CIP-2021 : H01L 27/11 : Estructuras de memorias estáticas de acceso aleatorio.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).
H01L 27/11 · · · · · Estructuras de memorias estáticas de acceso aleatorio.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
CIRCUITO INTEGRADO QUE UTILIZA CELULAS SRAM.
(16/01/1998). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, NAGY, WILLIAM JOHN, SUNG, JANMYE.
UNA CELULA DE MEMORIA SEMICONDUCTORA TIENE UN PUERTA PARALELA (EJEMPLO 25). LA DIRECCION DE LA PUERTA SE ESCOGE VOLUNTARIAMENTE PARA MINIMIZAR LOS EFECTOS ASTIGMATICOS LITOGRAFICOS. ASI SE FABRICAN PUERTAS DE ANCHURA COMPARATIVAMENTE UNIFORME Y SE MEJORA LA PREDICCION DEL RENDIMIENTO DE TRANSISTOR. UNA INCORPORACION DEL INVENTO MUESTRA UNA CONEXION ENTRE DOS CAPAS CONDUCTORAS Y UNA FUENTE/DRENAJE . LA CONEXION FORMA UN NUDO ENTRE UN TRANSISTOR DE ACCESO Y UN TRANSISTOR DISMINUIDO.
CIRCUITO INTEGRADO QUE UTILIZA CELULAS SRAM.
(01/05/1997). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, NAGY, WILLIAM JOHN, SUNG, JANMYE, ADAMS, THOMAS EVANS.
SE MUESTRA UNA CELULA SEMICONDUCTORA QUE TIENE PUERTAS PARALELAS (EJEMPLO 19,21,25,23). LA DIRECCION DE LAS PUERTAS (EJEMPLO 19,21,25,23) SE ELIGE VOLUNTARIAMENTE PARA MINIMIZAR LOS EFECTOS ASTIGMATICOS LITOGRAFICOS. ASI SE FABRICAN PUERTAS DE ANCHURA COMPARATIVAMENTE UNIFORME Y SE MEJORA LA PREDICCION DEL RENDIMIENTO DE TRANSISTOR.