CIP-2021 : C30B 13/22 : por irradiación o por descarga eléctrica.
CIP-2021 › C › C30 › C30B › C30B 13/00 › C30B 13/22[2] › por irradiación o por descarga eléctrica.
Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 13/00 Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (C30B 17/00 tiene prioridad; por cambio de la sección transversal del sólido tratado C30B 15/00; bajo un fluido protector C30B 27/00; crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B 28/00; afinado por fusión de zona de materiales específicos, ver las subclases apropiadas para estos materiales).
C30B 13/22 · · por irradiación o por descarga eléctrica.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE CRISTALES DE SILICIO PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS.
(01/06/1990). Solicitante/s: PHOTOWATT INTERNATIONAL S.A. Inventor/es: SLOOTMAN, FRANK, AMOUROUX, JACQUES, MORVAN, DANIEL, APOSTOLIDOU, HELENE.
Procedimiento para la obtención de cristales de silicio para aplicaciones fotovoltaicas y que presenta un rendimiento de conversión fotovoltaica al menos igual al 10 % según el cual se realiza una purificación del silicio por paso a través de un chorro de plasma, a partir de desechos de silicio reciclables del tipo P o del tipo N, mono o policristalinos que presentan un grado de impurezas y un estado de cristalización tales que su resistividad sea al menos igual a 0,05 ohm.cm.