(12/04/2016). Solicitante/s: UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID. Inventor/es: RANCHAL SÁNCHEZ,Rocío, FIN,Samuele, BISERO,Diego.

Método y material magnético para determinar manipulación o fraude producido mediante la aplicación de campos magnéticos. La invención consiste en materiales de composición Tb_xFe_100-x-yGa_y que presentan propiedades de anisotropía magnética que hacen posible su uso como sensor para detección de manipulación de sistemas sensibles a campos magnéticos. Los materiales presentan forman película delgada, lo cual facilita tanto su camuflaje como su inserción en dispositivos de reducido tamaño. Se aplica para controlar la manipulación o borrado de documentación grabada magnéticamente, o modificaciones en otros sistemas sensibles como contadores de agua. No necesita estar conectado de manera continua a la red eléctrica lo que facilita su colocación en diferentes áreas como reduce su gasto de mantenimiento.

PDF original: ES-2566429_A1.pdf

(01/01/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: HITACHI EUROPE LIMITED. Inventor/es: TSUKAGOSHI, KAZUHITO, ALPHENAAR, BRUCE W., MIZUTA, HIROSHI.

Dispositivo magnetoeléctrico sensible a un campo magnético aplicado, que comprende unas primera y segunda regiones ferromagnéticas con una región de canal entre ellas, estando las regiones ferromagnéticas configuradas para que unos portadores de carga con una polarización de espín particular, que pueden atravesar la primera región ferromagnética, puedan atravesar la segunda región ferromagnética como función de las orientaciones relativas de magnetización de las regiones ferromagnéticas producidas por el campo magnético aplicado, según lo cual el dispositivo exhibe una conductividad como función de la intensidad del campo aplicado, caracterizado porque la región de canal está configurada para proporcionar un canal cuasi unidimensional para hacer que los portadores de carga que atraviesan la primera región ferromagnética mantengan su polarización de espín al pasar hacia la segunda región ferromagnética.

(01/12/2002). Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE. Inventor/es: DIENY, BERNARD, GIACOMONI, LAURENCE, VEDYAEV, ANATOLY.

Magnetorresistencia de efecto túnel que comprende, bajo la forma de un apilamiento: 5 - una primera capa de material magnético de imantación libre, - una capa , llamada de barrera, de un material aislante eléctrico, y - una segunda capa de material magnético de imantación atrapada, caracterizada porque la primera capa de material magnético presenta un espesor inferior o igual a 7 nm.