CIP 2015 : C30B 15/00 : Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido,

p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00).

CIP2015CC30C30BC30B 15/00[m] › Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00).

Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos

C30B 15/02 · introduciendo en el material fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ .

C30B 15/04 · · añadiendo un material de dopado, p. ej. para una unión n – p.

C30B 15/06 · Estirado no vertical.

C30B 15/08 · Estirado hacia abajo.

C30B 15/10 · Crisoles o recipientes para sostener el baño fundido.

C30B 15/12 · · Métodos que utilizan un crisol doble.

C30B 15/14 · Calentamiento del baño fundido o del material cristalizado.

C30B 15/16 · · por irradiación o por descarga eléctrica.

C30B 15/18 · · utilizando una calefacción directa por resistencia además de otros medios de calefacción, p. ej. utilizando la calefacción por efecto Peltier.

C30B 15/20 · Control o regulación (control o regulación en general G05).

C30B 15/22 · · Estabilización, o control de la forma, de la zona fundida próxima al cristal estirado; Control de la sección del cristal.

C30B 15/24 · · · utilizando medios mecánicos, p. ej. guías de formación (matrices de formación para el crecimiento de cristales por alimentación del lecho con control de superficie C30B 15/34).

C30B 15/26 · · · utilizando detectores de televisión; utilizando detectores fotográficos o de rayos X.

C30B 15/28 · · · utilizando el cambio de peso del cristal o del baño fundido, p. ej. por métodos de flotación.

C30B 15/30 · Mecanismos para hacer girar o para desplazar bien el baño fundido, bien el cristal (métodos de flotación C30B 15/28).

C30B 15/32 · Portagérmenes, p. ej. mandriles.

C30B 15/34 · Crecimiento de cristales por alimentación del lecho con control de superficie utilizando matrices de formación o grietas de conducción.

C30B 15/36 · caracterizada por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Fragmentos de silicio policristalinos y procedimiento para el desmenuzamiento de barras de silicio policristalinas.

(29/06/2016) Un procedimiento para el desmenuzamiento de barras de silicio policristalinas en fragmentos mediante por lo menos una herramienta desmenuzadora con una superficie que contiene carburo de wolframio, teniendo la superficie de la herramienta una proporción de carburo de wolframio menor o igual que 95 % y siendo el tamaño de granos de las partículas de carburo de wolframio - ponderada según la masa en promedio - mayor o igual que 0,8 μm o teniendo la superficie de la herramienta una proporción de carburo de wolframio mayor o igual que 80 % y siendo el tamaño de granos de las partículas de carburo de wolframio menor o igual que 0,5…

Fragmento de silicio policristalino y procedimiento para la limpieza de fragmentos de silicio policristalino.

(26/11/2014) Fragmento de silicio policristalino con una concentración de carbono en la superficie de 0,5-35 ppbw.

Cinta de carbono destinada a recibir una capa de un material semiconductor.

(19/02/2014) Cinta de carbono (16') que comprende dos caras y dos extremos longitudinales , comprendiendo al menos una de las caras de la cinta (16') una parte central (20a, 22a) situada entre los dos extremos longitudinales 34, 36) y destinada a recibir el deposito de una capa de un material semiconductor , caracterizada por que comprende además, en al menos una de sus caras , al menos una ranura longitudinal situada entre uno de dichos extremos y la parte central (20a, 22a), y por que la ranura longitudinal está conformada de manera que, cuando la capa de dicho material semiconductor es depositada, dicho material semiconductor que rellena dicha ranura forma una protuberancia adyacente a uno de los extremos longitudinales de una de las caras de la cinta de carbono.

Método para obtener materia prima de silicio para células solares.

(01/01/2014) Un método para la producción de una materia prima de silicio, siendo la materia prima de silicio para laproducción de lingotes de silicio solidificados direccionalmente por el método de Czochalski, por zona de flotación omulti-cristalino, láminas de silicio delgadas o cintas para la producción de obleas de silicio para células solaresfotovoltaicas, caracterizado porque el silicio de grado metalúrgico producido en un horno de arco eléctrico medianteun horno de reducción carbotérmica y que contiene hasta 300 ppm (átomos) de boro y hasta 100 ppm (átomos) defósforo se somete a las siguientes etapas de refino: a) tratamiento del silicio de grado metalúrgico con una escoria de calcio-silicato para reducir el contenido de boro delsilicio a entre 0,3 ppm (átomos) y 5,0 ppm (átomos); b) solidificar el silicio tratado con escoria de la etapa a); c)…

Procedimiento de fabricación de células fotovoltaicas.

(26/11/2013) Procedimiento de fabricación de células fotovoltaicas que comprende las siguientes etapas: - fabricar una cinta de material compuesto depositando en continuo dos capas de material semiconductor que rodean una cinta de carbono , pasando la cinta de carbono por un baño de material semiconductor fundido, teniendo respectivamente cada una de las dos capas de material semiconductor una cara libre opuesta a su cara en contacto con la cinta de carbono, - aplicar al menos un tratamiento a partir de la cara libre de al menos una de dichas capas de material semiconductor, en vistas a realizar funciones fotovoltaicas de dichas células sobre dicha capa, antes de la eliminación de la cinta de carbono , - eliminar el depósito de material semiconductor sobre los flancos de la cinta de material compuesto,…

Procedimiento y aparato para el desarrollo de una cinta cristalina mientras se controla el transporte de contaminantes en suspensión en un gas a través de una superficie de cinta.

(17/10/2013) Un procedimiento para el crecimiento de una cinta cristalina , el procedimiento comprende: proporcionar un crisol que contiene material fundido ; hacer pasar un hilo a través del material fundido para que crezca la cinta cristalina; y dirigir flujo de gas alrededor de la cinta cristalina, de manera que el gas fluya hacia abajo a lo largo de lacinta cristalina, en dirección al crisol.

Procedimiento para la producción de un silicio policristalino.

(27/06/2013) Procedimiento para la producción de un silicio policristalino, que comprende introducir un gas de reacción, quecontiene un componente con un contenido de silicio e hidrógeno, mediante una o varias toberas en un reactor conun volumen de espacios vacíos, limitado por medio de unas paredes con una determinada temperatura Tpared, quecontiene por lo menos una barra filamentosa calentada a una temperatura Tbarra, sobre la que se deposita silicio,caracterizado por que un número de Arquímedes Ar, que describe las condiciones de circulación en el reactor y quese calcula de la siguiente manera: Ar ≥ n * π * g * L3 * Ad * (Tbarra - Tpared) / (2 * Q2 * (Tbarra + Tpared)), representando n el número…

Oblea/cristal de cinta y procedimiento para su fabricación.

(01/04/2013) Procedimiento para tratamiento de un cristal de cinta, comprendiendo dicho procedimiento: proporcionar un cristal de cinta de hilo, y eliminar al menos un borde del cristal de cinta de hilo, donde el cristal de cinta incluye una pluralidad de granos grandes, una pluralidad de granos pequeños y una pluralidad de portadores, teniendo la pluralidad de portadores una longitud de difusión, teniendo la pluralidad de granos grandes dimensiones exteriores las menores de las cuales son mayores que alrededor de dos veces la longitud de difusión de los portadores, comprendiendo la acción de eliminación dejar la mayoría de los granos grandes en el cristal de cinta eliminando la mayoría de los granos pequeños del cristal de cinta.

Método para generar grietas en varilla de silicio policristalino y aparato de generación de grietas.

(23/05/2012) Metodo de generaci6n de grietas en una varilla de silicio policristalino, que comprende: 5 calentar una varilla de silicio policristalino; posteriormente realizar un enfriamiento de parte local de la varilla de silicio policristalino para aplicar unfluido refrigerante sobre at menos una zona a modo de punto de una superficie de la varilla de siliciopolicristalino; y realizar un enfriamiento completo para hacer que una sustancia refrigerante entre en contacto con unasuperficie completa de la varilla de silicio policristalino tras el enfriamiento de parte local, caracterizado porque el fluido refrigerante se expulsa desde boquillas dispuestas a ambos lados de lavarilla de silicio policristalino, porque una pluralidad…

PROCESO Y DISPOSITIVO PARA TRITURACION Y SELECCION DE POLISILICIO.

(21/12/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: SCHAFER,MARCUS, SCHANTZ,MATTHAUS, PECH,REINER.

Dispositivo para la trituración y selección de silicio policristalino, que comprende un equipo de alimentación para una fracción gruesa de polisilicio en una planta de fragmentación, la planta de fragmentación, y una planta de selección para la clasificación de la fracción de polisilicio, caracterizado porque el dispositivo está provisto de un control, que hace posible un ajuste variable de al menos un parámetro de fragmentación en la planta de fragmentación y al menos de un parámetro de selección en la planta de selección.

METODO Y APARATO PARA EL CRECIMIENTO DE MULTIPLES CINTAS CRISTALINAS A PARTIR DE UN UNICO CRISOL.

(01/04/2007). Solicitante/s: EVERGREEN SOLAR INC.. Inventor/es: WALLACE, RICHARD, LEE.

Un método de crecimiento de múltiples cintas de semiconductor en un único crisol, método que comprende formar una masa fundida a partir de un material semiconductor dispuesto en un crisol abierto; dividir la masa fundida en una pluralidad de subregiones de masa fundida separadas disponiendo una pluralidad de conformadores de menisco en el crisol, teniendo cada subregión de la masa fundida una superficie de masa fundida separadas definida por el conformador de menisco; y hacer crecer de forma continua múltiples cintas de semiconductor, haciendo crecer cada una de las cintas desde una subregión de la masa fundida mediante el arrastre de una pareja de cuerdas separadas hacia fuera de la superficie separada de la masa fundida.

UN HORNO DE CAMPO MAGNETICO Y SU METODO DE UTILIZACION PARA FABRICAR CRISTALES DE ESTRUCTURA DENDRITICA.

(01/11/2006) Un aparato para fabricar un cristal de estructura dendrítica, incluyendo: a) una cámara ; b) un conjunto de equipo de crecimiento situado en dicha cámara , utilizándose dicho conjunto de equipo de crecimiento para cultivar un cristal de estructura dendrítica; y c) un generador de campo magnético rodeando el perímetro de dicha cámara , utilizándose dicho generador de campo magnético para obtener un campo magnético en una dirección vertical durante el crecimiento, donde dicho generador de campo magnético incluye un conjunto en espiral rodeando dicho perímetro de dicha cámara ; caracterizado por: d) una chapa de enfriamiento (116A) en comunicación térmica con dicho conjunto en espiral , y por e)…

PROCEDIDMIENTO Y APARATO PARA SACAR UNA CINTA DE CRISTAL.

(01/05/2006) Un aparato para sacar una tira de cristal de semiconductores continuamente desde un crisol , que comprende: un horno de crecimiento del cristal que tiene un crisol , una pareja de cintas sin fin (20a, 20b) para sacar continuamente una tira de cristal de semiconductores desde dicho crisol , comprendiendo dicho aparato: un dispositivo de control de la posición para ajustar mecánicamente una posición transversal de la tira de cristal de semiconductores , estando dispuesto dicho dispositivo de control de la posición en una trayectoria para extraer la tira de cristal de semiconductores desde el crisol , donde dicho dispositivo de control…

CONTROL DE LA PROFUNDIDAD DEL MATERIAL FUNDIDO PARA EL CRECIMIENTO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DESDE UN MATERIAL FUNDIDO.

(16/01/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: EVERGREEN SOLAR INC.. Inventor/es: WALLACE, RICHARD, L., JR., KRAUCHUNE, RICHARD, C.

Un método de crecimiento continuo de cristales que comprende las etapas de: a) proporcionar un crisol que comprende un material fundido a partir de un material fuente; b) suministrar al material fundido de forma continua un material fuente adicional; c) hacer pasar una señal de entrada a través del material fundido; d) medir la señal de salida, generada en respuesta a la señal de entrada, a través de dos electrodos (C, D) en contacto directo con el crisol o el material fundido, estando relacionaba la señal de salida con una profundidad del material fundido; e) mantener la profundidad del material fundido a un nivel sustancialmente constante ajustando una velocidad de suministro del material fuente adicional utilizando la señal de salida; y f) hacer crecer de forma continua una cinta cristalina mediante la solidificación del material fundido.

CELULAR SOLAR QUE COMPRENDE UNA PLACA DE SEMICONDUCTORES DE SILICIO DE UN TIPO NUEVO Y PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE LA PLACA DE SEMICONDUCTORES DE SILICIO.

(01/05/2000). Solicitante/s: SIEMENS SOLAR GMBH. Inventor/es: ENDROS, ARTHUR, MARTINELLI, GIULIANO.

SE PROPONE UNA PLACA DE SEMICONDUCTOR DE SILICIO (WAFER) A BASE DE TRES ZONAS MONOCRISTALINAS INCLINADAS QUE FORMAN TRES SECTORES DEL WAFER. SUS SUPERFICIES DE LIMITACION Y LINEAS CIRCUNDANTES SE EXTIENDEN RADIALMENTE UNA HACIA OTRA E INCLUYEN ANGULOS (W6, W7, W8) DE MENOS DE 180 SUPERFICIES DE LIMITACION FORMAN LIMITES DE CONTORNO GRANULADAS O GEMELAS ENTRE DOS PLANOS DE CRISTAL . ESTE WAFER SEMICONDUCTOR DE SILICIO ES UTILIZADO PARA LA ELABORACION DE CELDAS SOLARES DE ALTA POTENCIA ECONOMICA.

PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE SEMI-AISLANTES 3-5-MONO-CRISTALINOS POR DOPADO Y APLICACION DE SEMIAISLANTES ASI OBTENIDOS.

(01/02/1992). Solicitante/s: ETAT FRANCAIS REPRESENTE PAR LE MINISTRE DES PTT (CENTRE NATIONAL D'ETUDES DES TELECOMMUNICATIONS). Inventor/es: LAMBERT, BERTRAND, TOUDIC, YVES, COQUILLE, RENE.

LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE SEMI-AISLANTES 3-5-MONOCRISTALINOS POR DOPADO, CARACTERIZADO EN QUE SE DOPE LA CARGA DE SALIDA DE TIPO P CON AL MENOS UN DONANTE PROFUNDO DEBIDO A UN ELEMENTO DE TRANSICION. SE REFIERE IGUALMENTE A LA UTILIZACION DE SEMI-AISLANTES OBTENIDOS EN LOS CAMPOS DE LA OPTOELECTRONICA Y DE LA ELECTRONICA RAPIDA.

METODO PARA LA PREPARACION DE UNA PELICULA SEMICONDUCTORA DELGADA.

(16/12/1991). Solicitante/s: THE BOC GROUP PLC. Inventor/es: ROBILLARD, JEAN JULES ACHILLE.

METODO PARA PREPARAR UNA PELICULA DELGADA DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR SOBRE UN SUSTRATO EN EL CUAL SE GENERAN MICROGOTAS CARGADAS DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR O UN CONSTITYENTE DEL MISMO POR EXTRACCION ELECTRODINAMICA (EHD) DE LAS GOTAS DESDE UN MENISCO FORMADO EN UNA PUNTA ALARGADA DE UNA BOQUILLA QUE CONTIENE EL MATERIAL EN ESTADOFUNDIDO. LA EXTRACCION EHD SE PRODUCE BAJO LA INFLUENCIA DE UN ALTO CAMPO ELECTRICO PRODUCIDO POR UN ELECTRODO EXTRACTOR ADYACENTE A LA PUNTA DE LA BOQUILLA PARA FORMAR UN HAZ TIPO CINTA BIDIMENSIONAL O CAPA DE MICROGOTAS CARGADAS. EL HAZ BIDIMENSIONAL SE DIRIGE SOBRE EL BORDE POSTERIOR DE UN BLANCO SOPORTADO POR UN SUSTRATO MOVIL DE MANERA QUE SE FORMA SOBRE DICHO SUSTRATO UNA PELICULA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR POR DEPOSICION DE LAS MICROGOTAS SOBRE EL BORDE POSTERIOR DEL BLANCO MOVIL.