Método de modulación de ancho de pulsos de inversor fotovoltaico de tres niveles y modulador.

Un método de modulación de ancho de pulsos para un inversor fotovoltaico de tres niveles,

que comprende:

detectar (601) si un valor eficaz de una corriente de fuga en modo común del inversor fotovoltaico de tres niveles es mayor que un primer umbral;

conmutar (602) un modo de modulación de ancho de pulsos del inversor fotovoltaico de tres niveles a un modo de modulación de ancho de pulsos de vector espacial, SVPWM, de 13 vectores en el caso de detectar que el valor eficaz de la corriente de fuga en modo común del inversor fotovoltaico de tres niveles es mayor que el primer umbral;

después de la conmutación (602) del modo de modulación de ancho de pulsos del inversor fotovoltaico de tres niveles al modo SVPWM de 13 vectores, detectar (603) si el valor eficaz de la corriente de fuga en modo común del inversor fotovoltaico de tres niveles no es mayor que un segundo umbral, en donde el segundo umbral no es mayor que el primer umbral; y

conmutar (604) el modo de modulación de ancho de pulsos del inversor fotovoltaico de tres niveles a un modo SVPWM discontinuo en el caso de detectar (603) que el valor eficaz de la corriente de fuga en modo común del inversor fotovoltaico de tres niveles no es mayor que el segundo umbral,

en donde el modo SVPWM de 13 vectores es un modo SVPWM en el que se descartan 12 cortos de 27 vectores de estado de encendido-apagado del inversor fotovoltaico de tres niveles y solamente se reservan 6 vectores largos, 6 vectores medios y 3 vectores cero, y en donde el modo SVPWM discontinuo es un modo SVPWM en el que el inversor fotovoltaico de tres niveles mantiene que una cierta fase del conmutador de potencia no actúe dentro de un ciclo de conmutación y las otras dos fases de los conmutadores de potencia actúen dos veces dentro de un ciclo de conmutación.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/CN2015/078540.

Solicitante: Sungrow Power Supply Co., Ltd.

Nacionalidad solicitante: China.

Dirección: No. 1699 Xiyou Road, New & High Technology Industrial Development Zone Hefei, Anhui 230088 CHINA.

Inventor/es: HAN,ZHIQIANG, LI,XIAOXUN, LI,HAOYUAN, MEI,XIAODONG, YANG,BENHE, SHEN,KAI.

Fecha de Publicación: 12 de Febrero de 2020.

Clasificación Internacional de Patentes:

H02J3/38 ELECTRICIDAD. › H02 PRODUCCION, CONVERSION O DISTRIBUCION DE LA ENERGIA ELECTRICA. › H02J CIRCUITOS O SISTEMAS PARA LA ALIMENTACION O LA DISTRIBUCION DE ENERGIA ELECTRICA; SISTEMAS PARA EL ALMACENAMIENTO DE ENERGIA ELECTRICA. › H02J 3/00 Circuitos para redes principales o de distribución, de corriente alterna. › Disposiciones para la alimentación en paralelo de una sola red por dos o más generadores, convertidores o transformadores.
H02M7/487 H02 […] › H02M APARATOS PARA LA TRANSFORMACION DE CORRIENTE ALTERNA EN CORRIENTE ALTERNA, DE CORRIENTE ALTERNA EN CORRIENTE CONTINUA O DE CORRIENTE CONTINUA EN CORRIENTE CONTINUA Y UTILIZADOS CON LAS REDES DE DISTRIBUCION DE ENERGIA O SISTEMAS DE ALIMENTACION SIMILARES; TRANSFORMACION DE UNA POTENCIA DE ENTRADA EN CORRIENTE CONTINUA O ALTERNA EN UNA POTENCIA DE SALIDA DE CHOQUE; SU CONTROL O REGULACION (transformadores H01F; convertidores dinamoeléctricos H02K 47/00; control de los transformadores, reactancias o bobinas de choque, control o regulación de motores, generadores eléctricos o convertidores dinamoeléctricos H02P). › H02M 7/00 Transformación de una potencia de entrada en corriente alterna en una potencia de salida en corriente continua; Transformación de una potencia de entrada en corriente continua en una potencia de salida en corriente alterna. › Inversores bloqueados en el punto neutro.
H02M7/5387 H02M 7/00 […] › en una configuración en puente.
H02S40/32 H02 […] › H02S GENERACIÓN DE ENERGÍA ELÉCTRICA MEDIANTE LA CONVERSIÓN DE LA RADIACIÓN INFRARROJA, LUZ VISIBLE O LUZ ULTRAVIOLETA, p. ej. UTILIZANDO MÓDULOS FOTOVOLTAICOS [FV] (obtención de energía eléctrica a partir de fuentes radiactivas G21H 1/12; dispositivos semiconductores inorgánicos sensibles a la luz H01L 31/00; dispositivos termoeléctricos H01L 35/00; dispositivos piroeléctricos H01L 37/00; dispositivos semiconductores orgánicos sensibles a la luz H01L 51/42). › H02S 40/00 Componentes o accesorios en combinación con módulos FV, no previstos en los grupos H02S 10/00 - H02S 30/00. › que comprende inversores DC/AC asociados con el módulo FV en sí, p. ej. módulos de AC.
H02S50/10 H02S […] › H02S 50/00 Monitorización o ensayos de sistemas FV, p. ej equilibrio de carga o identificación de fallos. › Ensayos de dispositivos FV, p. ej. de módulos FV o células FV individuales (ensayo de dispositivos semiconductores durante su fabricación H01L 21/66).

PDF original: ES-2788925_T3.pdf

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