CIP-2021 : H01L 21/223 : utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase gaseosa.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/223 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase gaseosa.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
UN MÉTODO DE OBTENER UNA BARRERA RECTIFICADORA EN UNA GALLETA DE SEMICONDUCTOR.
(16/03/1961). Ver ilustración. Solicitante/s: RADIO CORPORATION OF AMERICA.
Un método de obtener una barrera rectificadora en una galleta de semiconductor, que comprende las etapas de ; precaldear por separado dicha galleta, dejando al descubierto una cara principal de la misma, y una carga que incluye una sustancia determinativa del tipo de conductividad, o impureza activa, a una temperatura superior al punto de fusión de dicha sustancia o impureza; inundar con dicha carga fundida la mencionada cara expuesta de dicha galleta, hasta disolver una parte de dicha galleta; enfriar dicha carga fundida y dicha galleta a una temperatura a la cual una parte de dicha galleta disuelta y dicha impureza o sustancia determinativa de tipo precipita y se recristaliza sobre la cara expuesta de la citada galleta; y separar luego por decantación el resto de dicha carga fundida.
