CIP-2021 : C23C 16/44 : caracterizado por el proceso de revestimiento (C23C 16/04 tiene prioridad).

CIP-2021CC23C23CC23C 16/00C23C 16/44[1] › caracterizado por el proceso de revestimiento (C23C 16/04 tiene prioridad).

Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto

C QUIMICA; METALURGIA.

C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.

C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).

C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).

C23C 16/44 · caracterizado por el proceso de revestimiento (C23C 16/04 tiene prioridad).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

POLIMERIZACION POR PLASMA SOBRE UNA SUPERFICIE DE MATERIAL.

(01/12/2004) Un procedimiento para el procesamiento de superficie mediante la polimerización con plasma de una superficie de un metal o de un material aislante usando un plasma de descarga de CC, que comprende las etapas de: (a) posicionar un electrodo ánodo y un electrodo cátodo en una cámara; (b) mantener una presión en la cámara a un nivel de vacío predeterminado; (c) inyectar un gas hidrocarburo monomérico alifático insaturado o un gas monomérico que contiene flúor a una determinada presión y un gas no polimerizable a una presión predeterminada en la cámara; y (d) aplicar una tensión a los electrodos con el fin de obtener una descarga de CC, en el que para obtener un plasma constituido por iones positivos y negativos y los radicales generados a partir del gas hidrocarburo…

CAMARA DE REACCION PARA UN REACTOR EPITAXIAL.

(01/06/2004) Cámara de reacción perfeccionada para un reactor epitaxial que comprende una campana fabricada de un material aislante y transparente, tal como cuarzo, un elemento de susceptibilidad provisto de cavidades (34a-n) con forma de disco para recibir plaquetas (36a-n) de material a tratar, y una placa aislante y químicamente resistente dispuesta sobre la misma, caracterizada porque emplea: un difusor formado por la tapa de un elemento de cúpula central conectada a una cámara de distribución anular simétrica provista de una pluralidad de tubos (106a-f) de igual longitud que conectan dicha cámara anular de la tapa con una zona de cúpula de la campana situada justo debajo de un cuello que conecta una pestaña superior con la cúpula , garantizando dicha pluralidad de tubos…

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL RECUBRIMIENTO DE UNAS PIEZAS DE TRABAJO MEDIANTE UNA FASE DE GAS.

(01/12/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: MTU MOTOREN- UND TURBINEN-UNION MUNCHEN GMBH. Inventor/es: WALTER, HEINRICH.

EN UN PROCEDIMIENTO DE REVESTIMIENTO EN FASE GASEOSA PARA REVESTIR PALETAS DE TURBINAS O PIEZAS DE CAJAS, SE COLOCAN UNA O VARIAS DE LAS PIEZAS QUE SE VAN A RECUBRIR EN UN CONTENEDOR , QUE SE CALIENTA. MEDIANTE UN TUBO DE GAS PROPULSOR SE INTRODUCE EN EL CONTENEDOR GAS PROPULSOR. UN DISTRIBUIDOR SE COLOCA CON UN ACTIVADOR EN EL FONDO DEL CONTENEDOR, Y FORMA UN GAS DE REVESTIMIENTO, QUE SE AGITA EN EL INTERIOR DEL CONTENEDOR EN FORMA DE IMPULSOS, MEDIANTE MEDIOS PARA LA AGITACION, POR EJEMPLO UN VENTURI A TRAVES DEL CUAL SALE EL GAS PROPULSOR.

PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA LA PREPARACION DE CAPAS Y RECUBRIMIENTOS POR MEDIO DE DEPOSICION QUIMICA EN FASE DE VAPOR ASISTIDA POR COMBUSTION.

(01/11/2003). Solicitante/s: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Inventor/es: HUNT, ANDREW T., COCHRAN, JOE K., CARTER, WILLIAM BRENT.

SE PRESENTA UN METODO PARA APLICAR REVESTIMIENTOS A SUBSTRATOS UTILIZANDO DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO DE COMBUSTION MEZCLANDO ENTRE SI UN REAGENTE Y UNA SOLUCION PORTADORA PARA FORMAR UNA MEZCLA DE REAGENTES. ENCENDIENDO LA MEZCLA DE REAGENTES PARA CREAR UNA LLAMA O HACIENDO FLUIR LA MEZCLA DE REAGENTES A TRAVES DE UNA ANTORCHA DE PLASMA, EN LA CUAL EL REAGENTE SE VAPORIZA AL MENOS PARCIALMENTE EN UNA FASE DE VAPOR, Y PONIENDO EN CONTACTO LA BASE DE VAPOR DEL REAGENTE CON UN SUBSTRATO RESULTANDO LA DEPOSICION, AL MENOS EN PARTE DESDE LA FASE DE VAPOR, DE UN REVESTIMIENTO DEL REAGENTE QUE PUEDE CONTROLARSE DE MANERA QUE TENGA UNA ORIENTACION PREFERIDA SOBRE EL SUBSTRATO, TAMBIEN SE PRESENTA UN APARATO PARA LLEVAR A CABO EL METODO. LA FIGURA MUESTRA UN ESQUEMA DE UN APARATO CCVD EN DONDE EL SUBSTRATO PUEDE COLOCARSE DENTRO DE UNA REGION DE REDUCCION DEL SEPARADOR DE SMITHELL ENTRE LA LLAMA INTERNA (18A) Y LA LLAMA EXTERIOR (18B).

PROCESO CVD DE MEDIA TEMPERATURA.

(16/04/2003). Solicitante/s: KENNAMETAL INC.. Inventor/es: UNDERCOFFER, KENNETH E.

Proceso CVD MT que comprende los pasos consistentes en: a) calentar al menos un sustrato en una cámara de reacción a una temperatura de reacción, teniendo el o los sustratos una superficie; y b) introducir dentro de dicha cámara de reacción un gas de proceso de deposición que comprende de 1 a 30 % de halogenuro de hidrógeno y cantidades predeterminadas de una fuente de carbono/nitrógeno, un compuesto de metal-halógeno, y H2 de forma que se deposite un revestimiento conteniendo carbonitruro sobre dicha superficie del o de los sustratos.

PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA EL DEPOSITO ASISTIDO POR PLASMA SOBRE UN SUSTRATO DE DOS CARAS.

(01/02/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: ESSILOR INTERNATIONAL COMPAGNIE GENERALE D'OPTIQUE. Inventor/es: BOSMANS, RICHARD, CHEAIB, MEHDI.

EL PROCEDIMIENTO SEGUN LA INVENCION ES DEL TIPO SEGUN EL CUAL, PARA LA DEPOSICION DE AL MENOS UNA CAPA DELGADA SOBRE UN SUSTRATO DE DOBLE CARA (11A, 11B), SE EMPLEA UN PLASMA EN COOPERACION CON EL CUAL INTERVIENE UN FLUIDO PRECURSOR CUYOS PRODUCTOS DE REACCION CON EL PLASMA DAN LUGAR A LA DEPOSICION BUSCADA. SEGUN LA INVENCION, PARA UN TRATAMIENTO SIMULTANEO DE LAS DOS CARAS (11A, 11B) DEL SUSTRATO , SE EMPLEAN DOS PLASMAS DISTINTOS (12A, 12B), INTERVINIENDO UNO DEL LADO DE UNA DE LAS CARAS (11A, 11B) DE ESTE SUSTRATO , INTERVINIENDO EL OTRO DEL LADO DE LA OTRA CARA DE ESTAS. APLICACION, PARTICULARMENTE, EN EL TRATAMIENTO ANTIRREFLEJO DE UNA LENTILLA OFTALMICA DE MATERIAL ORGANICO.

APARATOS PARA LA DEPOSICION DE VAPOR.

(16/01/2003). Solicitante/s: INCO LIMITED. Inventor/es: WEBER, REINHART, ALBERTY, MICHAEL, RYAN, TYROLER, GEORGE, PAUL, PASSMORE, IAN, KEITH.

Un aparato para descomponer carbonilos de metal gaseosos, comprendiendo el aparato una placa base , una cubierta dispuesta en la placa base, definiendo la cubierta y la placa base una cámara , incluyendo la placa base al menos una abertura, un anillo de placa base dispuesto dentro de la abertura de la placa base, un anillo de mandril anidado dentro del anillo de la placa base, incluyendo el anillo del mandril al menos un conducto de fluido dispuesto en él, estando el anillo del mandril adaptado para recibir un mandril y medios para introducir carbonilo de metal gaseoso dentro de la cámara.

PROCEDIMIENTO DE OBTENCION DE UN REVESTIMIENTO DE SUELO Y PRODUCTO OBTENIDO.

(16/12/2002) LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO DE OBTENCION DE UN REVESTIMIENTO DE SUELO FORMADO POR AL MENOS UN SUSTRATO POLIMERICO ELASTICO SOBRE EL CUAL SE DEPOSITA UNA CAPA DE PROTECCION; ESTA CAPA COMPRENDE AL MENOS UN ELEMENTO INORGANICO AMORFO Y PRESENTA UNA DUREZA VICKERS SUPERIOR A 1 GPA Y UN MODULO DE ELASTICIDAD (MODULO DE YOUNG) INFERIOR A 80 GPA; ESTA OPERACION SE REALIZA CON AYUDA DE UN PLASMA FRIO DEMORADO QUE INDUCE UNA REACCION DE DESCOMPOSICION DE UN COMPUESTO PRECURSOR VOLATIL QUE PERMITE LA FORMACION DE UNA DELGADA PELICULA DEL MENCIONADO ELEMENTO INORGANICO AMORFO SOBRE EL MENCIONADO SUSTRATO. LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE…

LECHO FLUIDIZADO CON DISTRIBUCION UNIFORME DEL CALOR Y BOQUILLA DE MULTIPLES ORIFICIOS.

(16/11/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: SULZER CARBOMEDICS INC. Inventor/es: COX, KENNETH, W.

SE PRESENTA UN APARATO DE LECHO FLUIDIZADO QUE PRODUCE UN REVESTIMIENTO DE CARBONO PIROLITICO CON CARACTERISTICAS DE DESGASTE Y POROSIDAD MEJORADAS DEL REVESTIMIENTO PRODUCIENDO UN PERFIL DE TEMPERATURA PLANO Y MAS UNIFORME A TRAVES DE LA CAMARA DE REACCION EN EL AREA DONDE SE PRODUCE EL REVESTIMIENTO. EL APARATO TIENE SERPENTURIES DE CALEFACCION QUE RODEAN EL EXTREMO INFERIOR DE LA CAMARA DE REACCION Y ESTAN SITUADAS INMEDIATAMENTE ADYACENTES Y CON UNA LIGERA SEPARACION ENTRE SI. ESTO CONTRASTA CON LOS APARATOS ANTERIORES EN LOS QUE LOS SERPENTINES DE CALEFACCION ESTABAN SEPARADOS ENTRE 2 Y 5 CM. EL APARATO TAMBIEN TIENE UNA BOQUILLA DE CHORRO MULTIPLE PARA CONTROLAR UN FLUJO DE GASES A TRAVES DE LA CAMARA DE REACCION. LOS CHORROS EN LA BOQUILLA COMPRENDEN CONDUCTOS ORIENTADOS DE MANERA QUE LA LONGITUD DE LOS CONDUCTOS DESCANSE SOBRE UNA SERIE DE CONOS CON EJES COMUNES.

DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR UTILIZANDO UN PRECURSOR DE IODURO.

(16/04/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: REDDY, SRINIVASA S.N., KNICKERBOCKER, JOHN ULRICH, WALL, DONALD RENE.

LA PRESENTE INVENCION, DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO DE DEPOSICION QUIMICA EN FASE DE VAPOR (CVD) EN EL QUE SE DEPOSITA NIQUEL O ALEACIONES DEL MISMO, COMO NI/CU, NI/CO, SOBRE SUPERFICIES METALICAS QUE SON SUSCEPTIBLES DE RECIBIR NIQUEL O ALEACIONES DEL MISMO, UTILIZANDO UNA FUENTE DE IODURO , PREFERIBLEMENTE UNA SAL DE IODURO, COMO IODURO DE COBRE.

REACTOR CVD Y USO DEL MISMO.

(01/04/2002) La invención se refiere a un reactor CVD que comprende lo siguiente: un alojamiento de reactor con una tapa; un suscepctor calentado (soporte de disco) que se encuentra en el alojamiento del reactor y sobre el cual puede situarse al menos un disco; una entrada central de fluido a través de la cual medio CVD especialmente templado, etc. se introduce en el reactor; y una descarga de fluido situada en la periferia del alojamiento del reactor y a través de la cual sale el medio admitido. La invención se caracteriza porque la descarga de fluido tiene aproximadamente forma de disco con un cierto número de aberturas de salida para el medio CVD, etc. y está dispuesta…

COMPUESTOS POLIMERICOS VAPORIZADOS INSTANTANEAMENTE AL VACIO.

(01/02/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: BATTELLE MEMORIAL INSTITUTE. Inventor/es: AFFINITO, JOHN D., GROSS, MARK, E., ZIMMERMAN, PAUL, W.

SE PRESENTA UN METODO PARA LA FABRICACION DE CAPAS DE COMPOSITES POLIMERICOS EN UN VACIO. DE MANERA MAS ESPECIFICA SE PRESENTE EL METODO PARA DISOLVER SALES EN UNA SOLUCION MONOMERICA, EVAPORAR LA SOLUCION MEDIANTE UNA LAMPARA DE DESTELLO AL VACIO, CONDENSAR LA SOLUCION EVAPORADA CON LA LAMPARA DE DESTELLO AL VACIO A MODO DE PELICULA LIQUIDA Y FORMAR CON LA PELICULA LIQUIDA CONDENSADA UNA CAPA DE COMPOSITE POLIMERICO SOBRE UN SUSTRATO.

DISEÑOS DE SOPORTE PARA PELICULAS FINAS DE CARBURO DE SILICIO.

(16/01/2002). Solicitante/s: CREE RESEARCH, INC.. Inventor/es: KONG, HUA-SHUANG, CARTER, CALVIN, JR., SUMAKERIS, JOSEPH.

Se describe un soporte para minimizar o eliminar los gradientes térmicos que afectan a una oblea sustrato durante el crecimiento epitaxial. El soporte incluye una primera porción de soporte que incluye una superficie para recibir una oblea de sustrato semiconductor en ella y una segunda porción de soporte. El soporte se caracteriza porque la segunda porción de soporte se enfrenta a la superficie receptora de sustrato y está separada de la superficie receptora de sustrato, siendo la separación suficientemente grande para permitir el flujo de gases entre ellas para el crecimiento epitaxial en un sustrato sobre la superficie, y siendo suficientemente pequeña para que la segunda porción de soporte caliente la cara expuesta del sustrato sustancialmente a la misma temperatura que la primera porción de soporte calienta la cara del sustrato que está en contacto directo con la superficie receptora de sustrato.

PROCEDIMIENTO E INSTALACION DE ELABORACION DE UNA MEZCLA GASEOSA QUE COMPRENDE UN GAS PORTADOR, UN GAS OXIDANTE Y UN SILANO.

(16/11/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE. Inventor/es: COCOLIOS, PANAYOTIS, COEURET, FRANCOIS, VILLERMET, ALAIN, INIZAN, MICHEL.

LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE ELABORACION DE UNA MEZCLA GASEOSA FINAL QUE COMPRENDE UN GAS PORTADOR, UN GAS OXIDANTE Y UN SILANO, DE CONTENIDO DETERMINADO EN CADA UNO DE LOS TRES COMPONENTES GASEOSOS, Y QUE INCLUYE LA REALIZACION DE UNA MEZCLA GASEOSA PRIMARIA QUE COMPRENDE UN GAS NEUTRO Y EL MENCIONADO SILANO, SIENDO EL CONTENIDO EN SILANO DE LA MEZCLA GASEOSA PRIMARIA INFERIOR AL LIMITE DE AUTOINFLAMACION DEL SILANO CONSIDERADO EN EL AIRE, Y LA REALIZACION DE UNA MEZCLA ENTRE LA MEZCLA GASEOSA PRIMARIA Y UNA CORRIENTE DEL CITADO GAS PORTADOR Y, EN SU CASO, DE UNA CORRIENTE DEL CITADO GAS OXIDANTE, EN PROPORCIONES QUE PERMITEN OBTENER LA MEZCLA FINAL REQUERIDA, EFECTUANDOSE LA MEZCLA EN MODO DINAMICO.

DISPOSITIVO PARA EL TRATAMIENTO SUPERFICIAL POR PLASMA DE PIEZAS DE TRABAJO.

(16/09/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: STRAMKE, SIEGFRIED, DR.. Inventor/es: STRAMKE, SIEGFRIED, DR..

EN UN DISPOSITIVO PARA MECANIZAR Y TRATAR SUPERFICIALMENTE CON PLASMA PIEZAS DE TRABAJO SE HAN REUNIDO EN UN APARATO UNA CAMARA DE MECANIZACION PARA MECANIZAR PIEZAS DE TRABAJO Y UNA CAMARA DE TRATAMIENTO PARA EL TRATAMIENTO SUPERFICIAL CON PLASMA DE LAS PIEZAS DE TRABAJO. LAS DOS CAMARAS SON ESTANCAS AL GAS FRENTE AL ENTORNO Y ESTAN SEPARADAS ENTRE SI MEDIANTE UNA PUERTA ESTANCA AL GAS. DE ESTA FORMA PUEDEN MECANIZARSE PIEZAS DE TRABAJO EN LA CAMARA DE MECANIZACION POR MEDIO DE UNA HERRAMIENTA CON EXTRACCION DE VIRUTAS, MIENTRAS LA PUERTA ESTA CERRADA. DESPUES DE LA MECANIZACION SE IGUALAN LOS ESTADOS EN LAS DOS CAMARAS , POR MEDIO POR EJEMPLO DE INTRODUCIR EN LA CAMARA DE MECANIZACION EL MISMO GAS QUE EN LA CAMARA DE TRATAMIENTO . DESPUES DE ALCANZARSE UN EQUILIBRIO DE PRESION ENTRE LAS DOS CAMARAS , SE ABRE LA PUERTA POR DESPLAZAMIENTO Y SE INTRODUCEN LAS PIEZAS DE TRABAJO EN LA CAMARA DE TRATAMIENTO.

APARATO PARA SER UTILIZADO EN PROCEDIMIENTOS DE INFILTRACION/DEPOSITO QUIMICO EN FASE DE VAPOR.

(16/12/1999). Solicitante/s: THE B.F. GOODRICH COMPANY. Inventor/es: PURDY, MARK, J., RUDOLPH, JAMES, W., BOK, LOWELL, D.

LA INVENCION SE REFIERE A UN APARATO PARA USO EN PROCEDIMIENTOS DE INFILTRACION Y DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO (CVI/CVD). EN CONCRETO, LA INVENCION SE REFIERE A UN PRECALENTADOR PARA CALENTAR UN GAS REACTIVO EN EL INTERIOR DE UN HORNO DE CVI/CVD, Y A UN APARATO PARA DEPOSITAR UNA MATRIZ EN UN GRUPO DE ESTRUCTURAS POROSAS MEDIANTE UN PROCEDIMIENTO DE CVI/CVD DE GRADIENTE DE PRESION. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA EL PROCESAMIENTO SIMULTANEO DE CVI/CVD DE GRANDES CANTIDADES (CIENTOS) DE DISCOS DE FRENO DE AERONAVES.

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PCVD DE RECUBRIMIENTO DE SUBSTRATOS CURVADOS.

(01/11/1999) SE DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO DE PCVD PARA LA OBTENCION DE RECUBRIMIENTOS DE GROSOR UNIFORME SOBRE SUSTRATOS ABOMBADOS, POR EL CUAL LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO QUE SE VA A RECUBRIR SE COLOCA EN COMUNICACION CON LA SUPERFICIE DE PASO DE UN GAS DE UNA DUCHA DE GAS. PARA DETERMINAR LOS PARAMETROS APROPIADOS DEL PROCESO, EN UNA PRIMERA SERIE DE ENSAYOS PARA UN TIPO DE SUSTRATO A RECUBRIR, SE MANTIENE CONSTANTE EL TAMAÑO DE LAS SUPERFICIES DE PASO DE GAS Y LA MASA DE GAS PASA A TRAVES DE ESTAS SUPERFICIES, MIENTRAS QUE SE MODIFICAN GRADUALMENTE LOS INTERVALOS ENTRE CADA IMPULSO, EMPEZANDO POR UN VALOR INICIAL T{SUB,A} HASTA ALCANZAR UN VALOR OPTIMO T{SUB,EFF} Y HASTA QUE LA UNIFORMIDAD DEL GROSOR DE LAS CAPAS FORMADAS SOBRE EL SUSTRATO NO AUMENTE. OPCIONALMENTE, DURANTE UNA SEGUNDA SERIE…

METODO DE TRATAMIENTO SUPERFICIAL.

(16/08/1999) UN APARATO PARA EL TRATAMIENTO DE SUPERFICIES EN QUE UNA MEZCLA DE POLVO FLUIDIFICABLE QUE CONSISTE EN UN POLVO DE UN MATERIAL REFRACTARIO Y UN POLVO FORMADOR DE CAPAS SUPERFICIALES DE UN METAL O ALEACION O AMBAS SE FLUIDIFICA MEDIANTE UN GAS FLUIDIFICADOR SUMINISTRADO A TRAVES DE UN DISTRIBUIDOR DE GAS PARA FORMAR ENCIMA DEL DISTRIBUIDOR DE GAS UN LECHO FLUIDIFICADO EN QUE SE FORMA UNA CAPA SUPERFICIAL SOBRE EL MATERIAL A TRATAR MEDIANTE CALENTAMIENTO EN PRESENCIA DE UN HALURO. SE COLOCA UNA CAPA DE PARTICULAS GRUESAS ENTRE EL LECHO FLUIDIFICADO Y EL DISTRIBUIDOR DE GAS Y LAS PARTICULAS GRUESAS TIENEN UN DIAMETRO MEDIO, D-(M), COMO SE DEFINE A CONTINUACION: (1650V(MU)/PG(1/2 < D < 6,5D DONDE V: VELOCIDAD DEL GAS FLUIDIFICADOR…

PROCEDIMIENTO Y APARATO DE FORMACION DE GAS EXCITADO.

(01/07/1999). Solicitante/s: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE. Inventor/es: SINDZINGRE, THIERRY, RABIA, STEPHANE, 14 RESIDENCE DU PARC DU CHATEAU.

LA INVENCION SE REFIERE A LA UTILIZACION, PARA FORMAR UN DEPOSITO DE UNA PELICULA QUE CONTIENE SILICIO SOBRE UN SUBSTRATO METALICO , DE AL MENOS UN APARATO DE FORMACION DE ESPECIES GASEOSAS EXCITADAS O INESTABLES, EN EL QUE SE TRANSFORMA UNA MEZCLA GASEOSA INICIAL , SIENDO EL APARATO EL ASIENTO DE UNA DESCARGA ELECTRICA CREADA ENTRE UN PRIMER ELECTRODO Y UN SEGUNDO ELECTRODO , QUE SE EXTIENDEN SEGUN UNA DIRECCION PRINCIPAL ALARGADA, ATRAVESANDO LA MEZCLA GASEOSA INICIAL LA DESCARGA TRANSVERSALMENTE A LOS ELECTRODOS Y A ESTA DIRECCION PRINCIPAL, LA MEZCLA GASEOSA PRIMARIA OBTENIDA A LA SALIDA DE GASES DE DICHO APARATO, QUE COMPRENDE ESPECIES GASEOSAS EXCITADAS O INESTABLES Y QUE ESTA SUSTANCIALMENTE DESPROVISTO DE ESPECIES ELECTRICAMENTE CARGADAS, FORMANDO CON UNA MEZCLA GASEOSA ADYACENTE QUE COMPRENDE AL MENOS UN PRECURSOR GASEOSO DE SILICIO Y QUE NO HA TRANSITADO POR DICHO APARATO, LA ATMOSFERA GASEOSA DE TRATAMIENTO QUE SE PONE EN CONTACTO CON EL SUBSTRATO PARA REALIZAR EL DEPOSITO.

PROCEDIMIENTO Y APARATO DE FORMACION DE UN GAS EXCITADO.

(01/07/1999) LA INVENCION SE REFIERE A LA UTILIZACION, PARA FORMAR UN DEPOSITO DE UNA PELICULA QUE CONTIENE SILICIO SOBRE UN SUBSTRATO NO METALICO , DE AL MENOS UN APARATO CORRIENTE ABAJO DE FORMACION DE ESPECIES GASEOSAS EXCITADAS O INESTABLES, EN EL QUE SE TRANSFORMA UNA MEZCLA GASEOSA INICIAL DE TRATAMIENTO , SIENDO EL APARATO EL ASIENTO DE UNA DESCARGA ELECTRICA CREADA ENTRE UN PRIMER ELECTRODO Y UN SEGUNDO ELECTRODO , QUE SE EXTIENDEN SEGUN UNA DIRECCION PRINCIPAL ALARGADA, ATRAVESANDO LA MEZCLA GASEOSA INICIAL DE TRATAMIENTO LA DESCARGA TRANSVERSALMENTE A LOS ELECTRODOS Y A ESTA DIRECCION PRINCIPAL, LA MEZCLA GASEOSA PRIMARIA DE TRATAMIENTO…

PRODUCTO, PROCEDIMIENTO Y APARATO DE INFILTRACION/DEPOSITO QUIMICO ENFASE VAPOR CON GRADIENTE DE PRESION.

(16/02/1999). Solicitante/s: THE B.F. GOODRICH COMPANY. Inventor/es: PURDY, MARK, J., RUDOLPH, JAMES, W., BOK, LOWELL, D.

LA INVENCION SE REFIERE AL CAMPO DE COMPUESTOS DE ALTA TEMPERATURA REALIZADOS MEDIANTE LA INFILTRACION DE VAPOR QUIMICO Y DEPOSICION DE UNA MATRIZ DE UNION EN UNA ESTRUCTURA POROSA. EN CONCRETO, LA INVENCION SE REFIERE A PROCEDIMIENTOS DE GRADIENTE DE PRESION PARA FORZAR LA INFILTRACION DE UN GAS REACTIVO EN UNA ESTRUCTURA POROSA, A UN APARATO PARA LLEVAR A CABO ESTOS PROCEDIMIENTOS, Y A LOS PRODUCTOS RESULTANTES. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA EL PROCESAMIENTO SIMULTANEO DE CVI/CVD DE GRANDES CANTIDADES (CIENTOS) DE DISCOS DE FRENO DE AERONAVES.

DISPOSITIVO DE EXTRACCION DE GAS.

(16/01/1999). Ver ilustración. Solicitante/s: SOCIETE NATIONALE D'ETUDE ET DE CONSTRUCTION DE MOTEURS D'AVIATION, "S.N.E.C.M.A.". Inventor/es: GOUJARD, STEPHANE, CHARVET, JEAN-LUC.

UNA BOMBA SECA TIENE UNA ENTRADA CONECTADA AL HORNO PARA PERMITIR ESTABLECER, EN EL INTERIOR DEL HORNO, LAS CONDICIONES DE BAJA PRESION DESEADAS Y EXTRAER LOS GASES RESIDUALES. UN REACTOR DE HIDROLISIS A PRESION ATMOSFERICA ESTA CONECTADO A UNA SALIDA DE LA BOMBA SECA PARA RECIBIR LOS GASES RESIDUALES PROCEDENTES DEL HORNO Y PRESENTA UNA PRIMERA SALIDA PARA DEPOSITOS SOLIDOS O SOLUCIONES ACIDAS PROCEDENTES DE LA HIDROLISIS DE LOS GASES RECIBIDOS Y UNA SEGUNDA SALIDA DE GAS CONECTADA A LA ATMOSFERA. UNOS MEDIOS DE INYECCION DE GAS ENTRE LA ENTRADA DE LA BOMBA SECA Y EL REACTOR DE HIDROLISIS EVITAN LA CONTRACORRIENTE DEL REACTOR DE HIDROLISIS HACIA LA BOMBA. UNOS MEDIOS DE ALIMENTACION DE AGUA ESTAN CONECTADOS AL REACTOR DE HIDROLISIS AL MENOS A TRAVES DE LA SEGUNDA SALIDA DE ESTE PARA DISOLVER LOS VAPORES ACIDOS PROCEDENTES DEL REACTOR DE HIDROLISIS Y EVITAR SU LIBERACION A LA ATMOSFERA.

APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA LA DESCARGA DE REACTIVOS NO VOLATILES.

(16/06/1998) SE PRESENTA UN PROCESO Y UN APARATO PARA SUMINISTRAR UN MATERIAL REAGENTE DE UNA FUENTE DE SOLIDO NO VOLATIL QUE TIENE UNA PRESION DE VAPOR INFERIOR A ALREDEDOR DE 0.1 TORR EN CONDICIONES DE 25 (GRADOS) C Y UNA ATMOSFERA DE PRESION, Y QUE ES TERMICAMENTE ESTABLE A SU TEMPERATURA DE VAPORIZACION, COMO VAPOR DEL MATERIAL REAGENTE DE LA FUENTE EN UN REACTOR CVD QUE COMPRENDA UNA ZONA DE VAPORIZACION Y UNA ESTRUCTURA DE MATRIZ DE VAPORIZACION PARA VAPORIZAR POR DESTELLO EL MATERIAL REAGENTE DE LA FUENTE DE SOLIDO NO VOLATIL. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA EL SUMINISTRO DE REAGENTES DE GRUPO II Y DE COMPUESTOS Y COMPLEJOS DE METALES DE BAJA TRANSICION TALES COMO EL ZIRCONIO Y EL HAFNIO, Y PUEDE…

SISTEMA DE PROCESO SIN AIRE.

(16/05/1998). Solicitante/s: PRAXAIR TECHNOLOGY, INC.. Inventor/es: NOWOTARSKI, MARK STEPHEN, BRESTOVANSKY, DENNIS FRANCIS, PLANTE, WALTER.

UN APARATO Y UN METODO PARA PROCESAR UNA PIEZA DE TRABAJO EN UN AMBIENTE SIN AIRE DEL GAS SELECCIONADO. UN RECIPIENTE DE PREPARACION TIENE UNA ABERTURA PARA LA ENTRADA DE LA PIEZA DE TRABAJO Y UN DIFUSOR ORIENTADO PARA EMITIR A TRAVES DE LA ABERTURA DEL RECIPIENTE UN FLUJO LAMINAR EN FORMA DE CORTINA DEL GAS SELECCIONADO QUE ENTRA, PURGA EL RECIPIENTE Y EVITA LA INFILTRACION DE AIRE. SE TRANSPORTA LA PIEZA DE TRABAJO SOBRE SU TRANSPORTADOR AL RECIPIENTE DE PREPARACION EN DONDE SE PURGA EL AIRE Y SE SUBSTITUYE POR EL GAS SELECCIONADO. UN RECIPIENTE DE PROCESO TIENE UN DIFUSOR Y UNA ABERTURA DE ENTRADA PARA PIEZAS DE TRABAJO SIMILARES. SE HACE QUE COINCIDAN LAS ABERTURAS DEL RECIPIENTE DE PREPARACION Y DE PROCESO Y SE INTRODUCE EL TRANSPORTADOR EN EL RECIPIENTE DE PROCESO PARA EL PROCESO DE LA PIEZA DE TRABAJO EN EL AMBIENTE DEL GAS SELECCIONADO SUMINISTRADO POR EL DIFUSOR DEL RECIPIENTE DE PROCESO.

PROCESO PARA CREAR UN DEPOSITO DE OXIDO DE SILICIO SOBRE UN SUSTRATO SOLIDO DE PASO.

(16/02/1998). Solicitante/s: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE SOFTAL ELECTRONIC GMBH. Inventor/es: COEURET, FRANCOIS, JOUVAUD, DOMINIQUE, SLOOTMAN, FRANK, BOUARD, PASCAL, PRINZ, ECKHARD.

SEGUN EL PROCESO SE SOMETE EL SUSTRATO A UNA DESCARGA ELECTRICA DE BARRERA DIELECTRICA, POR EJEMPLO UNA DESCARGA EN PRESENCIA DE UNA ATMOSFERA QUE CONTIENE SILANO, GAS OXIDANTE NO N2O, CO2 U O2, PARTICULARMENTE Y UN GAS PORTADOR NEUTRO TAL COMO NITROGENO O ARGON. SE MANTIENE ALREDEDOR DEL ELECTRODO UTILIZADO PARA LA DESCARGA ELECTRICA UNA ATMOSFERA CONTROLADA QUE CONTIENE EL SILANO Y EL GAS OXIDANTE CERCA DEL ELECTRODO, EVITANDO QUE EL PROCESO SEA PERTURBADO POR EL AIRE ATMOSFERICO ARRASTRADO, POR EJEMPLO POR EL SUSTRATO DE PASO.

APARATO Y METODO PARA TRATAR UNA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR.

(01/12/1997). Solicitante/s: COBRAIN N.V. Inventor/es: BRASSEUR, GUY JEAN JACQUES.

LA PRESENTE INVENCION PROPORCIONA UN DISPOSITIVO PARA TRATAR UNA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR A UNA DETERMINADA TEMPERATURA CON GAS Y/O VAPOR, QUE COMPRENDE: UNA ESCLUSA DE SUMINISTRO PARA SUMINISTRAR UNA OBLEA (W) DE MATERIAL SEMICONDUCTOR; UN ESPACIO DE TRATAMIENTO EN EL CUAL PUEDE SER COLOCADA UNA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR A TRAVES DE LA ESCLUSA DE SUMINISTRO; UNA ENTRADA DE GAS PARA ADMINISTRAR GAS Y/O VAPOR DENTRO DEL ESPACIO DE TRATAMIENTO; MEDIOS DE BOMBA PARA LLEVAR AL ESPACIO DE TRATAMIENTO, Y MANTENERLO, A SOBREPRESION, Y UNA PARTE DE MESA PARA SOPORTAR LA OBLEA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE TIENE UNA MASA RELATIVA A LAS PARTES QUE LA RODEAN, TAL QUE DURANTE EL TRATAMIENTO PREVALECE UNA TEMPERATURA APROXIMADAMENTE CONSTANTE EN EL ESPACIO DE TRATAMIENTO.

METODOS Y APARATO PARA REVESTIR VIDRIO.

(16/02/1997). Solicitante/s: ELF ATOCHEM NORTH AMERICA, INC.. Inventor/es: GUTHRIE, ROGER THACKSTON, BARKALOW, RAYMOND WILLIAM.

APARATO MEJORADO PARA REVESTIR ENVASES QUE TENGAN UNA SEPARACION MINIMA ENTRE EL CUERPO Y LA REGION DE ACABADO QUE CONSTA DE UNA CUBIERTA DE REVESTIMIENTO Y DE MEDIOS PARA SUMINISTRAR MATERIALES DE REVESTIMIENTO AL REVESTIMIENTO. LA MEJORA CONSISTE EN QUE UN SUMINISTRO DE AIRE NO TURBULENTO, CONTROLADO SE DIRIGE HACIA ABAJO A TRAVES DEL CHORRO DE MATERIAL DE REVESTIMIENTO . UN SOPLADOR PROPORCIONA UN AIRE DE PROCESO A UN PLENO Y UNA PLACA ATENUADORA ANGULAR CON UNA PLURALIDAD DE AGUJEROS PEQUEÑOS DISTRIBUYE EL AIRE DE PROCESO DE MANERA UNIFORME, PARA EVITAR QUE SE FORMEN ONDAS ESTACIONARIAS Y REGIONES CON UNA VELOCIDAD DEL AIRE ALTA O BAJA. SE PUEDEN SUPERPONER VARIAS PLACAS ATENUADORAS PARA PERMITIR LA EXTRACCION DE LAS PARTICULAS MEDIANTE EL MOVIMIENTO DE LAS PLACAS, UNAS RESPECTO A OTRAS.

METODO PARA PREPARAR UNA PANTALLA PARA REDUCIR PARTICULAS EN UNA CAMARA DE DEPOSICION DE VAPOR FISICO.

(01/02/1997) EN UN METODO PARA PREPARA UNA PANTALLA Y/O ANILLO DE APRIETE PREVIO AL USO EN UN PROCESO DE DEPOSICION DE VAPOR FISICO, LA PANTALLA Y/O ANILLO DE APRIETE SE INYECTA PRIMERO EN ESCORIA UTILIZANDO UN POLVO ABRASIVO, A CONTINUACION SE TRATA EN UNA CAMARA DE LIMPIEZA ULTRASONICA PARA ELIMINAR PARTICULAS SUELTAS Y DESPUES UN CHISPORROTEADO CON ACIDO O TRATATO CON UN PLASMA. EL CHISPORROTEO O EL TRATAMIENTO DE PLASMA SIRVE A SOLTAR CONTAMINACION QUE PUEDE FORMAR UNA BARRERA DE DIFUSION Y PREVENIR LOS DEPOSITOS A PARTIR DE EL ENLACE DE LA PANTALLA Y TAMBIEN SIRVE PARA HACER ASPERA LA SUPERFICIE DE LA PANTALLA Y/O EL ANILLO…

SISTEMA DE REPARTO QUIMICO DE ALTA PUREZA.

(16/01/1997) SE DESCRIBEN UN METODO Y UN APARATO PARA REPARTIR PRODUCTOS QUIMICOS HIGROSCOPICOS CORROSIVOS, TALES COMO EL CLORURO DE HIDROGENO, DE UNA FUENTE, TAL COMO UN TUBO DE REMOLQUE, A UN PUNTO DE USO, TAL COMO UNA HERRAMIENTA DE FABRICACION SEMICONDUCTORA, MINIMIZANDO LA INFILTRACION DE HUMEDAD Y LA ENTRADA DE PARTICULAS, A LA VEZ QUE SE REDUCEN LOS CONTENIDOS DE HUMEDAD POR DEBAJO DE 100 PARTES POR BILLON Y SE ADQUIEREN LAS PERDIDAS DE PRESION APROPIADAS SIN NECESIDAD DE UN FLUJO DE DOS FASES. EL APARATO COMPRENDE: (A) UN CONDUCTO DE REPARTO PARA LA CONEXION A DICHA FUENTE DE PROVISION DE DICHO PRODUCTO QUIMICO Y A DICHO PUNTO DE USO ; (B) UN DESHIDRATADOR CALENTADO CONECTADO A DICHO…

MODULO INTEGRADO DE SUMINISTRO DE VAPOR QUIMICO A PARTIR DE FUENTES NO GASEOSAS PARA EL TRATAMIENTO DE SEMICONDUCTORES.

(01/01/1997). Solicitante/s: STAUFFER, CRAIG, M. Inventor/es: STAUFFER, CRAIG, M.

SE DESCRIBE UN MODULO INTEGRADO , CON UN DEPOSITO CALENTADO , PARA VAPORIZAR LIQUIDO, PARA PROCESOS SEMICONDUCTORES, CON FUENTES DE LIQUIDO. SE INSTALAN SOBRE EL MODULO VALVULAS DE CIERRE Y UNA VALVULA DOSIFICADORA PARA CONTROLAR EL FLUJO DEL VAPOR PROCEDENTE DEL DEPOSITO, PARA CALENTAMIENTO DE CONDUCCION SIMPLE DE LAS VALVULAS . TAMBIEN SE INSTALA UN MANOMETRO DE CAPACITANCIA EN EL MODULO , Y TIENE ASIMISMO SUS PROPIOS ELEMENTOS DE CALENTAMIENTO (64A, 64B). SE EVITA LA CONDENSACION DEL VAPOR Y SE OBTIENE FIABILIDAD Y RENDIMIENTO CONSISTENTES.

APARATO DE PROCESAMIENTO EN VACIO, TENIENDO RENDIMIENTO PERFECCIONADO.

(16/10/1996) EL DESCUBRIMIENTO SE REFIERE A UN METODO PARA DEPOSITAR PELICULAS FINAS SOBRE SUSTRATOS DE VIDRIO MEDIANTE DEPOSICION UNICA DE SUSTRATOS, COMPRENDIENDO LA CARGA DE UN LOTE DE SUSTRATOS EN UNA CAMARA DE CIERRE DE CARGA Y EVACUANDO LA CAMARA, TRANSFIRIENDO LOS SUSTRATOS A UNA CAMARA DE CALENTAMIENTO DE LOTES PARA CALENTAR LOS SUSTRATOS A TEMPERATURAS ELEVADAS; TRANSFIRIENDO LOS SUSTRATOS DE VIDRIO DE UNO EN UNO A UNA O MAS CAMARAS DE PROCESAMIENTO DE SUSTRATOS UNICOS Y TRANSFIRIENDO SECUENCIALMENTE LOS SUSTRATOS DE RETORNO A LA CAMARA DE CIERRE DE CARGA, DONDE SON ENFRIADOS EN LOTES. EL DESCUBRIMIENTO TAMBIEN SE REFIERE A UN SISTEMA DE VACIO PARA REALIZAR EL METODO, E INCLUYE UNA CAMARA DE ENFRIAMIENTO/CIERRE DE CARGAS (14A, 14B) PARA EVACUAR UNA PLURALIDAD DE SUSTRATOS DE VIDRIO; UNA CAMARA DE CALENTAMIENTO PARA CALENTAR UNA PLURALIDAD…

METODO PARA FORMAR UNA CAPA DE NITRURO O DE CARBONONITRURO.

(01/08/1996) SE FORMA UNA CAPA DE NITRURO O DE CARBONONITRURO SOBRE LA SUPERFICIE DE UN MATERIAL METALICO DE LA MANERA SIGUIENTE: SE COLOCA UN AGENTE TRATANTE COMPUESTO DE UN POLVO REFRACTARIO DE ALUMINA O SIMILAR Y UN POLVO DE UN METAL PARA FORMAR UN NITRURO O UN CARBURO O UNA ALEACION DE LOS MISMOS EN UN HORNO DE LECHO FLUIDIZADO; EL AGENTE TRATANTE SE FLUIDIZA PARA FORMAR UN LECHO FLUIDIZADO MEDIANTE LA INTRODUCCION DE UN GAS INERTE; EL HORNO DE LECHO FLUIDIZADO SE CALIENTA A UNA TEMPERATURA NO SUPERIOR A LOS 700 (GRADOS) C; SE INTRODUCE DE MANERA INTERMITENTE UN ACTIVADOR DE UNA SAL DE AMONIO HALOGENADA EN EL LECHO FLUIDIZADO A UNA VELOCIDAD DE 0,001 A 5%/HORA EN PESO BASADA EN LA CANTIDAD DE AGENTE TRATANTE; Y EL MATERIAL METALICO A SER TRATADO SE COLOCA EN EL LECHO FLUIDIZADO DURANTE O DESPUES DE CUALQUIERA DE LOS PASOS ANTERIORES. POR EJEMPLO,…

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