Sensor de presión semiconductor.
Un sensor (100, 200, 300, 400) de presión semiconductor para determinar una presión externa ejercida en el sensor,
que comprende:
- una membrana (2) como parte de un sustrato semiconductor para ser deformado debido a la presión externa, que tiene un borde (21) de la membrana y un espesor (T) de la membrana;
- un primer par (P1) de resistores situado en o adyacente a una primera parte (S1) lateral de la membrana (2), el primer par (P1) de resistores que comprende un primer resistor (R1) conectado entre un primer nodo (A) de polarización y un primer nodo (D) de salida, y un segundo resistor (R2) conectado entre dicho primer nodo (A) de polarización y un segundo nodo (B) de salida diferente del primer nodo (D) de salida, la resistencia del segundo resistor (R2) que es igual a la del primer resistor (R1);
- una primera fuente (CS1) de corriente conectada o conectable al primer nodo (D) de salida y adaptada para hacer que una primera corriente (I1) predefinida fluya a través del primer resistor (R1) de modo que el primer nodo (D) de salida asuma un primer voltaje (Vout-) de salida;
- una segunda fuente (CS2) de corriente conectada o conectable al segundo nodo (B) de salida y adaptada para hacer que una segunda corriente (I2) predefinida fluya a través del segundo resistor (R2) de modo que el segundo nodo (B) de salida asuma un segundo voltaje (Vout+) de salida, en donde la segunda corriente (I2) predefinida es sustancialmente igual a la primera corriente (I1) predefinida;
- el primer resistor (R1) que comprende una o más primeras bandas (8) piezorresistivas alargadas dispuestas en una primera dirección (X) para medir la deformación de la membrana (2) debida a la presión externa a ser medida, el segundo resistor (R2) que comprende una o más segundas bandas (9) piezorresistivas alargadas dispuestas en una segunda dirección (Y) para medir la deformación de la membrana (2) debida a la presión externa a ser medida, en donde la segunda dirección (Y) es sustancialmente perpendicular a la primera dirección (X);
- el primer y segundo voltaje (Vout-, Vout+) de salida que forma una primera señal (ΔVout) de voltaje diferencial indicativa de la presión externa a ser medida.
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E15171268.
Solicitante: Melexis Technologies NV.
Nacionalidad solicitante: Bélgica.
Dirección: Transportstraat 1 3980 Tessenderlo BELGICA.
Inventor/es: VAN DER WIEL, APPOLONIUS, JACOBUS.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01L19/04 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01L MEDIDA DE FUERZAS, TENSIONES, PARES, TRABAJO, POTENCIA MECANICA, RENDIMIENTO MECANICO O DE LA PRESION DE LOS FLUIDOS (pesado G01G). › G01L 19/00 Detalles o accesorios de aparatos para la medida de la presión permanente o cuasi-permanente de un medio fluyente en la medida en que estos detalles o accesorios no son especiales de los tipos particulares de manómetros. › Medios para compensar los efectos de las variaciones de temperatura.
- G01L9/00 G01L […] › Medida de la presión permanente, o cuasi-permanente de un fluido o de un material sólido fluyente por elementos eléctricos o magnéticos sensibles a la presión; Transmisión o indicación por medios eléctricos o magnéticos del desplazamiento de los elementos mecánicos sensibles a la presión, utilizados para medir la presión permanente o cuasi-permanente de un fluido o de un material sólido fluyente (medida de las diferencias entre dos o más valores de la presión G01L 13/00; medida simultánea de dos o más valores de la presión G01L 15/00).
PDF original: ES-2652265_T3.pdf
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