Célula solar con contactos de heterounión semiconductores dopados y procedimiento para su fabricación.

Una célula solar que comprende:

un sustrato de silicio (10);

y

una capa de óxido con efecto túnel (16) sobre una superficie trasera del sustrato (10),

un primer contacto semiconductor dopado (18) sobre la capa de óxido con efecto túnel, y

caracterizada por que

un segundo contacto semiconductor dopado (22) formado sobre el primer contacto semiconductor dopado (18) y en una abertura a través del primer contacto semiconductor dopado (18) y en contacto con la capa de óxido con efecto túnel (16), donde, los contactos semiconductores dopados primero y segundo tienen tipos de conductividad opuestos y una capa aislante (20) entre el primer contacto semiconductor dopado (18) y el segundo contacto semiconductor dopado (22).

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E16182570.

Solicitante: SunPower Corporation.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 77 Rio Robles San Jose, CA 95134 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: COUSINS,PETER JOHN.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/062 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo metal-aislante-semiconductor.
  • H01L31/0747 H01L 31/00 […] › comprendiendo una heterounión de materiales cristalinos y amorfos, p.ej. heterounión con capa fina intrínseca o células solares HIT ®.

PDF original: ES-2729999_T3.pdf

 

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