Un aparato, un método para establecer un patrón conductor en un sustrato aislante plano, el sustrato aislante plano y un conjunto de chips del mismo.

Un aparato (100) para proporcionar un patrón conductor (99) sobre un sustrato aislante plano (101),

por lo que el aparato comprende:

- un primer módulo configurado para establecer un patrón predefinido en el sustrato aislante plano de modo que las partículas conductoras (102) al menos parcialmente metálicas puedan reunirse de acuerdo con el patrón predefinido, en donde el sustrato aislante plano está adaptado a un punto de ruptura o deformación por debajo de 300 °C sin romperse o deformarse a dicha temperatura, en donde un módulo de separación (111, 112, 113) está configurado para proporcionar un agente de acoplamiento (103) de modo que las partículas conductoras al menos parcialmente metálicas puedan unirse al sustrato,

- un segundo módulo configurado para transferir las partículas conductoras (102) al menos parcialmente metálicas al sustrato aislante plano (101), en donde las partículas conductoras al menos parcialmente metálicas están dispuestas para reunirse de acuerdo con el patrón predefinido, y

- un módulo de sinterización que comprende un estrechamiento de sinterización configurado para fusionar al menos parcialmente las partículas conductoras metálicas (102) en el sustrato aislante plano (101) bajo temperatura y presión de sinterización, en donde el metal de las partículas conductoras al menos parcialmente metálicas está dispuesto para fusionarse al menos parcialmente de acuerdo con el patrón predefinido (99) para establecer un plano conductor (99') sobre el sustrato aislante plano (101).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FI2008/050256.

Solicitante: STORA ENSO OYJ.

Nacionalidad solicitante: Finlandia.

Dirección: P.O. Box 309 00101 Helsinki FINLANDIA.

Inventor/es: SIRVIÖ,PETRI, MAIJALA,JUHA.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C23C24/10 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K). › C23C 24/00 Revestimiento a partir de polvos inorgánicos (pulverización en estado fundido del material de revestimiento C23C 4/00; difusión en estado sólido C23C 8/00 - C23C 12/00; fabricación de capas compuestas, de piezas o de objetos por sinterizado de polvos metálicos B22F 7/00; soldadura por fricción B23K 20/12). › con formación de una fase líquida intermedia en la capa.
  • C23C26/00 C23C […] › Revestimientos no previstos por los grupos C23C 2/00 - C23C 24/00.
  • H05K1/03 SECCION H — ELECTRICIDAD.H05 TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR.H05K CIRCUITOS IMPRESOS; ENVOLTURAS O DETALLES DE REALIZACION DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS (detalles de instrumentos o detalles comparables de otros aparatos no previstos en otro lugar G12B; circuitos de película delgada o de película gruesa H01L 27/01, H01L 27/13; medios no impresos para realizar conexiones con o entre circuitos impresos H01R; envolturas o detalles de realización de tipos particulares de aparatos, ver las subclases apropiadas; procedimientos que sólo comprenden una técnica prevista en otro lugar, p. ej. calefacción, pulverización, ver la subclase apropiada). › H05K 1/00 Circuitos impresos (conjuntos consistentes en una pluralidad de semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, p. ej. circuitos integrados, circuitos de película delgada o de película gruesa H01L 27/00). › Empleo de materiales para realizar el sustrato.
  • H05K3/12 H05K […] › H05K 3/00 Aparatos o procedimientos para la fabricación de circuitos impresos (producción por vía fotomecánica de superficies texturadas, materiales a este efecto o sus originales, aparellajes especialmente adaptados a este efecto, en general G03F; que implican la fabricación de dispositivos semiconductores H01L). › utilizando las técnicas de impresión para aplicar el material conductor.

PDF original: ES-2768251_T3.pdf

 

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