DELTA DE SILICIO Y UNA CAPA SCHOTTKY DE IN SUB,0,52 AL 0,48 AS SON SATISFACTORIAMENTE SUPERPUESTAS. S OBRE LA CAPA SCHOTTKY, SE FORMA UNA CAPA DE RECUBRIMIENTO EN UNA ESTRUCTURA REBAJADA. SOBRE LA CAPA DE RECUBRIMIENTO, SE FORMAN UN ELECTRODO DE FUENTE Y UN ELECTRODO DE DRENAJE, CON UN ELECTRODO DE PUERTA EN UN AREA REBAJADA DE LA CAPA DE RECUBRIMIENTO.
