Método y sistema para inspeccionar una estructura semiconductora de salto de banda indirecto.

Un método para inspeccionar una estructura semiconductora (140) de salto de banda indirecto,

de manera que dicho método comprende las etapas de:

generar luz desde una fuente de luz (110) que comprende un láser, un diodo de láser o un diodo electroluminiscente, que tiene un pico de longitud de onda de emisión adecuado para inducir fotoluminiscencia en dicha estructura semiconductora (140) de salto de banda indirecto;

filtrar en paso corto dicha luz generada para reducir la luz de longitud de onda larga de dicha luz generada por encima de dicho pico de longitud de onda de emisión, que es recibida por un dispositivo (130) de captación de imágenes;

colimar dicha luz generada;

iluminar de manera sustancialmente uniforme y simultánea una gran área que incluye hasta toda la superficie de dicha estructura semiconductora (140) de salto de banda indirecto, con dicha luz filtrada en paso corto y colimada; captar simultáneamente la fotoluminiscencia inducida desde dicha estructura semiconductora (140) de salto de banda indirecto por dicha iluminación, utilizando el dispositivo (130) de captación de imágenes, capaz de captar simultáneamente dicha fotoluminiscencia inducida; y

realizar un tratamiento de imagen con las imágenes de dicha fotoluminiscencia captada, a fin de cuantificar propiedades electrónicas especificadas, resueltas en el espacio, de dicha estructura semiconductora (140) de salto de banda indirecto, utilizando la variación espacial de dicha fotoluminiscencia inducida en dicha gran área;

de tal manera que la estructura semiconductora (140) de salto de banda indirecto comprende una oblea en bruto o parcialmente tratada, o una oblea que se ha sometido a un número cualquiera de etapas de tratamiento con el fin de formar un dispositivo fotovoltaico tal como una célula solar.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/AU2006/001420.

Solicitante: BT IMAGING PTY LIMITED.

Nacionalidad solicitante: Australia.

Dirección: 18 BULLETIN PLACE SYDNEY, NSW 2000 AUSTRALIA.

Inventor/es: TRUPKE,THORSTEN, BARDOS,ROBERT ANDREW.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G01N21/64 SECCION G — FISICA.G01 METROLOGIA; ENSAYOS.G01N INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS (procedimientos de medida, de investigación o de análisis diferentes de los ensayos inmunológicos, en los que intervienen enzimas o microorganismos C12M, C12Q). › G01N 21/00 Investigación o análisis de los materiales por la utilización de medios ópticos, es decir, utilizando rayos infrarrojos, visibles o ultravioletas (G01N 3/00 - G01N 19/00 tienen prioridad). › Fluorescencia; Fosforescencia.
  • G01N21/88 G01N 21/00 […] › Investigación de la presencia de grietas, de defectos o de manchas.

PDF original: ES-2659781_T3.pdf

 

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