CIP 2015 : C30B 31/00 : Procesos de difusión o de dopado de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada; Aparatos para estos efectos.

CIP2015CC30C30BC30B 31/00[m] › Procesos de difusión o de dopado de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada; Aparatos para estos efectos.

Notas[g] desde C30B 31/00 hasta C30B 33/00: Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada

C30B 31/02 · por contacto con la sustancia de difusión en estado sólido.

C30B 31/04 · por contacto con la sustancia de difusión en estado líquido.

C30B 31/06 · por contacto con la sustancia de difusión en estado gaseoso (C30B 31/18 tiene prioridad).

C30B 31/08 · · siendo la sustancia de difusión un compuesto de los elementos a difundir.

C30B 31/10 · · Recintos de reacción; Empleo de un material específico para este fin.

C30B 31/12 · · Calefacción del recinto de reacción.

C30B 31/14 · · Portasustrato o soportes.

C30B 31/16 · · Medios de introducción y evacuación de gases; Modificación de la corriente de los gases.

C30B 31/18 · · Control o regulación.

C30B 31/20 · Dopado por irradiación por medio de radiaciones electromagnéticas o por radiación corpuscular.

C30B 31/22 · · por implantación de iones.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

DIAMANTE CON SUPERFICIE ENRIQUECIDA.

(16/06/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Inventor/es: D\'EVELYN, MARK P., PARK, DONG-SIL, ANTHONY, THOMAS RICHARD, SPIRO, CLIFFORD LAWRENCE, MENG, YUE.

ESTA INVENCION SE REFIERE A UN CRISTAL DE DIAMANTE IMPURIFICADO CON ELEMENTOS QUE POSEE UNA MAYOR RESISTENCIA A LA FRACTURA COMPRENSIVA AUMENTANDO LA CONCENTRACION DE LAS IMPUREZAS DE IMPURIFICACION DEL ELEMENTO ENTRE EL CENTRO Y LA SUPERFICIE DEL CRISTAL DE DIAMANTE, GENERANDO ASI UNOS ESFUERZOS COMPRESIVOS TANGENCIALES EN LA SUPERFICIE DEL CRISTAL DE DIAMANTE. LA INVENCION TAMBIEN SE REFIERE A METODOS PARA LA PRODUCCION DEL CRISTAL DE DIAMANTE.

PIEDRAS PRECIOSAS DE CARBURO DE SILICIO.

(01/06/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: C3, INC. Inventor/es: HUNTER, CHARLES, ERIC, VERBIEST, DIRK.

SE CONSTITUYEN PIEDRAS PRECIOSAS SINTETICAS, CON EXTRAORDINARIO BRILLO Y DUREZA, A PARTIR DE MONOCRISTALES GRANDES DE IMPUREZA RELATIVAMENTE BAJA, CARBURO DE SILICIO TRANSLUCIDO DE UN SOLO POLITIPO, QUE SE HACEN CRECER EN UN SISTEMA DE HORNO DE SUBLIMACION. DICHOS CRISTALES SE CORTAN EN FORMA DE PIEDRAS PRECIOSAS RIGIDAS QUE SE CONFORMAN PARA PRODUCIR PIEDRAS PRECIOSAS ACABADAS. SE PUEDE OBTENER UNA AMPLIA GAMA DE COLORES Y TONOS MEDIANTE DOPAJE SELECTIVO DEL CRISTAL DURANTE SU CRECIMIENTO. SE PUEDE PRODUCIR TAMBIEN UNA GEMA INCOLORA HACIENDO CRECER EL CRISTAL SIN DOPAR EN UN SISTEMA PRACTICAMENTE EXENTO DE ATOMOS DE IMPUREZAS NO DESEADAS.

CONJUNTOS DE CRISTALES ORIENTADOS.

(01/04/2004). Solicitante/s: ROBERTS, ELLIS E. Inventor/es: ROBERTS, ELLIS E.

SE PRESENTA UN ARTICULO DE FABRICACION QUE COMPRENDE UNOS CRISTALES SENCILLOS SINTETICOS DE TALLA Y FORMA UNIFORME SELECCIONADOS DE ENTRE UN GRUPO QUE CONSISTE EN NITRURO DE BORO CUBICO O DE DIAMANTE Y MANTENIDOS EN UNA FORMACION (FIG. 1, 10, 19, 33) CON UNAS DIRECCIONES CRISTALOGRAFICAS SELECCIONADAS DE LOS CRISTALES ORIENTADAS EN LA MISMA DIRECCION PARA QUE LOS CRISTALES EXHIBAN COMO UN GRUPO UNA DIRECCION CRISTALOGRAFICA COMUN QUE PUEDE SER SELECTIVAMENTE LA DIRECCION MAS DURA O LA QUE ES CASI LA MAS DURA, Y UN METODO DE FABRICACION DE UN ARTICULO. ESTA ORIENTACION SACA PARTIDO DE LAS PROPIEDADES DE DUREZA DE LOS CRISTALES INDIVIDUALES POR MEDIO DE IMPARTIR ESTAS PROPIEDADES AL MONTAJE. DE ESTA FORMA, VARIOS MODELOS DEL ARTICULO SON UTILES COMO UN ABRASIVO, UN PORTADOR, UN FOCO FRIO O UN SEMICONDUCTOR.

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA FABRICAR CRISTALES ASI COMO CRISTAL.

(16/12/1994). Solicitante/s: URLAND, WERNER PROF.DR.RER.NAT. TIETZ, FRANK DIPL.-CHEM. Inventor/es: URLAND, WERNER PROF.DR.RER.NAT., TIETZ, FRANK DIPL.-CHEM.

SE DESCRIBEN UN PROCEDIMIENTO Y UN DISPOSITIVO PARA FABRICAR CRISTALES Y CRISTALES COMO RESULTADO DE ESTE PROCEDIMIENTO. EL PROCEDIMIENTO SE REFIERE A CRISTALES QUE CONTIENEN UNA REJILLA RECEPTORA DE OXIDO DE (BETA)-ALUMINIO E IONES DE SODIO EN LOS PLANOS CONDUCTORES. ESTOS IONES DE SODIO SE SUSTITUYEN PARCIAL O COMPLETAMENTE POR IONES TRIVALENTES DE TIERRAS RARAS MEDIANTE UN INTERCAMBIADOR DE IONES. UNA CARACTERISTICA ESENCIAL DEL PROCEDIMIENTO CONSISTE EN SUMERGIR CRISTALES-NA-(BETA)-AL SUB 2O SUB 3 DESHIDRATADOS EN UNA MASA FUNDIDA PURA DE SE X SUB 3-(X = CL, BR, L), MANTENIENDOLOS AHI A UNA TEMPERATURA Y DURANTE UN TIEMPO DE PROCESO PREFIJADOS.