CIP-2021 : C30B 29/40 : Compuestos A III B V .

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Notas^[n] desde C30B 29/02 hasta C30B 29/54:
En los grupos C30B 29/02 - C30B 29/54, se aplica la regla del último lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, un material se clasifica en el último lugar apropiado.

Es importante tener en cuenta la Nota (3) tras el título de la sección C, que indica a qué versión del Sistema periódico de los Elementos se refiere la CIP. En este grupo, el Sistema Periódico utilizado es el sistema de 8 grupos indicados por números romanos en la Tabla Periódica

C QUIMICA; METALURGIA.

C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.

C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.

C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma.

C30B 29/40 · · Compuestos A _III B _V.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Método para la fabricación de electrodos de nitruro de galio-indio para dispositivos electroquímicos.

(08/01/2020). Solicitante/s: UNIVERSITA DEGLI STUDI DI MILANO - BICOCCA. Inventor/es: NOETZEL,RICHARD, SANGUINETTI,STEFANO.

Método para la fabricación de electrodos, que comprende las etapas de: a) depositar epitaxialmente nitruro de galio-indio (InGaN) en forma de una capa delgada sobre una superficie de un sustrato de silicio exponiendo una cara de cristal , de tal modo que la capa de InGaN crece epitaxialmente a lo largo del eje c y, en consecuencia, expone el plano c; b) separar el depósito de InGaN del sustrato; c) fragmentar el depósito de InGaN; d) transferir los fragmentos de InGaN obtenidos de este modo sobre un soporte conductor con una estructura unidimensional, bidimensional o tridimensional.

PDF original: ES-2784436_T3.pdf

Preparación de material semiconductor de cristal individual usando una plantilla nanoestructural.

(03/07/2019). Solicitante/s: Nanogan Limited. Inventor/es: WANG,WANG NANG.

Un procedimiento para crear nanoestructuras de semiconductor, el cual comprende los pasos de: (a) proporcionar un material de plantilla que comprende una capa de material semiconductor y un sustrato; (b) crear una máscara encima del material de plantilla; y (c) usar la máscara para formar al menos una nanoestructura en el material de plantilla; las nanoestructuras se forman mediante decapado del material de plantilla, donde el paso (b) incluye depositar una capa de material dieléctrico sobre el material de plantilla, y donde una capa de metal se aplica sobre la capa de material dieléctrico.

PDF original: ES-2744818_T3.pdf

Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión.

(23/01/2019). Solicitante/s: Solar Junction Corporation. Inventor/es: JONES,REBECCA ELIZABETH, YUEN,HOMAN BERNARD, LIU,TING, MISRA,PRANOB.

Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión, que comprende: una capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz , en la que los valores de contenido para x, y, y z se encuentran en los rangos de composición siguientes: 0,07 ≤ x ≤ 0,18, 0,025 ≤ y ≤ 0,04 y 0,001 ≤ z ≤ 0,03; un emisor , un campo en superficie delantero opcional y un campo en superficie trasero opcional ; donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz se empareja reticularmente de forma sustancial a un sustrato GaAs o a un sustrato Ge; donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz presenta una banda prohibida en el rango de 0,9 - 1,1 eV; donde, cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM 1.5D, la subcélula presenta una tensión en circuito abierto superior a 0,30 V; y una corriente de cortocircuito superior a 13 mA/cm cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM1.5D con un filtro que bloquea toda la luz por encima de la banda prohibida GaAs.

PDF original: ES-2720596_T3.pdf

Método de crecimiento que usa capas compatibles de nanocolumnas y HVPE para producir materiales semiconductores compuestos de alta calidad.

(15/11/2017). Solicitante/s: Nanogan Limited. Inventor/es: WANG,WANG NANG.

Un metodo para producir un material semiconductor compuesto de un solo cristal, que comprende: a) proporcionar un material de sustrato que tiene una nanocolumna semiconductora compuesta cultivada en el para proporcionar una superficie de crecimiento de iniciacion epitaxial; b) cultivar un material semiconductor compuesto en la nanocolumna usando sobrecrecimiento lateral epitaxial y (c) separar del sustrato el material semiconductor compuesto cultivado, en el que la nanocolumna se cultiva con un solo material dopado o no dopado, o con la combinacion de etapas de no dopado y dopado o etapas de n dopado y p dopado, y en el que la nanocolumna incluye una region de tipo p proxima a la superficie de crecimiento.

PDF original: ES-2657666_T3.pdf

Aparato de epitaxia de haz molecular para producir pastillas de material semiconductor.

(29/08/2012) Aparato de epitaxia de haz molecular para producir pastillas de material semiconductor que comprende un sustrato cubierto por una capa de material, comprendiendo además dicho dispositivo: - una cámara de crecimiento que rodea un área de procesado , comprendiendo dicha cámara de crecimiento una pared lateral , una pared inferior y una pared superior , presentando cada una de ellas una superficie interior, - un panel criogénico principal que tiene al menos una parte lateral que cubre la superficie interior de dicha pared lateral , - un soporte de muestras apto para soportar dicho sustrato, comprendiendo dicho soporte de muestras unos medios de calentamiento, - por lo menos una celda de efusión apta para evaporar átomos o moléculas de elementos o compuestos, - un inyector de gas apto para…

Aparato para depositar una película delgada de material sobre un sustrato y procedimiento de regenaración para un aparato de este tipo.

(02/05/2012) Aparato para depositar una película delgada de material sobre un sustrato que comprende: - una cámara de vacío, - un portamuestras dispuesto dentro de dicha cámara de vacío, pudiendo soportar dicho portamuestras dicho sustrato, - un inyector de gas que puede inyectar un precursor gaseoso al interior de la cámara de vacío, pudiendoreaccionar una parte de dicho precursor gaseoso en la superficie del sustrato, - por lo menos un panel criogénico colocado dentro de la cámara de vacío y que puede adsorber una partede dicho precursor gaseoso que no ha reaccionado en la superficie del sustrato, y liberar dicho precursorgaseoso…

PROCEDIMIENTO DE CRISTALIZACIÓN.

(22/11/2011) Procedimiento de cristalización en fase sólida, caracterizado porque incluye las etapas sucesivas siguientes: a) depósito de al menos una capa delgada de material amorfo o policristalino, en al menos una zona de la superficie de una parte superior de un sustrato , b) depósito de al menos una capa metálica , de un grosor comprendido entre 1 nm y 20 nm, ventajosamente entre 5 nm y 10 nm, en una zona de dicha capa delgada , estando constituida la parte superior del sustrato , después de la etapa b), por un material amorfo apto para pasar a un estado de líquido o de líquido sobrefundido, c) y tratamiento térmico para permitir el crecimiento cristalino del material de la capa delgada , que provoca simultáneamente: - una elevación de la temperatura de la parte superior…

PROCEDIMIENTO DE FORMACIN DE UNA CAPA DE CARBURO DE SILICIO O DE NITRURO DE UN ELEMENTO DEL GRUPO III SOBRE UN SUSTRATO ADAPTADO.

(16/05/2006). Solicitante/s: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS). Inventor/es: LEYCURAS, ANDRE.

Producto intermediario para la realización de componentes ópticos, electrónicos u optoeléctricos, que comprende una capa cristalina de carburo de silicio cúbico sobre un sustrato monocristalino, caracterizado porque el sustrato es de silicio-germanio, estando presente el germanio en una proporción atómica comprendida entre 5 y 20%.

AGREGADOS DE NITRURO DE BORO CUBICOS.

(16/10/2004). Solicitante/s: DE BEERS INDUSTRIAL DIAMOND DIVISION (PROPRIETARY) LIMITED. Inventor/es: DAVIES, GEOFFREY, JOHN, CHAPMAN, RAYMOND, ALBERT, HEDGES, LESLEY, KAY, STEWART, AULETTE, ROBERTS, BRONWYN, ANNETTE.

Un racimo de nitruro de boro cúbico, que comprende un núcleo y una región de crecimiento que contiene una pluralidad de partículas cristalinas de nitruro de boro cúbico que se extienden hacia el exterior del núcleo, teniendo la mayoría de las partículas cristalinas un área de sección transversal que aumenta conforme aumenta la distancia de la partícula cristalina al núcleo.

GEMAS DE DIAMANTE ARTIFICIALES FORMADAS DE NITRURO DE ALUMINIO Y ALEACIONES DE NITRURO DE ALUMINIO:CARBURO DE SILICIO.

(16/09/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: CREE RESEARCH, INC.. Inventor/es: HUNTER, CHARLES, ERIC.

Gema de diamante artificial que comprende un monocristal de AlN o aleación de AlN:SiC, incoloro y sintético que tiene facetas pulidas hasta un grado de alisado característico de las gemas de diamante terminadas y suficiente para permitir la introducción de la luz en la gema para la reflexión interna desde el interior de la gema.

ESTRUCTURA MULTICAPA CRISTALINA Y SU PROCEDIMIENTO DE FABRICACION.

(16/10/2000). Solicitante/s: CENTRUM BADAN WYSOKOCISNIENIOWYCH. Inventor/es: POROWSKI, SYLWESTER, JUN, JAN, GRZEGORY, IZABELLA, KRUKOWSKI, STANISLAW, WROBLEWSKI, MIROSLAW.

SE PROPORCIONA UN PROCESO PARA LA FABRICACION DE UNA ESTRUCTURA CRISTALINA DE MULTIPLES CAPAS DE NITRUROS DE METALES DEL GRUPO III DE LA TABLA PERIODICA QUE INCLUYE GAN, AIN E INN. EL PROCESO INCLUYE LOS PASOS DE CALENTAR UN METAL DEL GRUPO III A UNA TEMPERATURA T1 BAJO UNA PRESION DE NITROGENO EN EQUILIBRIO MIENTRAS SE MANTIENE LA ESTABILIDAD DEL NITRURO DE METAL DEL GRUPO III PARA FORMAR UNA PRIMERA CAPA DE CRISTAL DE NITRURO DE METAL DEL GRUPO III. POSTERIORMENTE, EL METODO INCLUYE EL PASO DE FORMAR UNA SEGUNDA CAPA DE CRISTAL DEL NITRURO DE METAL DEL GRUPO III MEDIANTE LA REDUCCION DE LA PRESION DE NITROGENO DE MODO QUE LA SEGUNDA CAPA DE CRISTAL CREZCA EN LA PRIMERA CAPA CON UNA VELOCIDAD DE CRECIMIENTO INFERIOR AL CRECIMIENTO DE LA PRIMERA CAPA A UNA TEMPERATURA T2 NO SUPERIOR A LA TEMPERATURA T1. LA SEGUNDA CAPA CRECE EN AL MENOS UNA PORCION DE LA PRIMERA CAPA CON UN GROSOR PREDETERMINADO BAJO LA NUEVA PRESION DE NITROGENO.

MATERIAL COMPUESTO.

(16/11/1994). Solicitante/s: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.. Inventor/es: YOSHIDA, KATSUHITO, TSUJI, KAZUSWO.

MATERIAL COMPUESTO UTIL COMO DIODO CAPAZ DE OPERAR A ALTAS TEMPERATURAS COMO, POR EJEMPLO, DE 500 A 600 C O UN MECANISMO OPTICO SEMICONDUCTOR CAPAZ DE EMITIR RAYOS ULTRAVIOLETAS. CONTIENE UN CRISTAL DE DIAMANTE CON AISLAMIENTO ELECTRICO Y UN CRISTAL CUBICO BORO NITROGENADO, FORMADO EN UNA CARA DEL CRISTAL DE DIAMANTE COMO UN SUSTRATO, DE TAL MANERA QUE EN EL CRISTAL CUBICO BORO NITROGENADO TIENE EL MISMO INDICE DE PLANO QUE EL SUSTRATO.

DESARROLLO EPITAXIAL EN FASE DE VAPOR DE SEMICONDUCTORES COMPUESTOS DEL GRUPO III-V, A BASE DE INDIO, DOPADOS POR HIERRO.

(16/05/1993). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: JOHNSTON, WILBUR DEXTER, JR., LONG, JUDITH ANN, WILT, DANIEL PAUL.

UNA REGION SEMICONDUCTORA III-V, A BASE DE INDIO, DOPADA CON HIERRO , SE DEPOSITA SOBRE UN SUBSTRATO A PARTIR DE UN GAS PRECURSOR QUE COMPRENDE UN GAS INERTE, TAL COMO NITROGENO, UN COMPUESTO DOPANTE VOLATIL, TAL COMO FECL2, UN COMPUESTO DE INDIO VOLATIL, TAL COMO INCL Y UN HIDRURO DEL GRUPO V, TAL COMO FOSFINA. SE LIMITA LA CONCENTRACION DE HIDROGENO EN EL GAS PRECURSOR PARA EVITAR EXCESIVA PRECIPIATCION DE HIERRO. SE HA ENCONTRADO POSIBLE PRODUCIR REGIONES INP CON UNA RESISTIVIDAD EN EXCESO DE 108 OHMIOS-CM.

PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE SEMI-AISLANTES 3-5-MONO-CRISTALINOS POR DOPADO Y APLICACION DE SEMIAISLANTES ASI OBTENIDOS.

(01/02/1992). Solicitante/s: ETAT FRANCAIS REPRESENTE PAR LE MINISTRE DES PTT (CENTRE NATIONAL D'ETUDES DES TELECOMMUNICATIONS). Inventor/es: LAMBERT, BERTRAND, TOUDIC, YVES, COQUILLE, RENE.

LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE SEMI-AISLANTES 3-5-MONOCRISTALINOS POR DOPADO, CARACTERIZADO EN QUE SE DOPE LA CARGA DE SALIDA DE TIPO P CON AL MENOS UN DONANTE PROFUNDO DEBIDO A UN ELEMENTO DE TRANSICION. SE REFIERE IGUALMENTE A LA UTILIZACION DE SEMI-AISLANTES OBTENIDOS EN LOS CAMPOS DE LA OPTOELECTRONICA Y DE LA ELECTRONICA RAPIDA.