CIP-2021 : H01L 21/312 : Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/312 · · · · · · Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Composición filmógena y método de difusión.
(19/04/2013) Composición filmógena para constituir una película de difusión proporcionada para difundir un elemento dopanteen una oblea de silicio, comprendiendo la composición filmógena: (A) un compuesto de silicio polimérico; (B) unóxido del elemento dopante, o una sal inorgánica o una sal orgánica que incluye el elemento dopante; y (C) unporógeno,
en donde el contenido del componente (C) en la composición filmógena con respecto al peso total de lacomposición filmógena está entre el 2 y el 20 % en peso, caracterizada porque
el componente (C) es un agente reductor para reducir el componente (B).
METODO DE FABRICACION DE PELICULAS DIELECTRICAS DE INTER-NIVEL DE BAJA CONSTANTE DIELECTRICA PARA INTERCONEXIONES DE BEOL CON ADHESION MEJORADA Y DENSIDAD DE DEFECTOS BAJA.
(01/12/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: ECKERT, ANDREW ROBERT, HAY, JOHN C., HEDRICK, JEFFREY CURTIS, LEE, KANG-WOOK, LINIGER, ERIC GERHARD, SIMONYI, EVA ERIKA.
Un método de fabricación de un circuito integrado que comprende las etapas de: (a) aplicar un agente de copulación de silano que con- tiene al menos un grupo polimerizable a una superficie de un substrato de tal manera como para proporcionar un revestimiento sustancialmente uniforme de dicho agente de copulación de silano sobre dicho substrato; (b) calentar dicho substrato que contiene dicho reves- timiento de dicho agente de copulación de silano a una tem- peratura de 90ºC o superior para proporcionar una capa superficial modificada a dicho substrato que contiene enlaces Si-O; (c) enjuagar dicho substrato calentado con un disol- vente adecuado que es eficaz para separar cualquier agente de copulación de silano sin reaccionar; y (d) aplicar un material dieléctrico a dicha su- perficie enjuagada que contiene dichos enlaces Si-O.
PROCEDIMIENTO PARA EL REVESTIMIENTO CON SILICE DE SUBSTRATOS.
(01/12/2002). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: BALLANCE, DAVID STEPHEN, CAMILLETTI, ROBERT CHARLES, GENTLE, THERESA EILEEN.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA LA FORMACION DE UN REVESTIMIENTO DE SILICE EN UN SUSTRATO. EL METODO CONSISTE EN REVESTIR UN SUSTRATO CON UN PRECURSOR DE SILICE QUE TENGA UN PUNTO DE FUSION ENTRE 50 Y 450 (GRADOS) C APROXIMADAMENTE. EL REVESTIMIENTO SE CALIENTA A UNA TEMPERATURA SUPERIOR A SU PUNTO DE FUSION EN UN ENTORNO INERTE PARA PERMITIR QUE EL REVESTIMIENTO SE FUNDA Y FLUYA. EL REVESTIMIENTO FUNDIDO SE CALIENTA ENTONCES EN UN AMBIENTE QUE FACILITE AL CONVERSION A SILICE DURANTE UN TIEMPO SUFICIENTE COMO PARA QUE LO CONVIERTA EN SILICE.
PROCEDIMIENTO DE FOTOENMASCARAMIENTO DE POLIIMIDAS FOTOSENSIBLES CON COMPUESTOS ORGANOMETALICOS PARA PROCESOS FOTOLITOGRAFICOS EN TECNOLOGIA DE SILICIO.
(16/03/2001). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: DOMINGUEZ HORNA,CARLOS, MUÑOZ PASCUAL,FRANCISCO J.
Procedimiento de fotoenmascaramiento de poliimidas fotosensibles con compuestos organometálicos para procesos fotolitográficos en tecnología de silicio. Es un proceso fotolitográfico monocapa sobre topografías irregulares que se basa en la silanización superficial de los grupos metacrilato del ácido poliámico precursor de la poliimida fotosensible para que actúen como máscara ante el revelado por plasma en modo RIE, con oxígeno como gas reactivo. El proceso permite la obtención de motivos positivos o negativos, con respecto a la máscara, utilizando los mismos precursores fotosensibles ya que esto depende únicamente de la secuencia con que se realicen los pasos de exposición y silanización. Este proceso puede aplicarle a la fotodefinición de capas poliméricas de cualquier espesor. Aplicación en la encapsulación se sensores químicos, módulos multichip, tecnología microelectrónica, sectores electrónicos, óptica integrada.
REVESTIMIENTO PARA DISPOSITIVOS MICROELECTRONICOS Y SUBSTRATOS.
(16/03/1997). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: HALUSKA, LOREN ANDREW.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA FORMAR UN REVESTIMIENTO CERAMICO O SIMILAR AL CERAMICO SOBRE UN SUBSTRATO ESPECIALMENTE SOBRE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, ASI COMO AL SUBSTRATO REVESTIDO POR EL MISMO. EL METODO COMPRENDE EL REVESTIMIENTO DE DICHO SUBSTRATO CON UNA SOLUCION QUE COMPRENDE UN SOLVENTE, RESINA DE SILSESQUIOXANO DE HIDROGENO Y UN PRECURSOR DE OXIDO CERAMICO MODIFICADOR SELECCIONADO ENTRE EL GRUPO QUE CONSTA DE PRECURSORES DE OXIDO DE TANTALIO, PRECURSORES DE OXIDO DE NIOBIO, PRECURSORES DE OXIDO DE BORO. EL SOLVENTE SE EVAPORA PARA DE ESTA MANERA DEPOSITAR UN RECUBRIMIENTO PRECERAMICO SOBRE EL SUBSTRATO. EL REVESTIMIENTO PRECERAMICO SE CERAMIFICA ENTONCES CALENTANDOLO HASTA UNA TEMPERATURA DE ENTRE 40 Y 1000 C. ESTE REVESTIMIENTO, ADEMAS PUEDE SER RECUBIERTO POR RECUBRIMIENTOS DE PASIVIDAD ADICIONAL Y PROTECTORES.
UN PROCESO TERMICO RAPIDO PARA OBTENER REVESTIMIENTOS DE SILICE.
(01/07/1996). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: GENTLE, THERESA EILEEN, CHANDRA, GRISH.
ESTA INVENCION ESTA BASADA EN EL DESCUBRIMIENTO DE QUE UN PROCESO TERMICO RAPIDO (RTP) PUEDE CONVERTIR REVESTIMIENTOS DE RESINA SILSESQUIOXANA DE HIDROGENO EN REVESTIMIENTOS DE SILICE CERAMICOS. ESTA TECNICA ES ESPECIALMENTE VALIDA PARA LA APLICACION DE CAPAS DIELECTRICAS Y PROTECTORAS EN DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.
DISPOSITIVO CONMUTADOR DEL NIVEL DE LIMITACION CON RESISTENCIA DIFERENCIAL NEGATIVA.
(01/10/1995). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: MICHAEL, KEITH WINTON, PERNISZ, UDO C.
ESTA INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA FORMAR UN DISPOSITIVO CONMUTADOR DEL NIVEL DE LIMITACION QUE EXHIBE UNA RESISTENCIA DIFERENCIAL NEGATIVA ASI COMO A LOS DISPOSITIVOS FORMADOS MEDIANTE EL MISMO. EL METODO COMPRENDE LA DEPOSITACION DE UNA PELICULA DE DIOXIDO DE SILICIO DERIVADA DE UNA RESINA DE SILSESQUIXANO DE HIDROGENO ENTRE AL MENOS DOS ELECTRODOS Y APLICANDO ENTONCES UN VOLTAJE POR ENCIMA DE UN VOLTAJE PREDETERMINADO POR ENCIMA DEL UMBRAL A LO LARGO DE LOS ELECTRODOS.
UN METODO PARA FORMAR SOBRE UN SUSTRATO UN REESTIMIENTO CERAMICO O SEMEJANTE A CERAMICO, EN MULTICAPA.
(01/03/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORTATION. Inventor/es: HALUSKA, LOREN ANDREW, TARHAY, LEO, MICHAEL, KEITH WINTON.
ESTA INVENCION SE REFIERE A MATERIALES PRODUCIDOS DILUYENDO EN UN DISOLVENTE UNA SOLUCION EN DISOLVENTE DE RESINA DE HIDROGENO SILSESQUIOXANO, QUE SE APLICA A UN SUSTRATO Y SE CERAMIFICA POR ACCION DEL CALOR. SOBRE EL REVESTIMIENTO DE SIO2 CERAMIFICADO, SE PUEDE APLICAR UNO O MAS REVESTIMIENTOS CERAMICOS QUE CONTIENEN SILICIO-CARBONO, SILICIO-NITROGENO O SILICIO-CARBONO-NITROGENO. PARA UNA MEJOR PROTECCION, TAMBIEN PUEDE APLICARSE UNA ULTIMA CAPA CVD O PECVD. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA RECUBRIR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.
PROCEDIMIENTO PARA FORMAR SOBRE UN SUSTRATO UN REVESTIMIENTO DE CAPAS MULTIPLES DEL TIPO DE CERAMICA O PARECIDO.
(01/03/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: HALUSKA, LOREN ANDREW, TARHAY, LEO, KEITH WINTON, MICHAEL.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A MATERIALES PRODUCIDOS MEDIANTE LA DILUCION EN UN DISOLVENTE DE UNA MEZCLA DE PRECERAMICA DE RESINA DE HIDROGENO SILSESQUIOXANO CATALIZADA CON PLATINO O RODIO. LA SOLUCION EN DISOLVENTE DE LA MEZCLA DE PRECERAMICA SE APLICA A UN SUSTRATO Y SE TRANSFORMA EN CERAMICA MEDIANTE CALENTAMIENTO. UNO O VARIOS REVESTIMIENTOS CERAMICOS CONTENIENDO SILICIO-CARBONO, SILICIO-NITROGENO, O SILICIO-CARBONO-NITROGENO PUEDEN APLICARSE SOBRE EL REVESTIMIENTO DE SIO2 TRANSFORMADO EN CERAMICA. UN REVESTIMIENTO SUPERIOR DE CVD O DE PECVD PUEDE SER APLICADO PARA OBTENER UNA PROTECCION SUPLEMENTARIA. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA REVESTIR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.
UN METODO PARA PRODUCIR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR FOTOVOLTAICO DE PELICULA DELGADA CON PRIORIDADES OPTICAS MEJORADAS.
(01/08/1984). Solicitante/s: EXXON RESEARCH AND ENGINEERING COMPANY.
METODO PARA PRODUCIR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR FOTOVOLTAICO DE PELICULA DELGADA CON PROPIEDADES OPTICAS MEJORADAS.COMPRENDE: A) PRODUCIR UNA CAPA ACTIVA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR EN DONDE LA SUPERFICIE DE AL MENOS UNA CARA DE DICHA CAPA ACTIVA ESTA TEXTURADA DE TAL MODO QUE LA SUPERFICIE INCLUYE MICROESTRUCTURAS ALEATORIAMENTE ESPACIADAS Y DENSAMENTE AGRUPADAS DE DIMENSIONES PREDETERMINADAS DEL ORDEN DE LA LONGITUD DE ONDA DE LA LUZ VISIBLE EN EL MATERIAL SEMICONDUCTOR; Y B) FIJAR DIRECTAMENTE UNA SUPERFICIE REFLECTANTE A UNA DE LAS CARAS DE DICHO MATERIALSEMICONDUCTOR Y ESTABLECER UN CONTACTO OHMICO CON EL MATERIAL.
