Procedimiento para la separación de estructuras moleculares de relación de aspecto elevada.
Procedimiento para separar estructuras moleculares de elevada relación de aspecto (HARM) agregadas,
de estructuras HARM individuales, comprendiendo el procedimiento proporcionar una dispersión que comprende estructuras HARM agregadas cargadas espontáneamente y estructuras HARM individuales sustancialmente neutras eléctricamente, caracterizado por que el procedimiento comprende además la aplicación de una fuerza electrostática sobre la dispersión que comprende las estructuras HARM agregadas cargadas espontáneamente y las estructuras HARM individuales sustancialmente neutras eléctricamente, en el que la fuerza electrostática separa las estructuras HARM agregadas cargadas espontáneamente de las estructuras HARM individuales sustancialmente neutras eléctricamente.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FI2007/000060.
Solicitante: CANATU OY.
Nacionalidad solicitante: Finlandia.
Dirección: Konalankuja 5 00390 Helsinki FINLANDIA.
Inventor/es: BROWN, DAVID, KAUPPINEN, ESKO, GONZALEZ,DAVID, NASIBULIN,ALBERT.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- B82B3/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B82 NANOTECNOLOGIA. › B82B NANOESTRUCTURAS FORMADAS POR MANIPULACION DE ATOMOS O MOLECULAS INDIVIDUALES, O COLECCIONES LIMITADAS DE ATOMOS O MOLECULAS COMO UNIDADES DISCRETAS; SU FABRICACION O TRATAMIENTO. › Fabricación o tratamiento de nanoestructuras por manipulación de átomos o moléculas individuales, colecciones limitadas de átomos o moléculas como unidades discretas.
- C01B31/02
- H01L51/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes formados en o sobre un sustrato común H01L 27/28; dispositivos termoeléctricos que utilizan material orgánico H01L 35/00, H01L 37/00; elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos o electroestrictivos que utilizan material orgánico H01L 41/00).
PDF original: ES-2627659_T3.pdf
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