CIP-2021 : H01L 31/0735 : comprendiendo únicamente semiconductores a base de compuestos A III B V ,
p. ej. células solares GaAs/AlGaAs o InP/GaInAs.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/0735 · · · · comprendiendo únicamente semiconductores a base de compuestos A III B V , p. ej. células solares GaAs/AlGaAs o InP/GaInAs.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión.
(23/01/2019). Solicitante/s: Solar Junction Corporation. Inventor/es: JONES,REBECCA ELIZABETH, YUEN,HOMAN BERNARD, LIU,TING, MISRA,PRANOB.
Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión, que comprende:
una capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz , en la que
los valores de contenido para x, y, y z se encuentran en los rangos de composición siguientes: 0,07 ≤ x ≤ 0,18, 0,025 ≤ y ≤ 0,04 y 0,001 ≤ z ≤ 0,03;
un emisor , un campo en superficie delantero opcional y un campo en superficie trasero opcional ;
donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz se empareja reticularmente de forma sustancial a un sustrato GaAs o a un sustrato Ge;
donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz presenta una banda prohibida en el rango de 0,9 - 1,1 eV; donde, cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM 1.5D, la subcélula presenta una tensión en circuito abierto superior a 0,30 V; y
una corriente de cortocircuito superior a 13 mA/cm cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM1.5D con un filtro que bloquea toda la luz por encima de la banda prohibida GaAs.
PDF original: ES-2720596_T3.pdf
CELULA SOLAR MULTIUNIÓN DE SEMICONDUCTORES III-V QUE CONTIENE GRAFENO Y METODO DE OBTENCION.
(27/04/2018). Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Inventor/es: ALGORA DEL VALLE,CARLOS, REY-STOLLE PRADO,IGNACIO, BARRUTIA PONCELA,Laura, OCHOA GOMEZ,Mario.
Célula solar multiunión de semiconductores III-V que contiene grafeno y método de obtención.
La invención se refiere a una célula solar multiunión que comprende: una estructura semiconductora que incorpora una o más uniones pn fotovoltaicamente activas hechas de semiconductores III-V, contactos metálicos frontales y traseros, y una o más capas de grafeno depositadas entre la estructura semiconductora y los contactos frontales. Para muchas aplicaciones de esta invención, además sería necesario depositar capas antirreflectantes sobre el grafeno. Asimismo, la presente invención se refiere al método de obtención de la célula solar multiunión, caracterizado porque comprende depositar al menos una capa de grafeno mediante transferencia sobre la superficie semiconductora frontal de la célula solar, previamente al depósito de los contactos metálicos frontales.
PDF original: ES-2665809_A1.pdf
APARATO PARA CONVERTIR ENERGÍA SOLAR EN ELECTRICIDAD PROTEGIDO MEDIANTE UNA TAPA DE VIDRIO.
(01/02/2012) Aparato para convertir energía solar en electricidad protegido mediante una tapa de vidrio.La presente invención se refiere a un aparato para convertir energía solar en electricidad, que comprende: un substrato 101, una célula solar multiunión de compuesto semiconductor III-V 102 para convertir la célula solar 102 en electricidad, estando montada la célula solar 102 sobre el substrato 101, un diodo 103, sobre el substrato 101, que comprende un cuerpo, un contacto de ánodo y un contacto de cátodo, estando acoplado el diodo 103 en paralelo con la célula solar 102, y unos terminales de salida 104 montados sobre el substrato 101 y acoplados con la célula solar 102 y el diodo 103 para manejar más de 10 W de potencia. Dicho aparato también comprende por lo menos un separador 107 y una tapa…