Dispositivo ISFET.
Un dispositivo semiconductor para detectar una concentración de iones de una muestra,
comprendiendo el dispositivo:
una pluralidad de transistores de efecto de campo (FET) acoplados a una puerta de flotación común; y
una capa de detección de iones expuesta a la muestra y acoplada a la puerta de flotación;
caracterizado porque, en uso, se enciende o se apaga una corriente a través de los transistores en función de la magnitud de la concentración de iones en la muestra en la proximidad de la capa de detección en comparación con un umbral de conmutación.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/IB2011/002376.
Solicitante: DNAE GROUP HOLDINGS LIMITED.
Inventor/es: TOUMAZOU,Christofer, AL-AHDAL,ABDULRAHMAN.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01N27/414 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01N INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS (procedimientos de medida, de investigación o de análisis diferentes de los ensayos inmunológicos, en los que intervienen enzimas o microorganismos C12M, C12Q). › G01N 27/00 Investigación o análisis de materiales mediante el empleo de medios eléctricos, electroquímicos o magnéticos (G01N 3/00 - G01N 25/00 tienen prioridad; medida o ensayo de variables eléctricas o magnéticas o de las propiedades eléctricas o magnéticas de los materiales G01R). › Transistores de efecto de campo sensibles a los iones o a los agentes químicos, es decir ISFETS o CHEMFETS.
PDF original: ES-2554128_T3.pdf
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