CIP-2021 : H01L 31/0376 : comprendiendo semiconductores amorfos (H01L 31/0392 tiene prioridad).
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
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CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Convertidor fotovoltaico con estructura de emisor mejorada basada en componentes de silicio y un método para la producción del convertidor fotovoltaico.
(08/05/2019) Un convertidor fotovoltaico, que comprende una estructura de emisor hecha de componentes de silicio capaces de convertir fotones de alta energía en electrones libres en particular UV y fotones visibles así como fotones IR, esta estructura de emisor forma parte de una losa, oblea o chip de material fotovoltaico de tipo p o de tipo n,
- teniendo dicha losa, oblea o chip una superficie superior destinada a ser expuesta a radiación fotónica principalmente a radiación solar, que tiene una unión PN integrada que delimita la parte emisora y una parte de base, que tiene electrodos delanteros y traseros y que comprende al menos un área o región específicamente diseñada o adaptada para absorber…
Sistema multicapas con elementos de contacto y procedimiento para la creación de un elemento de contacto para un sistema multicapas.
(02/05/2018). Solicitante/s: INTERPANE ENTWICKLUNGS- UND BERATUNGSGESELLSCHAFT MBH & CO. KG. Inventor/es: SCHMIDT, STEFFEN, PAUL,ALEXANDER, BEREK,HARRY, HERLITZE,LOTHAR, WEIS,HANSJÖRG, HÄUSER,KARL.
Sistema de capas con elemento de contacto , que comprende un sustrato , un sistema multicapas dispuesto sobre el sustrato con al menos una capa superior y una capa inferior , caracterizado un elemento de contacto está aplicado por medio de inyección de gas frío y la atraviesa al menos una capa superior y contacta con la capa inferior.
PDF original: ES-2669070_T3.pdf
ESTRUCTURA ANTIREFLEJANTE CUASI-OMNIDIRECCIONAL BASADA EN MULTICAPAS DIELÉCTRICAS DE SILICIO POROSO PARA LA REGIÓN ULTRAVIOLETA MEDIA, VISIBLE E INFRARROJA CERCANA DEL ESPECTRO ELECTROMAGNÉTICO.
(20/11/2014). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DEL ESTADO DE MORELOS. Inventor/es: AGARWAL,Vivechana, ARIZA FLORES,Augusto David, PEREZ HUERTA,José Samuel, KUMAR,Yogesh.
Estructura antireflejante basada en multicapas de silicio poroso apiladas en forma unidimensional. Esta capa tiene la capacidad de reflejar menos del 4% de la luz incidente en cualquier ángulo, es decir esta propiedad no depende de la posición en la cual se le oriente. Ello se cumple para un rango de longitudes de onda que van desde 200 nm a 2000 nm y tan sólo con un espesor físico total de 510 nm. La estructura consta de 51 capas con porosidades graduales que van del 92 al 38 %. La longitud de cada capa es constante e igual a 10 nm y el perfil del índice de refracción varía por medio de una función envolvente que crece monótonamente de la forma f(z)=n 0 +(n F -n 0 )(z/L) k, con z la profundidad de la capa. El dispositivo se fabricó con el método de anodizado electroquímico en una solución electrolítica de ácido fluorhídrico y etanol, atacando obleas de silicio de forma galvanostatíca en una interfaz controlada.
DOSPOSITIVO FOTOVOLTAICO DE PELICULA DELGADA BASADA EN SILICIO AMORFO.
(16/06/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: KANEKA CORPORATION. Inventor/es: NISHIO, HITOSHI.
Un dispositivo fotovoltaico de película delgada basada en silicio amorfo, que comprende: un sustrato de vidrio; y una estructura laminada formada sobre el sustrato de vidrio y que consta de un electrodo transparente , una capa semiconductora que contiene un semiconductor basado en silicio amorfo y un electrodo posterior , en el que el sustrato de vidrio tiene una transmitancia de entre 88 y 90% para luz que presente una longitud de onda de 700 nm y de entre 84 y 87% para luz que presente una longitud de onda de 800 nm, y contiene entre 0, 026 y 0, 065% en peso de óxido de hierro.
PRODUCCION DE MODULOS FOTOVOLTAICOS DE PELICULA DELGADA CON CONEXIONES DE ALTA INTEGRIDAD Y CONTACTOS DE DOBLE CAPA.
(01/10/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: BP SOLAREX. Inventor/es: JANSEN,KAI W., MALEY,NAGI.
Producción de módulos fotovoltáicos de película delgada con conexiones de alta integridad y contactos de doble capa que constituyen módulos fotovoltáicos de altas prestaciones, con interconexiones mejoradas , mediante un proceso especial. Convenientemente, los módulos fotovoltáicos tienen un contacto dorsal (posterior) de doble capa y un contacto frontal por lo menos con una capa . El contacto frontal y la capa interior pueden comprender un óxido conductivo transparente. La capa exterior del contacto dorsal puede comprender un metal u óxido metálico. El contacto frontal puede tener también una capa dieléctrica . En una forma, el contacto dorsal de doble capa puede comprender una capa interior de óxido de zinc y una capa exterior de aluminio y el contacto frontal comprende una capa interior de óxido de estaño y una capa exterior dieléctrica de dióxido de silicio.
