Técnicas de gestión de potencia para estimuladores implantados.

Un procedimiento de gestión de potencia para generar una tensión de alimentación positiva de la bobina secundaria de un enlace magnético transcutáneo,

y almacenar dicha tensión de alimentación positiva a través de un condensador para alimentar un canal estimulador implantado, comprendiendo el canal un disipador de corriente por el que la corriente de estimulación se fuerza a pasar a través de un par de electrodos, incluyendo dicho par de electrodos sus condensadores de acoplamiento, si se incorporan, conmutadores mediante los cuales dicho par de electrodos se seleccionan y se conectan entre dicha tensión de alimentación positiva y dicho disipador de corriente y el tejido situado entre dicho par de electrodos;

• en el que, dicha tensión de alimentación positiva se genera rectificando la tensión alterna de dicha bobina secundaria cerrando o abriendo un conmutador de estado sólido entre dicha bobina secundaria y dicho condensador en dichos momentos durante la mitad positiva de cada ciclo alterno que la tensión de dicho disipador de corriente se regula dentro de una banda de ondulación justo por encima del nivel mínimo necesario por dicho disipador de corriente para mantener la corriente de estimulación demandada;

• en el que, dicho conmutador se cierra en el momento en el que la tensión alterna de dicha bobina secundaria cruza por encima de dicha tensión de alimentación positiva si, y sólo si, la tensión de dicho disipador de corriente es menos positiva que una tensión de referencia positiva en ese momento;

• en el que, dicho conmutador se abre en el momento en el que la tensión de dicho disipador de corriente cruza por encima de dicha tensión de referencia positiva si la tensión alterna de dicha bobina secundaria es más positiva que dicha tensión de alimentación positiva en ese momento;

• en el que, dicho conmutador se abre en el momento en el que la tensión de dicha bobina secundaria cruza por debajo de dicha tensión de alimentación positiva si la tensión en dicho disipador de corriente es menos positiva que dicha tensión de referencia positiva en ese momento;

• en el que, la anchura de dicha banda de ondulación puede hacerse arbitrariamente estrecha elevando la capacidad de dicho condensador; y

• en el que, el límite inferior de dicha banda de ondulación puede hacerse arbitrariamente cercano a dicho nivel mínimo de dicho disipador de corriente reduciendo dicha tensión de referencia positiva.