CIP 2015 : H01L 21/48 : Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores,

antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.

CIP2015HH01H01LH01L 21/00H01L 21/48[3] › Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.

Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:

H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

H01L 21/48 · · · Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Procedimiento para la fabricación de un sustrato de nitruro de aluminio.

(10/04/2019) Procedimiento para la fabricación de un sustrato de nitruro de aluminio AIN para su utilización como soporte para componentes electrónicos en aplicaciones de baja tensión, caracterizado porque comprende las etapas sucesivas siguientes: a) disolución de un precursor de óxido en forma de un compuesto organometálico en un solvente orgánico para obtener una solución, b) dispersión de un polvo fino y puro de AIN en la solución obtenida anteriormente por agitación vigorosa para obtener una suspensión, c) atomización bajo atmósfera inerte de la suspensión obtenida de este modo para obtener un polvo granulado que presenta granos de AIN recubiertos por una capa del precursor de óxido, d) proyección, a alta temperatura y alta velocidad, del polvo que presenta granos de AIN recubiertos por una capa del precursor de…

Método para formar depósitos de soldadura sobre sustratos.

(06/01/2016) Un método de formación de un depósito de soldadura sobre un sustrato, que comprende las siguientes etapas: a. proporcionar un sustrato que incluye una superficie de cobre o de aleación de cobre que incluye al menos un adaptador de contacto de capa interna b. formar una abertura para el al menos un adaptador de contacto de capa interno que se extiende a través de la superficie de cobre c. poner en contacto la totalidad de la superficie de sustrato que incluye la abertura y el al menos un adaptador de contacto de capa interno con una solución adecuada para proporcionar una capa conductora sobre la superficie de sustrato, d. depositar y modelar una capa de material resistente…

Metalización multinivel sobre un sustrato de cerámica.

(16/12/2015) Procedimiento para la preparación de una metalización multinivel de cobre sobre un sustrato de cerámica de AlN o Al2O3, mediante el cual se crean sobre un mismo sustrato de cerámica áreas de alto rendimiento con metalizaciones con mayor capacidad de carga de corriente eléctrica y áreas de bajo rendimiento con metalizaciones con menor capacidad de carga de corriente eléctrica, caracterizado por los siguientes pasos de procedimiento, que deben realizarse sucesivamente: a) impresión de una metalización base conjunta para el área de alto rendimiento y el área de bajo rendimiento de una pasta base de…

Disipador térmico para LED de funcionamiento por ciclos.

(18/03/2015) Un dispositivo electrónico portátil que comprende: una carcasa; una cámara ubicada en la carcasa; y un ensamblaje de fuente de luz ubicado en la carcasa adyacente a la cámara ; el ensamblaje de fuente de luz incluye: un sustrato que posee una primera y una segunda superficies principales; una fuente de luz de diodo emisor de luz en ciclo adaptada para proporcionar iluminación al objeto cuya imagen está siendo procesada por la cámara, estando el diodo emisor de luz ubicado de forma adyacente a la primera superficie principal del sustrato ; y que se caracteriza porque el ensamblaje de fuente de luz también incluye un disipador de calor que comprende una lámina de grafito. El disipador de calor se encuentra en una asociación de conducción de calor con la segunda superficie principal del sustrato , y el disipador de…

Procedimiento para la producción de una pieza constructiva mediando utilización de una introducción asimétrica de energía a lo largo de la línea de separación o de rotura nominal.

(28/08/2013) Procedimiento para la producción de una pieza constructiva, en el que sobre por lo menos un lado de la superficiede la pieza constructiva se produce una línea de separación o de rotura nominal mediante el recurso de que enprimer lugar, en una etapa de tratamiento o de procedimiento térmico. la línea de separación o de rotura nominal secalienta localmente mediante una introducción de energía y a continuación se enfría bruscamente con un medio derefrigeración, de tal manera que en la pieza constructiva mediante este cambio de temperatura resulta unadeliberada formación de grietas o debilitación del material a lo largo de la línea de separación o de rotura nominal,caracterizado por que la introducción de energía se efectúa asimétricamente a lo largo de separación…

Procedimiento para la fabricación de un soporte de conexión.

(27/06/2012) Procedimiento para fabricar un soporte de conexión, comprendiendo dicho procedimiento las etapas de: preparar una placa metálica para formar un soporte de conexión, formar una capa seca protectora sobre toda la superficie frontal y posterior de la placa metálica , eliminar partes de la capa seca protectora utilizando máscaras que tienen patrones del soporte de conexión tanto en la superficie frontal como posterior de la placa metálica , formar sucesivas capas de recubrimiento (1a) de níquel, paladio y oro sobre las superficies de dicha placa metálica expuesta por dicha etapa de eliminación, quitar dichas partes que quedan de dicha película seca , realizar una máscara…

METODO DE UTILIZACION PERMANENTE DE UN MATERIAL SEGUN UN EJE Z.

(01/06/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: W.L. GORE & ASSOCIATES, INC.. Inventor/es: BUDNAITIS, JOHN J., LEONG, JIMMY.

LA PRESENTE INVENCION ESTA RELACIONADA CON UN SISTEMA Y UN METODO PARA REALIZAR EL EXAMEN DE FIABILIDAD DE LOS DISCOS DE SEMICONDUCTORES, Y PARTICULARMENTE, UN APARATO DE FRITADO MUY PLANO Y UN METODO PARA USARLO EN EL FRITADO NIVELADO DE DISCOS (WLBI), EL FRITADO DE MATRICES CUADRICULADAS (DDBI) Y EL FRITADO DE MATRICES EMPAQUETADAS (PDBI). EL SISTEMA DE FRITADO SE COMPONE DE UN SUSTRATO DE FRITADO DE BASE PLANA, UN MIEMBRO CONECTOR EN EL EJE Z TEMPORAL Y UNA HOJA DE CONTACTO NIVELADO DE DISCOS EN EL EJE Z CONECTADA ELECTRICAMENTE A OTRA PARA EXAMINAR DISCOS, MATRICES CUADRICULADAS, Y COMPONENTES ELECTRONICOS EMPAQUETADOS, SU MONTAJE Y USO.

PROCEDIMIENTO Y COMPOSICIONES PARA IMPRIMIR SUSTRATOS.

(01/03/2004). Solicitante/s: INSTITUT FIR NEUE MATERIALIEN GEM. GMBH. Inventor/es: SCHMIDT, HELMUT, MENNIG, MARTIN, KALLEDER, AXEL, KREUTZER, RAINER.

Procedimiento para la fabricación de sustratos impresos que consiste en aplicar sobre un sustrato formando una imagen una pasta de imprimir que consta de a) un condensado basado en poliorganosiloxanos que forma la matriz y se obtiene por un procedimiento sol-gel y b) una o varias cargas de relleno colorantes, luminiscentes, conductoras y/o activas catalíticamente, y se solidifica por aplicación de calor, caracterizado porque la solidificación se lleva a cabo a una temperatura que es más baja que la temperatura de transición vítrea de la matriz que se forma.

METODO Y APARATO PARA LA FABRICACION DE DISIPADORES DE CALOR DE ALTA DENSIDAD DE ALETAS.

(01/11/2002). Solicitante/s: R-THETA INC. Inventor/es: LIPINSKI, JOSEPH.

SE DESCRIBE UN METODO PARA EL MOLDEADO DE UN DISIPADOR TERMICO DE ALETAS DE ELEVADA DENSIDAD A PARTIR DE UNA SERIE DE ALETAS , TENIENDO CADA UNA, UNA PARTE INFERIOR DE PERFIL, POR LO GENERAL, EN FORMA DE CAMPANA Y UNA UNIDAD BASE DE ESPESOR PREDETERMINADO QUE TIENE UNA SERIE DE RANURAS EN ELLA. EL METODO COMPRENDE LOS PASOS DE COLOCACION DE LA SERIE DE ALETAS SUELTAS EN LAS RESPECTIVAS RANURAS Y EN LA APLICACION DE PRESION HACIA ABAJO Y HORIZONTAL A LA UNIDAD BASE INTERMEDIA RESPECTIVA DE LAS ALETAS PARA ESTAMPAR LA UNIDAD BASE DE TAL MODO QUE OBLIGUE A LAS ALETAS A ENTRAR HACIA ABAJO EN LAS RANURAS , CREANDO POR ELLO UNA UNION RESISTENTE ENTRE LA UNIDAD BASE Y LAS ALETAS CON EXCELENTE CONTACTO TERMICO ENTRE ELLAS.

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UN ELEMENTO DE SOPORTE PARA CHIPS SEMICONDUCTORES.

(16/09/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: FISCHER, JURGEN, HOUDEAU, DETLEF, STAMPKA, PETER, HUBER, MICHAEL, HEITZER, JOSEF, GRAF, HELMUT.

ELEMENTO SOPORTE PARA UN CHIP SEMICONDUCTOR, ESPECIALMENTE PARA MONTAJE EN TARJETAS DE CHIP, CON UN SUBSTRATO QUE SOPORTA EL CHIP Y UNA LAMINA (109 DE REFUERZO LAMINADA SOBRE LA CARA DEL SUBSTRATO QUE PORTA EL CHIP . LA LAMINA DE REFUERZO TIENE UNA CAVIDAD PARA LA RECEPCION DEL CHIP Y SUS CONDUCCIONES DE CONEXION, CUYO BORDE ESTA PROVISTO CON UN MARCO QUE FORMA UNA PIEZA INDIVIDUAL CON LA LAMINA.

MODULO ELECTRONICO PARA TARJETAS Y FABRICACION DEL MISMO.

(16/09/2002). Solicitante/s: GIESECKE & DEVRIENT GMBH. Inventor/es: HAGHIRI-TEHRANI, YAHYA.

PARA LA FABRICACION DE UN MODULO ELECTRONICO CON CIRCUITO DE CONEXION INTEGRADO SE ELABORA UN PRODUCTO DE PARTIDA ESTANDARDIZADO, COMPUESTO DE UNA SUSTANCIA AISLANTE, QUE ESTA PROVISTA CON UN RECUBRIMIENTO CONDUCTOR. EN EL RECUBRIMIENTO CONDUCTOR SE CONFIGURAN SUPERFICIES DE CONTACTO POR MEDIO DE INTERRUPCIONES. EN LA CAPA AISLANTE DEL PRODUCTO DE PARTIDA SE APLICAN CAVIDADES CON LA AYUDA DE UNA HERRAMIENTA DE FRESADO, A TRAVES DE LAS CUALES SE GUIEN MAS TARDE LOS COMPUESTOS CONDUCTORES ENTRE LAS SUPERFICIES DE CONTACTO Y EL CIRCUITO DE CONEXION INTEGRADO. LA CAPA DE LAS CAVIDADES SE ADAPTADA AL CIRCUITO DE CONEXION INTEGRADO INSTALADO DE ACUERDO CON EL TAMAÑO EN EL MODULO ELECTRONICO.

PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR SOPORTES DISTANCIADORES METALICOS EN UNA PLACA DE CIRCUITO IMPRESO.

(16/02/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE IMEC. Inventor/es: PEETERS, JORIS ANTONIA FRANCISCUS, VANDAM, LOUIS JOSEPH, ALLAERT, KOENRAAD JULIAAN GEORGES, ACKAERT, ANN MARIE, VAN CALSTER, ANDRE, VEREEKEN, MARIA EUGENIE ANDRE, ZHANG, SUIXIN, DE BAETS, JOAHN, VANDERVELDE, BART LEO ALFONS MAURICE.

SE DESCRIBE UN PROCESO PARA CREAR RESALTES DE CONTACTO METALICOS EN UNA PLACA DE CIRCUITO IMPRESO (PCB). EL PROCESO PERMITE OBTENER RESALTES DE CONTACTO CONSTITUIDOS POR TRES CAPAS SUCESIVAS DE METAL (CU1, CU2 Y CU3 O NI) DE LAS CUALES AL MENOS LAS DOS PRIMERAS SON DE COBRE. LA ALTURA DEL RESALTE DE CONTACTO ASI CREADO ES SUFICIENTE PARA UTILIZARLO EN LA TECNOLOGIA FLIP CHIP PARA MONTAR CHIPS SOBRE UNA PLACA DE CIRCUITO IMPRESO. EL PRESENTE PROCESO SE REALIZA DE ACUERDO CON LAS TECNICAS DE GALVANOPLASTIA O DE CHAPADO ELECTROQUIMICO.

CUERPO DE REFRIGERACION PARA COMPONENTES SEMICONDUCTORES.

(16/12/2001). Solicitante/s: ALUSUISSE TECHNOLOGY & MANAGEMENT AG. Inventor/es: BOCK, UWE, GLUCK, JOACHIM.

LA INVENCION SE REFIERE A UN CUERPO DE ENFRIAMIENTO PARA ELEMENTO COMPONENTE SEMICONDUCTOR O APARATO SIMILAR. EL CUERPO DE ENFRIAMIENTO MUESTRA NERVIOS DE ENFRIAMIENTO CONECTADOS Y DISPUESTOS EN UNA APLICACION DE ALUMINIO U OTRO METAL LIGERO PRESIONADOS MEDIANTE EXTRUSION, DISPUESTOS A UNA DISTANCIA UNO DE OTRO EN UN PERFIL BASICO. SE DISPONE DE FORMA FIJA RESPECTIVA EN UNA RANURA DE APLICACION O CAVIDAD SIMILAR DEL PERFIL BASICO. LOS NERVIOS DE ENFRIAMIENTO SE CONFIGURAN DE FORMA RESPECTIVA COMO PLACAS (16,16') DE REFRIGERACION A BASE DE TIRAS DE MATERIAL DELGADO (ESPESOR D) Y SU CORTE LONGITUDINAL SE AMPLIA AL MENOS EN LA ZONA DE SU UNION CON EL PERFIL BASICO.

CUERPO DE REFRIGERACION PARA COMPONENTES SEMICONDUCTORES O SIMILARES.

(01/12/2001). Solicitante/s: ALUSUISSE TECHNOLOGY & MANAGEMENT AG. Inventor/es: BOCK, UWE.

LA INVENCION SE REFIERE A CUERPOS HUECOS PARA ELEMENTOS CONSTRUCTIVOS SEMICONDUCTORES O APARATOS SIMILARES, EN PARTICULAR UNIDAD DE ENFRIAMIENTO DE ALTA POTENCIA A BASE DE ALUMINIO PRENSADO DE EXTRUSION U OTROS METALES LIGEROS, CON NERVIOS DE ENFRIAMIENTO APLICADOS A UNA DISTANCIA UNO DESPUES DE OTRO E INCLUIDOS EN UNA PLACA BASICA, QUE SE CONFIGURA RESPECTIVAMENTE COMO PERFIL HUECO CON DOS PAREDES DE NERVIOS PARALELOS UNO A OTRO Y CON BARRAS TRANSVERSALES DE UNION. LOS NERVIOS DE ENFRIAMIENTO SE ALOJAN DE MANERA FIJA EN UNA RANURA DE UTILIZACION O CAVIDAD SIMILAR DE LA PLACA BASICA. JUNTO A CADA UNO DE LAS RANURAS 22 DE UTILIZACION DEL CUERPO 10 DE ENFRIAMIENTO, CONTENIENDO UN NERVIO 10 DE ENFRIAMIENTO, SE DISPONE EN LA PLACA 14 BASICA UNA RANURA 24 DE UTILIZACION LIBRE, QUE RECIBE UN NERVIO 30A DE ENFRIAMIENTO EN SENTIDO CONTRARIO DE UN SEGUNDO CUERPO 10 DE ENFRIAMIENTO, EN CUYA PLACA BASICA ENGRANAN LOS NERVIOS 30 DE ENFRIAMIENTO DEL PRIMER CUERPO DE ENFRIAMIENTO.

TRATAMIENTO DE CUADROS DE CONDUCTORES PARA DISPOSICIONES DE PAQUETES MOLDEADOS.

(01/12/2000). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: BENZONI, ALBERT MICHAEL.

SE DESCUBRE UN METODO PARA PROCESAR UN MARCO DE PLOMO PARA SU USO CON UN EMPAQUETADO MOLDEADO. EN PARTICULAR, EL METODO ES ADECUADO PARA DISPOSICIONES DONDE LOS LUGARES DE ACOPLAMIENTO DIRECTO DE CABLEADO ESTEN EXPUESTOS A TRAVES DEL MATERIAL DE MOLDEADO. LOS PROCESOS DE MOLDEADO CONVENCIONALES NORMALMENTE DEJAN UN RESIDUO DE MATERIAL DE MOLDEADO SOBRE LOS LUGARES DE CABLEADO EXPUESTOS . LA INVENCION SE DIRIGE A INCLUIR UNA CAPA PROTECTORA DE MATERIAL SOBRE LAS LOCALIZACIONES DE CABLEADO DURANTE LA OPERACION DE EMPLATADO DE MARCO DE PLOMO . LA CAPA PROTECTORA ( Y CUALQUIER RESIDUO DE MOLDEADO QUE CUBRA LA CAPA PROTECTORA) PUEDE ENTONCES RETIRARSE USANDO UN AGUAFUERTE DESPUES DE LA OPERACION DE MOLDEADO, EXPONIENDO LOS LUGARES DE CONTACTO DEL CABLEADO QUE QUEDABAN DEBAJO.

METODO PARA INTERCONECTAR UN DISPOSITIVO ELECTRONICO UTILIZANDO UN MEDIO PORTADOR DE SOLDADURA, RETIRABLE.

(16/11/2000). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: JIN, SUNGHO, MCCORMACK, MARK THOMAS.

SEGUN LA INVENCION, SE ADHIERE UN DISPOSITIVO ELECTRONICO QUE TIENE UNA O MAS ALMOHADILLAS DE CONTACTO A UNA RED DE PARTICULAS DE SOLDADURA TRANSFERIBLES QUE HAY SOBRE UNA LAMINA DE SOPORTE RETIRABLE . EL SOPORTE SE RETIRA, MEDIANTE DISOLUCION, POR EJEMPLO, DEJANDO LA SOLDADURA SELECTIVAMENTE ADHERIDA A LAS ALMOHADILLAS DE CONTACTO. EN UN ASPECTO PREFERENTE DE LA INVENCION, EL MEDIO DE SOPORTE DE LA SOLDADURA ES SOLUBLE EN AGUA Y LAS PARTICULAS DE SOLDADURA CONTIENEN UNAS PARTICULAS MAGNETICAS REVESTIDAS CON UNA SOLDADURA. LA APLICACION DE UN MATERIAL MAGNETICO MIENTRAS EL MEDIO SE SECA O SE CURA, HACE QUE SE PRODUZCA UNA RED REGULAR DE LAS PARTICULAS REVESTIDAS CON LA SOLDADURA. MEDIANTE LA UTILIZACION DE ESTE METODO, SE PUEDEN INTERCONECTAR FACILMENTE DISPOSITIVO QUE TIENEN UNAS ESTRUCTURAS DE CONTACTO MAS PEQUEÑAS DE LO NORMAL.

PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE CUERPOS COMPUESTOS CERAMICOS.

(16/11/1999) LA INVENCION TRATA DE UN PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR CUERPOS CERAMICOS COMPUESTOS QUE SE COMPONEN DE AL MENOS DOS CAPAS CON MEJOR ADHESION ENTRE LAS CAPAS Y MEJOR HOMOGENEIDAD DENTRO DE LAS CAPAS, OBTENIENDOSE UN SUSTRATO CERAMICO CON PROPIEDADES OPTIMAS DE RUGOSIDAD, APLICANDOSE A UN PORTADOR DE PLASTICO UNA CAPA DE FANGLOMERADO CERAMICO QUE CONTIENE UNA CAPA DE POLVO DE MATERIA PRIMA CERAMICA FINAMENTE DIVIDIDA, UN COMPUESTO ORGANICO DE FORMADOR DE HOJAS, Y UN DISOLVENTE; LA SUPERFICIE DE LA HOJA PORTADORA DE PLASTICO TIENE EL GRADO DE RUGOSIDAD IGUAL A LA RUGOSIDAD DEL SUSTRATO CERAMICO, Y SE SILANIZA, EL DISOLVENTE SE EVAPORA Y LA HOJA DE CERAMICA SE SEPARA DE LA HOJA PORTADORA DE PLASTICO; SE APLICA UNA CAPA DE UN SEGUNDO FANGLOMERADO SERAMICO QUE TIENE…

PIEZAS DE CERAMICA DE CAPAS MULTIPLES.

(16/10/1998) SE PREPARA UNA PIEZA DE CERAMICA DE CAPAS MULTIPLES, INCLUYENDO CAPAS DE CERAMICA DIELECTRICAS Y CAPAS CONDUCTORAS INTERNAS, FORMANDO CAPAS DE CERAMICA DIELECTRICAS DE UN MATERIAL DE CERAMICA DIELECTRICA DE SISTEMA OXIDO, QUE TIENE UNA TEMPERATURA DE TERMINO DE LA SINTERIZACION ENTRE EL PUNTO DE FUSION Y EL PUNTO DE EBULLICION DEL CONDUCTOR INTERNO. SE FORMA UN PATRON DEL CONDUCTOR INTERNO SOBRE CAPAS DE CERAMICA DIELECTRICA. LAS CAPAS DE CERAMICA DIELECTRICA SE COLOCAN UNA SOBRE OTRA, DE FORMA QUE INTERCALEN ENTRE ELLAS EL PATRON DEL CONDUCTOR INTERNO. EL LAMINADO SE CALDEA A, O POR ENCIMA DE, EL PUNTO DE FUSION DEL CONDUCTOR INTERNO, OPCIONALMENTE EN UNA ATMOSFERA QUE TIENE UNA PRESION PARCIAL DE OXIGENO CONTROLADA. DEBIDO A QUE EL MATERIAL DE CERAMICA DIELECTRICA TIENE PERDIDA DIELECTRICA Y UNA CONSTANTE DIELECTRICA PERFECCIONADA, Y A QUE…

METALIZACION DE TUNGSTENO DE DIAMANTE CVD.

(16/07/1998). Solicitante/s: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Inventor/es: ZARNOCH, KENNETH PAUL, IACOVANGELO, CHARLES DOMINIC.

SE DESCRIBE UN PROCESO PARA MEJORAR SIGNIFICANTEMENTE LA ADHESION DE UN METAL REFRACTARIO DEPOSITADO SOBRE UN DIAMANTE. EL PROCESO IMPLICA LA DEPOSICION DE UN REVESTIMIENTO DE METAL DELGADO INICIAL A TRAVES DE UNA DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO A BAJA PRESION SOBRE EL DIAMANTE, TRATAMIENTO DEL CALOR EN UN MEDIO NO OXIDANTE , Y CONTINUANDO LA DEPOSICION DE EL REVESTIMIENTO DE METAL INICIAL HASTA QUE SE CONSIGUE EL GROSOR DESEADO. LAMINAS DE DIAMANTE QUE HAN EXPERIMENTADO EL PROCESO DE LA INVENCION DONDE SE DEPOSITAN 15 MICROMETROS DE TUNGSTENO, MUESTRAN VALORES ADHESIVOS DE TUNGSTENO EN EXCESO DE 10.000 POUNDS POR PULGADA CUADRADA.

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN COMPONENTE CERAMICO MULTICAPA Y COMPONENTE CERAMICO MULTICAPA.

(16/12/1997). Solicitante/s: TDK CORPORATION. Inventor/es: NAKAMURA, AKIRA, KOBAYASHI, MAKOTO, MIURA, TARO, KAWAMURA, KEIZOU, YASUDA, NORIKAZU, KONDOH, SUGURU, NAKAI, SHINYA, FUJII, TADAO.

UNA PARTE CERAMICA MULTICAPA EN LA QUE ESTA COMPACTADO SU CONDUCTOR INTERNO, Y SE REDUCE LA PERDIDA DE UNA LINEA, SE MEJORA LA PRESTACION TAL COMO EL VALOR Q, Y SE REDUCE LA VARIACION DE LA PRESTACION. LA PASTA DEL CONDUCTOR INTERNO ESTA HECHA DE POLVO DE CONDUCTOR, PREFERENTEMENTE PLATA O COBRE, Y UNA FRITA DE VIDRIO, SI ES NECESARIO. LAS CAPAS DE LA PASTA DEL CONDUCTOR INTERNO Y LAS CAPAS DE MATERIAL CERAMICO DIELECTRICO SON APILADAS Y HORNEADAS SIMULTANEAMENTE A UNA TEMPERATURA MAYOR QUE EL PUNTO DE FUSION DEL CONDUCTOR.

METODO PARA PROCESAMIENTO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS EMBALADOS EN PLASTICO.

(01/06/1997). Solicitante/s: NCR INTERNATIONAL INC.. Inventor/es: ELLIOTT, BLAINE KEITH.

EL INVENTO SE REFIERE A UN METODO PARA PROCESAMIENTO DE UN DISPOSITIVO ELECTRONICO EMBALADO EN PLASTICO ANTES DE CONECTAR DICHO DISPOSITIVO MEDIANTE SOLDEO A UN TARJETA DE CIRCUITO IMPRESO. EL DISPOSITIVO TIENE CONDUCTORES SOLDADOS PARA CONEXION A LA TARJETA DE CIRCUITO IMPRESO, LA SUELDA DE LOS CONDUCTORES TIENE UN TEMPERATURA CRITICA DE APROXIMADAMENTE 60 GRADOS CENTIGRADOS QUE SI SE EXCEDE PRODUCE QUE LA SUELDA ESTE EXPUESTA A OXIDACION. EL METODO INCLUYE LAS FASES DE COLOCACION DEL DISPOSITIVO EN UN HORNO, REDUCIENDO LA TEMPERATURA EN EL HORNO A MENOS DQUE 35 TORR, Y CALENTANDO EL DISPOSITIVO A UNA TEMPERATURA ENTRE LOS 30 Y 35 GRADOS CENTIGRADOS PARA EXPELER LA HUMEDAD ABSORBIDA POR EL MATERIAL DE ENCAPSULAMIENTO DEL DISPOSITIVO. EL DISPOSITIVO SE TRANSPORTA MEDIANTE UNA PORTADORA PLASTICA CUANDO SE COLOCA EN EL HORNO, LA PORTADORA ES UN TUBO DE PLASTICO EN EL QUE SE INSTALA EL DISPOSITIVO, O UNA CINTA PLASTICA A LA QUE SE ADHIERE EL DISPOSITIVO.

REVESTIMIENTO PARA DISPOSITIVOS MICROELECTRONICOS Y SUBSTRATOS.

(16/03/1997). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: HALUSKA, LOREN ANDREW.

LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA FORMAR UN REVESTIMIENTO CERAMICO O SIMILAR AL CERAMICO SOBRE UN SUBSTRATO ESPECIALMENTE SOBRE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, ASI COMO AL SUBSTRATO REVESTIDO POR EL MISMO. EL METODO COMPRENDE EL REVESTIMIENTO DE DICHO SUBSTRATO CON UNA SOLUCION QUE COMPRENDE UN SOLVENTE, RESINA DE SILSESQUIOXANO DE HIDROGENO Y UN PRECURSOR DE OXIDO CERAMICO MODIFICADOR SELECCIONADO ENTRE EL GRUPO QUE CONSTA DE PRECURSORES DE OXIDO DE TANTALIO, PRECURSORES DE OXIDO DE NIOBIO, PRECURSORES DE OXIDO DE BORO. EL SOLVENTE SE EVAPORA PARA DE ESTA MANERA DEPOSITAR UN RECUBRIMIENTO PRECERAMICO SOBRE EL SUBSTRATO. EL REVESTIMIENTO PRECERAMICO SE CERAMIFICA ENTONCES CALENTANDOLO HASTA UNA TEMPERATURA DE ENTRE 40 Y 1000 C. ESTE REVESTIMIENTO, ADEMAS PUEDE SER RECUBIERTO POR RECUBRIMIENTOS DE PASIVIDAD ADICIONAL Y PROTECTORES.

PROCEDIMIENTO PARA LA ELABORACION DE MEDIOS DE CONEXIONES ELECTRICAS, EN ESPECIAL DE SUBSTRATOS DE INTERCONEXION PARA CIRCUITOS HIBRIDOS.

(01/03/1996). Solicitante/s: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE. Inventor/es: MELLUL, SYLVIE, ROTMAN, FREDERIC, TEISAN K.K., NAVARRO, DOMINIQUE.

PROCEDIMIENTO PARA LA ELABORACION DE MEDIOS DE CONEXIONES ELECTRICAS, EN ESPECIAL DE SUBSTRATOS DE INTERCONEXION PARA CIRCUITOS HIBRIDOS, SEGUN EL CUAL SE PROCEDE, DESPUES DE DEPOSITAR UNA CAPA DE TINTA CRUDA SOBRE UN SOPORTE DE ALTA DISIPACION TERMICA DEL TIPO NITRURO DE ALUMINIO, A UN SECADO PRELIMINAR DE ESTA TINTA, A UNA TEMPERATURA DEL ORDEN DE 100-150 (GRADOS) C, Y DESPUES A UNA COCHURA QUE COMPRENDE: A) UNA SUBIDA DE LA TEMPERATURA QUE INCORPORA UNA FASE DE ELIMINACION DE RESINAS POLIMERAS; B) UN MANTENIMIENTO DE CALCINACION A UNA TEMPERATURA DEL ORDEN DE 600-1000 (GRADOS) C; Y C) UN ENFRIAMIENTO TEMPORIZADO, CARACTERIZADO PORQUE LA ATMOSFERA DE LA FASE DE ELIMINACION DE LAS RESINAS POLIMERAS TIENE UN CONTENIDO EN OXIGENO COMPRENDIDO ENTRE 100 Y 5000 PPM, AUN CUANDO LOS CONTENIDOS EN OXIGENO DE LA ATMOSFERA DE CALCINACION A ALTA TEMPERATURA Y DE LA ATMOSFERA DE ENFRIAMIENTO DEBEN SER INFERIORES A 10 PPM APROXIMADAMENTE.

UN METODO PARA PULIR MECANICA-QUIMICAMENTE UN SUBSTRATO DE COMPONENTE ELECTRONICO Y LECHADA DE PULIMENTO PARA EL MISMO.

(16/02/1996). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: CARR, JEFFREY WILLIAM, DAVID, LAWRENCE DANIEL, GUTHRIE, WILLIAM LESLIE, KAUFMAN, FRANK BENJAMIN, PATRICK, WILLIAM JOHN, RODBELL, KENNETH PARKER, PASCO, ROBERT WILLIAMNENADIC, ANTON.

SE DIFUNDO UN METODO DE PULIDO MECANICO-QUIMICO DE UN SUBSTRATO DE COMPONENTE ELECTRONICO. EL METODO INCLUYE LOS PASOS SIGUIENTES: OBTENCION DE UN SUBSTRATO QUE TENGA AL MENOS DOS CARACTERISTICAS SOBRE EL MISMO O EN EL MISMO, QUE TENGA UN INDICE DE ATAQUE CON ACIDO DIFERENTE CON RESPECTO A UN ACIDO PARA GRABAR PARTICULAR; Y PONER EN CONTACTO EL SUBSTRATO CON UNA ALMOHADILLA DE PULIMENTADO A LA VEZ QUE SE APLICA AL SUBSTRATO UNA LECHADA CONTENIENDO EL ACIDO PARA GRABAR EN LA QUE LA LECHADA INCLUYE PARTICULAS ABRASIVAS, UNA SAL QUELATADA DE METAL DE TRANSICION Y UN DISOLVENTE PARA LA SAL. EL PULIMENTADO MECANICO-QUIMICO DA LUGAR A QUE AL MENOS DOS CARACTERISTICAS SEAN COPLANARES SUSTANCIALMENTE. SE DIFUNDE IGUALMENTE LA LECHADA DE PULIMENTADO MECANICO-QUIMICO.

PROCESO DE REALIZACION DE PISTAS CONDUCTORAS PARA CIRCUITOS HIBRIDOS, EN ESPECIAL PARA CIRCUITOS HIBRIDOS DE POTENCIA.

(01/05/1995). Solicitante/s: GEC ALSTHOM SA. Inventor/es: CHAVE, JACQUES.

ESTE PROCESO DE REALIZACION DE PISTAS CONDUCTORAS PARA CIRCUITOS HIBRIDOS, POR DEPOSITO SERIGRAFICO DE UNA MATERIA CONDUCTORA SOBRE EL SOPORTE DE DICHOS CIRCUITOS HIBRIDOS, CONSISTE EN REALIZAR EN UNA PRIMERA ETAPA UN DEPOSITO SERIGRAFICO DE PLATA, Y EN UNA SEGUNDA ETAPA, POR ENCIMA DEL DEPOSITO SERIGRAFICO REALIZADO EN LA PRIMERA ETAPA, UN DEPOSITO SERIGRAFICO DE UN COMPUESTO PLATA-PALADIO. APLICACION A LOS CIRCUITOS HIBRIDOS DE POTENCIA.

METODO PARA HACER ESTRUCTURAS CERAMICAS MULTICAPA TENIENDO UNA DISTRIBUCION INTERNA DE CONDUCTORES BASADOS EN COBRE.

(01/01/1995). Solicitante/s: CASEY, JON ALFRED. Inventor/es: ANDERSON, HERBERT, RUDOLF, JR., DIVAKARUNI, RENUKA SHASTRI, DYNYS, JOSEPH MICHAEL, KANDETZKE, STEVEN MICHAEL, KIRBY, DANIEL PATRICK, MASTER, RAJ NAVINCHANDRA, CASEY, JON ALFRED.

EL PRESENTE INVENTO SUMINISTRA UN METODO PARA LA PRODUCCION DE ESTRUCTURAS CERAMICAS MULTICAPAS QUE TIENEN CONDUCTORES DE COBRE EN SU INTERIOR, EN LOS QUE EL COMIENZO DE INCRUSTACION DEL CONDUCTOR DE COBRE PUEDE SER AJUSTADO PARA APROXIMAR O EMPAREJAR LA PARTE CERAMICA DE LA ESTRUCTURA. ADEMAS, SE SUMINISTRAN METODOS MEDIANTE LOS CUALES LA RESINA DE UNION POLIMERICA USADA EN LA FORMACION DE LA PARTE CERAMICA DE LA ESTRUCTURA PUEDE SER RETIRADA, USANDO AMBIENTES QUE CONTENGAN OXIGENO EN LOS QUE EL CONTENIDO DE OXIGENO SEA SUPERIOR A 200 PPM, SIN LA OXIDACION DE LOS CONDUCTORES DE COBRE.

PROCEDIMIENTO DE FORMACION DE LA RED MULTICAPA DE UNA TARJETA DE CONEXION DE AL MENOS UN CIRCUITO INTEGRADO DE ALTA DENSIDAD.

(16/04/1994). Solicitante/s: BULL S.A.. Inventor/es: CHANTRAINE, PHILIPPE, ZORRILLA, MARTA.

LOS PILARES DE LA RED MULTICAPA SE FORMAN SOBRE UNA CAPA METALICA UNIFORME QUE SE GRABA INMEDIATAMENTE PARA FORMAR LOS CONDUCTORES DE UNA CAPA CONDUCTORA DE LA RED MULTICAPA.

UNA DISPOSICION DE PORTADORES DE PASTILLAS DE CIRCUITO INTEGRADO.

(16/12/1987). Solicitante/s: HUGHES AIRCRAFT COMPANY.

AGRUPACIONES PORTADORAS DE MINIPASTILLAS DE CIRCUITOS. ESTA FORMADA SOBRE UN SUSTRATO CERAMICO E INCLUYE UNA PLURALIDAD DE PORTADORES DE PASTILLAS QUE ESTAN INTERCONECTADOS MEDIANTE UNA PLURALIDAD DE PUENTES DE SUSTENTACION , SEPARADOS UNOS DE OTROS Y DEL BORDE DE DESECHO DEL SUSTRATO CERAMICO POR RANURAS ALARGADAS QUE SE EXTIENDEN DESDE MAS ALLA DE LA ESQUINA DE Y DOTADOS CON ZONAS DE TROQUEL SITUADAS EN EL CENTRO Y UNA PLURALIDAD DE INTERCONEXIONES DE BORDE METALIZADAS Y DE CONDUCTOR . SE UTILIZA EN ORDENADORES.

UN METODO PARA FABRICAR UNA AGRUPACION DE PORTADORES DE PASTILLAS DE CIRCUITO INTEGRADO.

(01/12/1987). Solicitante/s: HUGHES AIRCRAFT COMPANY.

METODO PARA FABRICAR UNA AGRUPACION DE PORTADORES DE PASTILLAS DE CIRCUITO INTEGRADO. CONSTA DE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: DISPONER UN SUSTRATO CERAMICO Y FORMAR RANURAS ALARGADAS EN EL SUSTRATO CERAMICO PARA DEFINIR BORDES DE PORTADORES INDIVIDUALES Y PARA FORMAR PUENTES DE INTERCONEXION QUE MANTIENEN A LOS PORTADORES INDIVIDUALES EN AGRUPACION , LA OPERACION DE FORMACION DE RANURAS INCLUYE UNA DEFINICION DE PASTILLAS INDIVIDUALES QUE TIENEN ESQUINAS. ADEMAS SE APLICAN INTERCONEXIONES DE BORDE QUE ENVUELVEN ALREDEDOR DE LOS BORDES Y QUE ESTAN ELECTRICAMENTE AISLADOS UNOS DE OTROS.

"DISPOSITIVO PARA MONTAR E INTERCONECTAR COMPONENTES ELECTRONICOS".

(16/03/1985). Solicitante/s: KOLLMORGEN TECHNOLOGIES CORPORATION.

DISPOSITIVO PARA MONTAR E INTERCONECTAR COMPONENTES ELECTRONICOS.COMPRENDE UNA PLURALIDAD DE ELEMENTOS FILAMENTOSOS, CONSISTENTES EN UN CONDUCTOR AISLADO O UN ALAMBRE METALICO, AISLADOS, ENCERRADOS Y EMPOTRADOS EN UN CUERPO DE MATERIAL AISLADO, QUE TIENE UNAS CAVIDADES EN PUNTOS PREDETERMINADOS EN DONDE EL AISLAMIENTO DE LOS FILAMENTOS Y LA SUPERFICIE DE MATERIAL DE EMPOTRAMIENTO HA SIDO RETIRADO PARA DEJAR EXPUESTO EL FILAMENTO; Y ELEMENTOS EN CONTACTO CON EL FILAMENTO QUE SON DE UN MATERIAL CONDUCTOR, Y QUE ENLAZAN EL FILAMENTO A LA SUPERFICIE EXTERNA DEL MATERIAL DE EMPOTRAMIENTO.

PROCEDIMIENTO PARA RETIRAR RECUBRIMIENTOS AISLANTES DESDE SUSTRATOS Y EXPONER SUSTANCIALMENTE ALAMBRES DE CIRCUITO SITUADOS SOBRE ELLOS.

(01/11/1983). Solicitante/s: KOLLMORGEN TECHNOLOGIES CORPORATION.

PROCEDIMIENTO PARA RETIRAR RECUBRIMIENTOS AISLANTES DESDE SUBSTRATOS Y EXPONER SUBSTANCIALMENTE ALAMBRES DE CIRCUITO SITUADOS SOBRE ELLOS.CONSISTE EN FIJAR UN SUBSTRATO QUE TIENE ALAMBRES DE CIRCUITO SOBRE EL ENCIMA DE UNA MESA MOVIL SOBRE LOS EJES COORDENADOS, SE MUEVEN LA MESA Y EL SUBSTRATO A LO LARGO DE ESTOS EJES PARA ALINEAR EL ALAMBRE DEL CIRCUITO EN UN PUNTO PREDETERMINADO CON UN MANANTIAL DE HACES DE ALTA ENERGIA, SE EXCITA POSTERIORMENTE DICHO MANANTIAL Y SE VOLATILIZA EL MATERIAL AISLANTE PARA DEJAR EXPUESTO EL ALAMBRE DELCIRCUITO ALINEADO.

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE SUSTRATOS PARA INTERCORRECTOR COMPONENTES ELECTRONICOS.

(01/03/1983). Solicitante/s: KOLIMORGEN TECHNOLOGIES CORPORATION.

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE SUBSTRATOS PARA INTERCONECTAR COMPONENTES ELECTRONICOS. SE APLICAN Y FIJAN FILAMENTOS, EN UN DISEÑO PREVIAMENTE PROGRAMADO, A UNA BASE. SE APLICA UN RECUBRIMIENTO PLANO, LISO, SUBSTANCIALMENTE PULIDO, SOBRE DICHOS FILAMENTOS FIJADOS, SIN AFECTAR AL EMPLAZAMIENTO DE LOS MISMO. SE FORMAN CAVIDADES EN LUGARES PREFIJADOS, PENETRANDO A TRAVES DE DICHO RECUBRIMIENTO PARA DEJAR EXPUESTOS DICHOS FILAMENTOS. SE PROPORCIONAN UNOS MEDIOS DE ENLACE ENTRE LOS FILAMENTOS EXPUESTOS Y LOS PUNTOS DE LOS TERMINALES SOBRE LA SUPERFICIE DEL RECUBRIMIENTO PLANO.

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