Procedimiento de fabricación de transistor orgánico de baja tensión.
Procedimiento para la fabricación de un transistor (1) orgánico sobre un sustrato (10) plástico flexible,
comprendiendo dicho transistor las etapas de:
- formar, sobre un electrodo (5) de puerta, una capa (2) dieléctrica, utilizando una combinación de una capa (3) de óxido metálico y una capa (4) de polímero dieléctrico, que incluye:
• formar en la parte superior de dicho electrodo de puerta, dicha capa (3) de óxido metálico que tiene un primer espesor (T1) comprendido entre 0 nm < T1 ≤ 20 nm y que tiene una primera permitividad (ε1) relativa,
• depositar mediante deposición química de vapor (CVD) dicha capa de polímero dieléctrico que tiene un segundo espesor (T2) comprendido entre 0 nm < T2 ≤ 50 nm, dicha capa (4) de polímero dieléctrico tiene una segunda permitividad (ε2) relativa y forma una interfaz con dicho semiconductor (9) orgánico, en el que dicha capa (4) de polímero dieléctrico incluye poli (p-xilileno) y/o sus derivados o parileno halogenado;
• en el que dicha primera y segunda permitividades relativas satisfacen la siguiente ecuación:
- fabricar en dicha capa (4) de polímero dieléctrico, electrodos de fuente (6) y de drenaje (7),
- Depositar sobre dichos electrodos una capa de un semiconductor (9) orgánico.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2011/063372.
Solicitante: UNIVERSITA' DEGLI STUDI DI CAGLIARI.
Inventor/es: COSSEDDU,PIERO, LAI,STEFANO, BARBARO,MASSIMO, BONFIGLIO,ANNALISA.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L51/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes formados en o sobre un sustrato común H01L 27/28; dispositivos termoeléctricos que utilizan material orgánico H01L 35/00, H01L 37/00; elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos o electroestrictivos que utilizan material orgánico H01L 41/00).
- H01L51/05 H01L […] › H01L 51/00 Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes formados en o sobre un sustrato común H01L 27/28; dispositivos termoeléctricos que utilizan material orgánico H01L 35/00, H01L 37/00; elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos o electroestrictivos que utilizan material orgánico H01L 41/00). › especialmente adaptados a la rectificación, a la amplificación, a la generación de oscilaciones o a la conmutación y que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias con al menos una barrera de potencial o de superficie.
PDF original: ES-2717633_T3.pdf
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