(06/11/2019) Un método de procesamiento por láser, que comprende las etapas de: irradiar un objeto a procesar, que comprende un sustrato de silicio , que tiene una cara frontal y una cara posterior , y una parte laminada , dispuesta en la cara frontal del sustrato de silicio , con luz láser (L), al colocar un punto de convergencia de luz (P) dentro del sustrato de silicio , para formar una región procesada fundida solo dentro del sustrato de silicio , y hacer que la región procesada fundida forme una región de punto de partida, ubicada dentro del sustrato de silicio , a una distancia predeterminada de una cara incidente de luz láser del objeto , para cortar el objeto; formar la región del punto de partida para cortar dentro del objeto a lo largo de una línea que se extiende linealmente , a lo largo…

(07/08/2019) Dispositivo de estructuración para la estructuración de un elemento (E) en forma de placa, en particular, un módulo solar y/o un módulo solar de capa fina, que comprende varios útiles de estructuración configurados, respectivamente, para la aplicación de una ranura en el elemento en forma de placa caracterizado por una primera unidad (2a) de estructuración que presenta varios de estos útiles de estructuración, estando al menos dos de estos útiles (1a, 1b) de estructuración de esta primera unidad de estructuración configurados, de modo que con estos en el elemento en forma de placa se pueden aplicar dos primeras ranuras que discurren paralelas una con respecto a otra y con distancia constante entre sí (SG1), así como una segunda unidad (2b) de estructuración…

(06/03/2019) Procedimiento de fabricación de un lingote de silicio por recuperación de semillas en un horno de solidificación dirigida, que comprende al menos las etapas que consisten en: (i) disponer de un crisol de eje (Z) longitudinal, cuyo fondo comprende un pavimento de semillas de silicio monocristalino de forma en prisma recto, estando el pavimento formado: - de una o varias semillas centrales Gc; y - de unas o varias semillas periféricas Gp, contiguas a las semillas Gc; y (ii) proceder a la solidificación dirigida de silicio por recuperación de semillas, según una dirección de crecimiento colineal al eje (Z); caracterizado por que una semilla Gp presenta una red cristalina simétrica de la red cristalina de la semilla Gc contigua, con respecto al plano P definido por la frontera entre dichas semillas…

(26/07/2017) Un método de división de sustrato que comprende las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor , teniendo el sustrato semiconductor una cara frontal sobre la que se forman una pluralidad de dispositivos funcionales, con luz láser (L) mientras que se posiciona un punto de convergencia de luz (P) dentro del sustrato semiconductor para formar una región procesada fundida debido a absorción multifotón solamente dentro del sustrato semiconductor , formando la región procesada fundida una región de punto de partida para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual el sustrato semiconductor debe cortarse, dentro del sustrato semiconductor , una distancia predeterminada…

(03/08/2016) Un procedimiento para procesar un sustrato modificando estructuralmente al menos parte de una zona de interfase definida por al menos dos capas superpuestas (28A, 28B) dirigiendo desde una fuente láser una pluralidad de pulsos láser secuenciales al sustrato y que están enfocados a dicha zona de interfase, donde la fuente láser y el sustrato se mueve uno con respecto a otro a una velocidad predeterminada, estando ajustada la velocidad de tal modo que los pulsos solapan de manera significativa, caracterizado porque la fuente láser es una fuente láser de fibra ; y por -emitir desde dicha fuente láser de fibra pulsos que tienen una duración de 20 - 100 picosegundos, una potencia…

(08/06/2016) Procedimiento para preparar la fractura de un sustrato para al menos un componente semiconductor de potencia con las siguientes etapas del procedimiento: a) preparación del sustrato , presentando el sustrato un cuerpo de material aislante no conductor de electricidad, b) erosión del material en el cuerpo de material aislante a lo largo de cantos de fractura (A, B, C, D, E) deseados del sustrato , siendo realizada la erosión de material de tal manera que en zonas de esquina , en las que confluyen al menos dos cantos de fractura (A, B, C, D, E) deseados, se realiza a lo largo de los al menos dos cantos de fractura deseados una erosión mayor del material frente a la erosión del material, que se realiza en las zonas restantes…

(02/02/2016) Dispositivo para el desmenuzado de una vara de silicio policristalina, que comprende una base, así como al menos un cincel de desmenuzado móvil, y al menos un yunque inmóvil, poseyendo el cincel de desmenuzado, al menos uno, un eje longitudinal que está orientado paralelamente o casi paralelamente a la superficie de la base, pudiéndose ajustar una vara de silicio situada en la superficie de la base, a desmenuzar, respectivamente entre cincel de desmenuzado y yunque, de tal manera que cincel de desmenuzado y yunque pueden poseer un contacto con la vara de silicio en la zona de la vara de silicio, y respectivamente un punto de apoyo de vara de silicio y yunque, así como un eje transversal de la vara de silicio que transcurre a través de un centro de…

(17/02/2015) Un método de corte de un sustrato de material semiconductor, un sustrato de material piezoeléctrico o un sustrato de vidrio , que comprende las etapas de: irradiar el sustrato con una luz (L) láser, caracterizado por que la luz (L) láser tiene una luz láser pulsada que tiene un ancho de pulso no mayor que 1 μs en un punto (P) de convergencia dentro del sustrato , de manera que el punto (P) de convergencia de la luz láser pulsada se coloca dentro del sustrato y una potencia pico de la luz (L) láser en el punto (P) de convergencia no es menor que 1 X 108 (W/cm2); y además caracterizado por las etapas siguientes: mover relativamente el punto (P) de convergencia de la luz láser pulsada con respecto al sustrato a lo largo de una línea a lo largo de la que el sustrato está…

(14/01/2015) Un procedimiento de corte de un sustrato de material semiconductor, un sustrato de material piezoeléctrico o un sustrato de vidrio , que comprende las etapas de: irradiar un sustrato con una luz láser por impulsos (L), caracterizado por que la luz láser por impulsos (L) tiene una anchura de impulsos no más grande que 1 μs en un punto de convergencia (P) en el interior del sustrato , de tal modo que el punto de convergencia (P) de la luz láser por impulsos (L) se encuentra en el interior del sustrato y una potencia de pico de la luz láser (L) en el punto de convergencia (P) no es más pequeña que 1 X 10…

(31/12/2014) Un método de procesamiento del objeto hecho de un material transmisor de luz cuya superficie reposa en un plano X-Y, y está formado con una pluralidad de secciones de circuito , estando el método caracterizado por las siguientes etapas de: irradiación del objeto con luz láser (L) con un punto de convergencia de luz (P) dentro del objeto para formar una primera zona modificada solamente dentro del objeto por debajo de una superficie de incidencia del láser del objeto , en el que, la primera zona modificada está separada de la superficie de incidencia del láser del objeto por una distancia predeterminada, y adicionalmente en el que la…

(26/11/2014) Un procedimiento de procesamiento láser de un objeto que va a cortarse, comprendiendo el procedimiento: irradiar el objeto con una luz láser (L) con un punto de convergencia de luz (P) ubicado en el interior del objeto para formar una región modificada en el interior del objeto a lo largo de una línea a lo largo de la cual se pretende que se corte el objeto ; caracterizado adicionalmente por las etapas de: cambiar la posición del punto de convergencia de luz (P) del láser (L) en una dirección de incidencia de la luz láser (L) que irradia el objeto con respecto al objeto , para formar una pluralidad de las regiones modificadas que se alinean entre sí a lo largo de la dirección de incidencia de la luz láser (L) con el fin de formar de manera sucesiva, o aleatoria,…

(15/10/2014) Un chip semiconductor obtenido a partir de una plaqueta semiconductora, en el que el sustrato semiconductor tiene una estructura mono-cristalina de silicio, en el que el chip semiconductor tiene una superficie de corte formada haciendo que se produzca una fractura cuando se corta la plaqueta semiconductora, caracterizado porque la superficie de corte comprende al menos una región procesada fundida y al menos una pequeña cavidad formadas por un haz láser a lo largo de una dirección del grosor del chip semiconductor en una parte de la superficie de corte, en el que la al menos una región procesada fundida comprende una pluralidad de regiones procesadas fundidas formadas a lo largo de una dirección perpendicular a la dirección del grosor, y la al…

(09/04/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de irradiar un sustrato semiconductor con luz láser mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor, con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor, y se causa que la región modificada forme una parte destinada a ser cortada; y expandir una lámina después de la etapa de formar la parte destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que está destinada a ser cortada, en el que la lámina está pegada al sustrato…

(09/04/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al mismo con luz laser mientras se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; y expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, a fin de cortar el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada caracterizado…

(02/04/2014) Un procedimiento de procesamiento por láser para cortar un objeto a procesar que incluye un sustrato semiconductor y unos dispositivos funcionales dispuestos en el sustrato, comprendiendo el procedimiento las etapas de pegar una película protectora a una cara delantera del objeto en el lado de los dispositivos funcionales, irradiar el objeto con luz láser mientras se usa una cara trasera del objeto como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor, causando que la región modificada forme una región de inicio de corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual se pretende cortar el objeto, en el que una película expansible es…

(05/03/2014) Procedimiento para la separación de aceite de rectificación de lodos de rectificación, con calentamiento del lodo de rectificación a través de calefacción por inducción, caracterizado por las siguientes etapas del procedimiento: a) el lodo de rectificación es dispersado sobre un soporte en una capa plana de altura reducida; b) la superficie libre de la capa de lodo de rectificación plana se expone a la zona de actuación de una placa de inducción que actúa desde arriba, moviendo la placa de inducción y el soporte relativamente entre sí modificando la distancia; c) se extrae el aceite de rectificación reducido en su viscosidad a través del calentamiento inductivo a través de orificios en el soporte hacia abajo; d) se retira la capa de lodo de rectificación fuera de la zona de actuación de la placa de inducción desde el soporte.

(01/01/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar con luz laser un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al nnismo por medio de una capa deresina de pegado de plaquetas mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una region modificada dentro del sustrato semiconductor , y causando que la regiónmodificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; generar una tensi6n en el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada despuesde la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor a lolargo de la parte…

(06/11/2013) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara frontal formada con unapluralidad de dispositivos funcionales para dividirlo en ca 5 da uno de dichos dispositivos funcionales, comprendiendoel procedimiento las etapas de: pegar una lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor por medio de una capa de resina depegado de plaquetas ; después del pegado de la lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor , formar una regiónprocesada fundida dentro del sustrato semiconductor irradiando el sustrato semiconductor con luz lásermientras se utiliza una cara frontal del sustrato semiconductor como una superficie de…

(06/08/2013) Polvo de granos abrasivos, destinados en particular al mecanizado de lingotes de silicio, siendo dicho polvo tal que la fracción granulométrica D40-D60 comprende más del 15% y menos del 80%, en porcentaje en volumen, de granos que presentan una circularidad (S) inferior a 0, 85, siendo los percentiles D40 y D60 los percentiles de la curva de distribución granulométrica acumulada de los tamaños de granos del polvo, que corresponde a los tamaños de granos que permiten separar las fracciones del polvo constituidas por el 40% y por el 60% en porcentajes en volumen, respectivamente, de los granos del polvo que presentan los mayores tamaños.

(22/08/2012) Un proceso para tratar suspensiones agotadas de material abrasivo que incluyen un líquido de lasuspensión, granos reutilizables de material abrasivo, granos finos de material abrasivo, partículas finas de silicio ypartículas finas de metal, que comprende las siguientes etapas: separar la suspensión agotada de material abrasivo por tratamiento de clasificación por tamaño en húmedo enuna centrifugadora en una primera suspensión líquida que contiene parte del líquido de la suspensión y losgranos reutilizables de material abrasivo, y enuna segunda suspensión líquida que contiene la parte restante del líquido de la suspensión y los granos finosabrasivos, así como las partículas finas de silicio y las partículas finas…

(22/08/2012) Un procedimiento de división de un sustrato , que comprende -dirigir hacia el sustrato desde una fuente de láser una pluralidad de pulsos de láser focalizados secuenciales que tienen una longitud de onda de 0, 75 -1, 4 μm, una frecuencia de pulsos de al menos 1 MHz y un diámetro de punto focal predeterminado, pudiendo los pulsos fundir localmente el sustrato , -mover la fuente de láser y el sustrato uno con respecto al otro a una velocidad de movimiento predeterminada de modo que se forme una zona estructuralmente modificada en el sustrato , ajustándose la velocidad de movimiento de modo que los pulsos se superponen significativamente, siendo la distancia entre pulsos sucesivos menor de 1/5 del diámetro de dicho…

(03/05/2012) Procedimiento para romper discos u obleas de semiconductores, así como láminas de cerámica y vidrio, o sustratos similares, a lo largo de líneas de rotura controlada que se extienden de forma rectilínea y están marcadas con una ligera incisión en la cara superior del disco semiconductor, utilizando una cuña de rotura dispuesta en la cara inferior del disco semiconductor o similar de forma alineada con la correspondiente línea de rotura controlada y al menos un contrasoporte que se apoya en la cara superior del disco semiconductor o similar y provoca una contrapresión en el momento en el que la cuña presiona contra la cara inferior del…

(04/04/2012) Un procedimiento de corte de un sustrato de material semiconductor, un sustrato de material piezoeléctrico o un sustrato de vidrio que va a cortarse por procesamiento láser que comprende: irradiar el sustrato que va a cortarse con un haz de láser, y; cortar el sustrato a lo largo de la línea a lo largo de la cual se pretende cortar el sustrato , caracterizado por que la etapa de irradiación comprende irradiar el sustrato que va a cortarse con un láser pulsado (L) con un punto de convergencia de luz (P) que se encuentra en el interior del sustrato en una condición con una densidad de potencia máxima de al menos 1 x 108 W/cm2 en el punto de convergencia de luz (P) y una anchura de impulsos de 1 μs o menos, con el fin de generar una región de fisuración en la que se genera una fisura…

(21/03/2012) Aparato de procesamiento con láser para irradiar un objeto a procesar en forma de oblea con luz láser (L1) mientras se sitúa un punto de convergencia de la luz (P) en el interior del objeto para así formar una zona modificada , comprendiendo el aparato: un expansor de haz para aumentar el tamaño de haz de la luz láser emitida desde una fuente de luz láser ; una lente condensadora para converger la luz láser que incide sobre la misma por medio del expansor de haz hacia el objeto; y caracterizado por: un elemento de sujeción de la lente que sujeta la lente condensadora y que incluye un primer orificio de transmisión de luz para hacer que la luz láser incida sobre la lente condensadora; en el cual un elemento de diafragma , que tiene un segundo orificio de transmisión de luz para reducir y transmitir la luz láser,…

(01/04/2007) Dispositivo de aserrado por hilo que comprende por lo menos una capa de hilos tensada entre por lo menos dos cilindros guiahilos y mantenida en posición por unas gargantas previstas en la superficie de dichos cilindros guiahilos que definen el intervalo entre los hilos de dicha capa de hilos, por tanto el espesor de las lonchas aserradas y separadas unas de las otras por unos intersticios de aserrado , siendo los hilos susceptibles de desplazarse según un movimiento alternativo o continuo en apoyo contra por lo menos una pieza a serrar fijada sobre una mesa de soporte , estando previstos unos medios para efectuar un movimiento de…