Baño de electrodepósito de aleación Al-Zr usando baño de sal fundida a temperatura ambiente y procedimiento de depósito usando tal baño.

Un baño de electrodepósito de aleación Al-Zr que comprende (A) un haluro de aluminio;

(B) una clase o al menos dos clases de compuestos seleccionados entre el grupo consistente en haluros de N-alquilpiridinio, haluros de N-alquilimidazolio, haluros de N,N'-alquilimidazolio, haluros de N-alquilpirazolio y haluros de N,N'- alquilpirazolio; y (C) un haluro de zirconio, en el que el baño comprende un haluro de aluminio (A) y el compuesto (B) en una relación molar que varía de 1:1 y 3:1 y en el que el baño comprende además una o al menos dos clases de aditivos seleccionados entre el grupo consistente en (D) un disolvente orgánico aromático; (E) una o al menos dos clases de polímeros orgánicos seleccionados entre el grupo consistente en polímeros estirénicos y polímeros alifáticos derivados de dieno; y (F) una clase o al menos dos clases de agentes abrillantadores seleccionados entre el grupo consistente en aldehídos alifáticos, aldehídos aromáticos, cetonas aromáticas, compuestos heterocíclicos insaturados que contienen átomo de nitrógeno, compuestos hidrazida, compuestos heterocíclicos que contienen átomo de azufre, hidrocarburos aromáticos de los que cada uno presenta un sustituyente que contiene átomo de azufre, ácidos carboxílicos aromáticos y derivados de los mismos, ácidos carboxílicos alifáticos de los que cada uno tiene un enlace doble y derivados de los mismo, compuestos de alcohol acetilénico y resinas trifluorocloroetilénicas, y en los que la cantidad de (C) haluro de zirconio es de 1 a 50 g/l, la cantidad de (D) disolvente orgánico aromático cuando se añade es de 1 a 50% en volumen, la cantidad de (E) polímero orgánico cuando se añade es de 1 a 10 g/l y la cantidad de (F) agente abrillantador cuando se añade es de 0,001 a 0,1 mol/l.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2008/052151.

Solicitante: DIPSOL CHEMICALS CO., LTD..

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 7-12, Yaesu 2-Chome, Chuo-Ku, Tokyo 104-0028 JAPON.

Inventor/es: OHNUMA, TADAHIRO, INOUE,MANABU, MIYADERA,TSUTOMU.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C25D3/56 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS.C25D PROCESOS PARA LA PRODUCCION ELECTROLITICA O ELECTROFORETICA DE REVESTIMIENTOS; GALVANOPLASTIA (fabricación de circuitos impresos por deposición metálica H05K 3/18 ); UNION DE PIEZAS POR ELECTROLISIS; SUS APARATOS (protección anódica o catódica C23F 13/00; crecimiento de monocristales C30B). › C25D 3/00 Revestimientos electrolíticos; Baños utilizados. › de aleaciones.
  • C25D3/66 C25D 3/00 […] › a partir de baños fundidos.

PDF original: ES-2597855_T3.pdf

 

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