CIP 2015 : H01L 33/08 : con una pluralidad de regiones electroluminiscentes, p. ej.

capa de emisión de luz lateralmente discontinua o región fotoluminiscente integrada en el cuerpo de semiconductores (H01L 27/15  tiene prioridad).

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H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).

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CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Un procedimiento para producir estructuras de columna UV que emiten luz y las estructuras producidas usando este procedimiento.

(29/04/2020) Un procedimiento para producir estructuras de columna UV emisoras de luz usando la epitaxia de los compuestos organometálicos de la fase gaseosa en una placa de Sustrato de Zafiro con Patrón (PSS) que tiene una superficie para epitaxia provista con salientes con una forma regular, que tiene una punta y una superficie lateral, en particular salientes con una forma cónica, caracterizado porque comprende las etapas de: A. depositar una capa de nucleación de AIN de baja temperatura (también llamada nucleica) en los salientes del sustrato PSS, en particular sobre la superficie lateral de un saliente y sobre la punta de un saliente en la que en una temperatura de 600 °C a 750 °C, preferiblemente 680 °C, con una presión dentro de un intervalo de 0 a 20 kPa, preferiblemente 5 kPa, se…

Dispositivo monolítico fuente de luz cuántica ajustable y circuito óptico cuántico del mismo.

(18/12/2019) Un dispositivo para emitir fotones individuales o pares de fotones entrelazados, donde el dispositivo es monolítico y comprende, sobre un sustrato de material semiconductor seleccionado de entre: material semiconductor tipo p, material semiconductor tipo n y material semiconductor intrínseco: • un diodo inferior localizado encima del sustrato y que comprende: • un bloque de material semiconductor seleccionado entre: material semiconductor tipo p y material semiconductor tipo n; teniendo el bloque el mismo tipo de dopado que el sustrato cuando el sustrato está dopado, • una primera capa de material semiconductor dispuesta en el bloque y que tiene el mismo tipo de dopado que el bloque • una segunda capa de material semiconductor localizada sobre el primer material…

MICRODIODO EMISOR DE LUZ DE NITRURO CON ALTO BRILLO Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO.

(11/04/2011) LED (diodo emisor de luz) de nitruro, que comprende: una pluralidad de pilares luminosos que tienen una capa de GaN de tipo n dispuestos sobre un substrato , una capa emisora de luz dispuesta sobre la capa de GaN de tipo n , y una capa de GaN de tipo p dispuesta sobre la capa emisora de luz ; un material de relleno de huecos relleno entre los pilares luminosos para tener substancialmente la misma altura que los pilares luminosos ; un electrodo transparente de tipo p dispuesto sobre una superficie superior del material de relleno de huecos y los pilares luminosos ; un electrodo de tipo p dispuesto sobre el electrodo transparente de tipo p ; y un electrodo de tipo n conectado eléctricamente a…

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