Procedimiento para la fabricación de un sustrato de nitruro de aluminio.
Procedimiento para la fabricación de un sustrato de nitruro de aluminio AIN para su utilización como soporte para componentes electrónicos en aplicaciones de baja tensión,
caracterizado porque comprende las etapas sucesivas siguientes:
a) disolución de un precursor de óxido en forma de un compuesto organometálico en un solvente orgánico para obtener una solución,
b) dispersión de un polvo fino y puro de AIN en la solución obtenida anteriormente por agitación vigorosa para obtener una suspensión,
c) atomización bajo atmósfera inerte de la suspensión obtenida de este modo para obtener un polvo granulado que presenta granos de AIN recubiertos por una capa del precursor de óxido,
d) proyección, a alta temperatura y alta velocidad, del polvo que presenta granos de AIN recubiertos por una capa del precursor de óxido sobre un elemento soporte, utilizando una antorcha de plasma y un soporte metálico, y
porque el precursor de óxido se selecciona de entre los precursores óxidos que proporcionan un óxido que forma una fase líquida alrededor de los granos de AIN, a lo largo de la proyección,
el precursor de óxido se selecciona de entre los precursores de óxido de itrio, de cerio, de samario, de calcio o de los lantánidos.
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E03300110.
Solicitante: ALSTOM Transport Technologies.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 48, rue Albert Dhalenne 93400 Saint-Ouen FRANCIA.
Inventor/es: PETITBON,M. ALAIN, FERRATO,M. MARC, JARRIGE,JEAN.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C04B35/581 QUIMICA; METALURGIA. › C04 CEMENTOS; HORMIGON; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS; REFRACTARIOS. › C04B LIMA; MAGNESIA; ESCORIAS; CEMENTOS; SUS COMPOSICIONES, p. ej. MORTEROS, HORMIGON O MATERIALES DE CONSTRUCCION SIMILARES; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS (vitrocerámicas desvitrificadas C03C 10/00 ); REFRACTARIOS (aleaciones basadas en metales refractarios C22C ); TRATAMIENTO DE LA PIEDRA NATURAL. › C04B 35/00 Productos cerámicos modelados, caracterizados por su composición; Composiciones cerámicas (que contienen un metal libre, de forma distinta que como agente de refuerzo macroscópico, unido a los carburos, diamante, óxidos, boruros, nitruros, siliciuros, p. ej. cermets, u otros compuestos de metal, p. ej. oxinitruros o sulfuros, distintos de agentes macroscópicos reforzantes C22C ); Tratamiento de polvos de compuestos inorgánicos previamente a la fabricación de productos cerámicos. › a base de nitruro de aluminio.
- C04B35/626 C04B 35/00 […] › Preparación o tratamiento de polvos individualmente o por hornadas.
- C04B35/628 C04B 35/00 […] › Revestimiento de polvos.
- C23C14/06 C […] › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 14/00 Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento. › caracterizado por el material de revestimiento (C23C 14/04 tiene prioridad).
- C23C18/12 C23C […] › C23C 18/00 Revestimiento químico por descomposición ya sea de compuestos líquidos, o bien de soluciones de los compuestos que constituyen el revestimiento, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento; Deposición por contacto. › caracterizada por la deposición sobre materiales inorgánicos, distintos a los materiales metálicos.
- C23C24/08 C23C […] › C23C 24/00 Revestimiento a partir de polvos inorgánicos (pulverización en estado fundido del material de revestimiento C23C 4/00; difusión en estado sólido C23C 8/00 - C23C 12/00). › utilizando calor o presión y calor (C23C 24/04 tiene prioridad).
- C23C4/10 C23C […] › C23C 4/00 Revestimiento por pulverización del material de revestimiento en estado fundido, p. ej. por pulverización a la llama, con plasma o por descarga eléctrica (soldadura de recarga B23K, p. ej. B23K 5/18, B23K 9/04). › Óxidos, boruros, carburos, nitruros, siliciuros; Sus mezclas.
- C23C4/12 C23C 4/00 […] › caracterizado por el método de pulverización.
- C23C4/18 C23C 4/00 […] › Tratamiento posterior.
- H01L21/48 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.
- H01L21/84 H01L 21/00 […] › siendo el sustrato diferente a un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.
- H05H1/26 H […] › H05 TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR. › H05H TECNICA DEL PLASMA (tubos de haz iónico H01J 27/00; generadores magnetohidrodinámicos H02K 44/08; producción de rayos X utilizando la generación de un plasma H05G 2/00 ); PRODUCCION DE PARTICULAS ACELERADAS ELECTRICAMENTE CARGADAS O DE NEUTRONES (obtención de neutrones a partir de fuentes radiactivas G21, p. ej. G21B, G21C, G21G ); PRODUCCION O ACELERACION DE HACES MOLECULARES O ATOMICOS NEUTROS (relojes atómicos G04F 5/14; dispositivos que utilizan la emisión estimulada H01S; regulación de la frecuencia por comparación con una frecuencia de referencia determinada por los niveles de energía de moléculas, de átomos o de partículas subatómicas H03L 7/26). › H05H 1/00 Producción del plasma; Manipulación del plasma (aplicación de la técnica del plasma a reactores de fusión termonuclear G21B 1/00). › Antorchas de plasma.
PDF original: ES-2734406_T3.pdf
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