Componente semiconductor y método para producir un contacto semiconductor de metal.

Componente semiconductor que comprende una primera capa (10) compuesta por material semiconductor,

como sustrato, una segunda capa (12) que se extiende sobre la misma, al menos dos capas intermedias (14, 16) que se extienden entre la primera y la segunda capa, realizadas de los materiales de la primera y la segunda capa, donde la primera capa intermedia (16) que se encuentra orientada hacia la segunda capa (12) puede contener una mezcla eutéctica (18) de los materiales de la primera y la segunda capa, así como un contacto eléctricamente conductor (15, 15a, 15b) que forma una conexión eléctricamente conductora con la primera capa y que parte desde la segunda capa o que la atraviesa, donde el lado posterior del componente semiconductor, en total o al menos de forma parcial, está cubierto en el área del punto de contacto por al menos la segunda capa (12) y el contacto eléctricamente conductor (15, 15a, 15b) comprende un material metálico que puede soldarse o que pueda licuarse, el cual se encuentra aleado en la segunda capa (12) o forma una mezcla con el material de la segunda capa, caracterizado porque, el material metálico que puede soldarse o que pueda licuarse como el contacto eléctricamente conductor (15, 15a, 15b) que parte desde la segunda capa (12) está aleado en al menos una de las dos capas intermedias (14, 16) o las atraviesa, donde la segunda capa (12) es porosa.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E12191953.

Solicitante: SCHOTT SOLAR AG.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: HATTENBERGSTRASSE 10 55122 MAINZ ALEMANIA.

Inventor/es: BUSS,WERNER, VON CAMPE,DR. HILMAR, WILDPANNER,BERND.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/0224 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Electrodos.

PDF original: ES-2606374_T3.pdf

 

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