CIP-2021 : H01S 5/12 : teniendo el resonador una estructura periódica, p. ej. en láseres de realimentación distribuida [DFB] (que comprende una estructura fotónica de banda prohibida H01S 5/11;
láseres de emisión superficial H01S 5/18).
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO.
H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00).
H01S 5/12 · · teniendo el resonador una estructura periódica, p. ej. en láseres de realimentación distribuida [DFB] (que comprende una estructura fotónica de banda prohibida H01S 5/11; láseres de emisión superficial H01S 5/18).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
LASER DE SEMICONDUCTOR CON ESTRUCTURA DE REJILLA.
(01/03/2006). Solicitante/s: FORCHEL, ALFRED, PROF. DR. KAMP, MARTIN. Inventor/es: FORCHEL, ALFRED, PROF. DR., KAMP, MARTIN.
Láser de semiconductor con un sustrato de semiconductor, una capa de láser dispuesta sobre el sustrato de semiconductor, un puente guíaondas dispuesto a distancia de la capa láser y una estructura de rejilla en forma de tira dispuesta paralela a la capa de láser, caracterizado porque la estructura de rejilla presenta dos zonas que están dispuestas a ambos lados del puente guiaondas y formadas a distancia de la capa de láser sobre una capa de aislamiento por encima de la capa de láser.
SEMICONDUCTOR LASER COMPRIMIENDO UNA PLURALIDAD DE REGIONES ACTIVAS OPTICAMENTE.
(01/11/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW. Inventor/es: MARSH, JOHN HAIG, KIM, SHIN-SUNG.
Un dispositivo láser semiconductor de área amplia que comprende una pluralidad de regiones ópticamente activas ; y una pluralidad de regiones ópticamente pasivas ordenadas sustancialmente en relación lineal a lo largo del eje óptico del láser, incluyendo cada región ópticamente activa una estructura de pozo de quantum , estando separadas unas de otras regiones ópticamente activas adyacentes mediante una respectiva región ópticamente pasiva de pozo de quantum entremezclado , formando cada región ópticamente pasiva una región de difracción que actúa como un filtro de modo espacial para producir selectivamente una sola salida de modo transversal mediante pérdidas de difracción a modos de orden superior.
