CIP 2015 : C30B 29/02 : Elementos.

CIP2015CC30C30BC30B 29/00C30B 29/02[1] › Elementos.

Notas[n] desde C30B 29/02 hasta C30B 29/54:
  • En los grupos C30B 29/02 - C30B 29/54, se aplica la regla del último lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, un material se clasifica en el último lugar apropiado.
  • Es importante tener en cuenta la Nota (3) tras el título de la sección C, que indica a qué versión del Sistema periódico de los Elementos se refiere la CIP. En este grupo, el Sistema Periódico utilizado es el sistema de 8 grupos indicados por números romanos en la Tabla Periódica

C SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.

C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.

C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.

C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma.

C30B 29/02 · Elementos.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Método y reactor de crisol para producir silicio o un metal reactivo.

(21/06/2013) Un método para producir silicio o un metal reactivo, que comprende: introducir una alimentación que contiene silicio o una alimentación que contiene metal reactivo en una cámara dereacción, donde la cámara de reacción incluye una pared de la cámara de reacción que tiene (i) una superficieinterior orientada hacia un espacio de reacción y (ii) una superficie exterior opuesta; generar una primera energía térmica dentro del espacio de reacción suficiente para generar un producto de siliciolíquido o un producto de metal reactivo líquido; generar una segunda energía térmica exterior a la pared de la cámara de reacción, de manera que un flujo decalor desde la segunda energía térmica impacta inicialmente con la superficie exterior de la pared de la cámarade reacción; y establecer…

Metodo de produccion de puntos cuanticos metalicos.

(16/12/1999). Ver ilustración. Solicitante/s: ISIS INNOVATION LIMITED. Inventor/es: DOBSON, PETER, JAMES, UNIVERSITY OF OXFORD, SALATA, OLEG VIKTOROVICH, UNIVERSITY OF OXFORD, HULL, PETER, JAMES, UNIVERSITY OF OXFORD, HUTCHISON, JOHN, LAIRD, UNIVERSITY OF OXFORD.

SE PRODUCEN PUNTOS CUANTICOS METALICOS A PARTIR DE UNA SOLUCION DE LA SAL DEL METAL AL HACER PASAR LA SOLUCION A TRAVES DE UNA TOBERA DE CAPILARIDAD ELECTROSTATICA HACIA EL INTERIOR DE UNA CAMARA . LA TOBERA PRODUCE UNA VAPORIZACION DE GOTITAS DE LA SOLUCION QUE ES POSTERIORMENTE IRRADIADA UTILIZANDO LUZ LASER . LA SOLUCION SE EVAPORA DESDE LAS GOTITAS PARA FORMAR LOS PUNTOS CUANTICOS DEL ELEMENTO METALICO SOBRE UN SUSTRATO EN LA CAMARA.