CIP 2015 : C30B 15/02 : introduciendo en el material fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ .

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Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos

C SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.

C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.

C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.

C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00).

C30B 15/02 · introduciendo en el material fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ .

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Método y reactor de crisol para producir silicio o un metal reactivo.

(21/06/2013) Un método para producir silicio o un metal reactivo, que comprende: introducir una alimentación que contiene silicio o una alimentación que contiene metal reactivo en una cámara dereacción, donde la cámara de reacción incluye una pared de la cámara de reacción que tiene (i) una superficieinterior orientada hacia un espacio de reacción y (ii) una superficie exterior opuesta; generar una primera energía térmica dentro del espacio de reacción suficiente para generar un producto de siliciolíquido o un producto de metal reactivo líquido; generar una segunda energía térmica exterior a la pared de la cámara de reacción, de manera que un flujo decalor desde la segunda energía térmica impacta inicialmente con la superficie exterior de la pared de la cámarade reacción; y establecer…

Método para generar grietas en varilla de silicio policristalino y aparato de generación de grietas.

(23/05/2012) Metodo de generaci6n de grietas en una varilla de silicio policristalino, que comprende: 5 calentar una varilla de silicio policristalino; posteriormente realizar un enfriamiento de parte local de la varilla de silicio policristalino para aplicar unfluido refrigerante sobre at menos una zona a modo de punto de una superficie de la varilla de siliciopolicristalino; y realizar un enfriamiento completo para hacer que una sustancia refrigerante entre en contacto con unasuperficie completa de la varilla de silicio policristalino tras el enfriamiento de parte local, caracterizado porque el fluido refrigerante se expulsa desde boquillas dispuestas a ambos lados de lavarilla de silicio policristalino, porque una pluralidad…

Sistema de manipulación de materiales para mover polvo de silicio.

(17/04/2012) Un sistema de manipulación de materiales para mover polvo de silicio desde un dispositivo de almacenamiento hasta un horno , comprendiendo el sistema: un alimentador contrarrotativo de avance por doble tornillo sin fin que se extiende desde el dispositivo de almacenamiento hasta el receptor; comprendiendo el alimentador contrarrotativo de avance por doble tornillo sin fin: un miembro externo de avance por tornillo sin fin; un miembro interno de avance por tornillo sin fin; estando colocado el miembro externo de avance por tornillo sin fin en un tubo del miembro externo de avance por tornillo sin fin; estando colocado el miembro interno de avance por tornillo sin fin en un tubo del miembro interno de avance por tornillo sin fin; colocando un tubo de proceso el alimentador contrarrotativo de…

RELLENO CONTINUO DE MASA FUNDIDA PARA EL CRECIMIENTO DE CRISTALES.

(01/03/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: EVERGREEN SOLAR INC.. Inventor/es: WALLACE, RICHARD, L., JR., SACHS, EMANUEL, M., MARTZ, JENNIFER.

Un método para hacer crecer en continuo una cinta cristalina que comprende los pasos de: a) introducir un material fuente granular en un alimentador; b) disponer un volumen de material fuente granular (108’, 108’’) que sale del alimentador sobre una cinta móvil en translación que comprende un par de labios elevados , formando el volumen del material fuente granular un ángulo de reposo (’) con la cinta móvil; c) alimentar de forma continua el material fuente granular dispuesto en la cinta móvil a un crisol que comprende una masa fundida del material fuente granular a un régimen basado en el ángulo de reposo; y d) crecer de forma continua una cinta cristalina por solidificación de la masa fundida en una interfase sólido- líquido.

CONTROL DE LA PROFUNDIDAD DEL MATERIAL FUNDIDO PARA EL CRECIMIENTO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DESDE UN MATERIAL FUNDIDO.

(16/01/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: EVERGREEN SOLAR INC.. Inventor/es: WALLACE, RICHARD, L., JR., KRAUCHUNE, RICHARD, C.

Un método de crecimiento continuo de cristales que comprende las etapas de: a) proporcionar un crisol que comprende un material fundido a partir de un material fuente; b) suministrar al material fundido de forma continua un material fuente adicional; c) hacer pasar una señal de entrada a través del material fundido; d) medir la señal de salida, generada en respuesta a la señal de entrada, a través de dos electrodos (C, D) en contacto directo con el crisol o el material fundido, estando relacionaba la señal de salida con una profundidad del material fundido; e) mantener la profundidad del material fundido a un nivel sustancialmente constante ajustando una velocidad de suministro del material fuente adicional utilizando la señal de salida; y f) hacer crecer de forma continua una cinta cristalina mediante la solidificación del material fundido.

SISTEMA DE ALIMENTACION DE SILICIO.

(01/09/2001) UN SISTEMA DE ALIMENTACION DE BOLAS DE SILICIO PARA UTILIZARSE CON UN HORNO DE FUSION DE SILICIO UTILIZAR PARA FORMAR UNA CAPA DE SILICIO. SE ACOPLA UN DEPOSITO QUE CONTIENE PARTICULAS DE ALIMENTACION AL EXTREMO SUPERIOR DE UN TUBO DE ALIMENTACION. EL EXTREMO INFERIOR DEL TUBO DE ALIMENTACION SE COLOCA JUNTO A UN PAR DE RODILLOS QUE GIRAN CONDUCIDOS POR UN MOTOR MEDIANTE UN ACOPLAMIENTO Y UN PAR DE ENGRANAJES. LOS RODILLOS SE MONTAN CON UN ANGULO CON RESPECTO A LA HORIZONTAL Y EL EXTREMO DE TOMA DE CORRIENTE DEL DE LA RUTA DE ALIMENTACION DEL RODILLO SE COLOCA SOBRE UN TUBO DE SUMINISTRO QUE LLEVA AL HORNO DE FUSION DE SILICIO. LOS ELEMENTOS ESTAN RODEADOS POR UN RECINTO QUE TIENE UNA SALIDA AL VACIO PARA…

SISTEMA DE SUMINISTRO DE SILICIO.

(16/07/1989). Ver ilustración. Solicitante/s: WESTINGHOUSE ELECTRC CORPORATION. Inventor/es: KOCHKA, EDGAR LEONARD.

SISTEMA DE SUMINISTRO DE SILICIO. UN APARATO PARA SUMINISTRAR PARTICULAS DE SILICIO DE DIVERSOS TAMAÑOS Y FORMAS A UN BAÑO DE SILICIO FUNDIDO CONTENIDO EN UN CRISOL SITUADO EN UN HORNO A PARTIR DEL CUAL SE EXTRAE UNA CINTA DE SILICIO MONOCRISTALINO EN FORMA DE HOJA DENDRITICA, RECIBE LAS PARTICULAS DE SILICIO A PARTIR DE UN DEPOSITO A TRAVES DE UN TUBO DE SUMINISTRO CONECTADO CON UNA ENVOLTURA QUE CONTIENE UN TORNILLO SIN FIN QUE ESTA CONSTITUIDO POR UNA MULTITUD DE CERDAS NO METALICAS QUE SE EXTIENDEN A PARTIR DE UN EJE GIRATORIO DISPUESTO EN LA ENVOLTURA CILINDRICA NO METALICA. EL TORNILLO SIN FIN DESPLAZA LAS PARTICULAS DE SILICIO DESDE EL TUBO DE SUMINISTRO A TRAVES DE LA ENVOLTURA HASTA EL TUBO DE DESCARGA A TRAVES DEL CUAL CAEN EN EL HORNO. TODAS LAS SUPERFICIES DEL APARATO DE SUMINISTRO NO SON METALICAS PARA GARANTIZAR QUE LAS PARTICULAS SE MANIPULARAN ESENCIALMENTE SIN ADQUIRIR CONTAMINANTES METALICOS.

SISTEMA DE FUSION PARA EL CRECIMIENTO DE UNA PLACA DENDRITICA.

(01/06/1983). Solicitante/s: WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION.

SISTEMA DE FUSION PARA EL CRECIMIENTO DE UNA PLACA DENDRITICA. CONSTA DE UN CUERPO DE FORMA ALARGADA QUE TIENE POSICIONES EXTREMAS REDONDEADAS , ELEMENTOS DE APANTALLAMIENTO DE CALOR LATERALES , UNA PANTALLA DE CALOR EXTREMA Y UNA PANTALLA DE CALOR SUPERIOR, INCORPORADAS EN EL CONJUNTO DE LA TAPA. LA PLACA DENDRITICA SE EXTRAE DESDE UN ORIFICIO TERMINADO POR UNAS PLACAS CIRCULARES . EXISTE UN AGUJERO PARA LA ALIMENTACION DE PASTILLAS DE MATERIAL. ESPECIALMENTE APLICADO AL CRECIMIENTO DE CUERPOS CRISTALINOS A BASE DE SILICIO.