RED PASIVA EN FORMA DE CONSTRUCCION DE UN CHIP.

SE DESCRIBE UNA RED PASIVA, COMO POR EJEMPLO UNA SERIE-CC EN FORMA DE CHIP,

EN LA QUE LOS CONDUCTORES INTERIORES DE UNA SERIE DE CONDENSADORES SE SACAN COMO CONEXIONES (1-4) EN UNA SUPERFICIE LATERAL LONGITUDINAL (L1) DEL DISCO-CHIP (10). UNOS ELECTRODOS DE MASA (0) COMUNES AL NUMERO DE CONDENSADORES SE LLEVAN, POR OTRA PARTE, A LAS DOS SUPERFICIES DEL LADO FRONTAL (S1, S2) DEL DISCOCHIP (10).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GMBH & CO KG.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: BALANSTRASSE 73,81541 MUNCHEN.

Inventor/es: AICHHOLZER, KLAUS-DIETER, KAINZ, GERALD.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 25 de Septiembre de 1997.

Fecha Concesión Europea: 20 de Marzo de 2002.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01C1/16 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01C RESISTENCIAS.H01C 1/00 Detalles. › Redes de resistencias no previstos en otro lugar.
  • H01C13/02 H01C […] › H01C 13/00 Resistencias no previstas en otro lugar. › Combinaciones estructurales de resistencias.
  • H01G4/38 H01 […] › H01G CONDENSADORES; CONDENSADORES, RECTIFICADORES, DETECTORES, CONMUTADORES O DISPOSITIVOS FOTOSENSIBLES O SENSIBLES A LA TEMPERATURA, DEL TIPO ELECTROLITICO (empleo de materiales especificados por sus propiedades dieléctricas H01B 3/00; condensadores con una barrera de potencial o una barrera de superficie H01L 29/00). › H01G 4/00 Condensadores de capacidad fija; Procesos de fabricación (condensadores electrolíticos H01G 9/00). › Condensadores múltiples, es decir, combinaciones estructurales de condensadores de capacidad fija.
  • H01G4/40 H01G 4/00 […] › Combinaciones estructurales de condensadores de capacidad fija con otros elementos eléctricos, no cubiertos por la presente subclase, estando la estructura principalmente constituida por un condensador, p. ej. combinaciones RC.
  • H01L27/01 H01 […] › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › que comprenden solamente elementos pasivos de película delgada o gruesa formados sobre un sustrato aislante común.

Países PCT: Austria, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Italia, Portugal, Irlanda, Finlandia, Oficina Europea de Patentes.

RED PASIVA EN FORMA DE CONSTRUCCION DE UN CHIP.

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